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NAND02GR3B2DZA6E: 产品描述IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共67页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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NAND02GR3B2DZA6E概述

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

NAND02GR3B2DZA6E规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA63,10X12,32
针数	63
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
JESD-609代码	e1
长度	11 mm
内存密度	2147483648 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	2K
端子数量	63
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA63,10X12,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小	2K words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.05 mm
部门规模	128K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
切换位	NO
类型	SLC NAND TYPE
宽度	9 mm

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NAND02G-BxD

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page

multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, SLC NAND flash memories

Features

■

High density NAND flash memory

– Up to 2 Gbits of memory array

– Cost-effective solution for mass storage

applications

NAND interface

– x8 or x16 bus width

– Multiplexed address/data

Supply voltage: 1.8 V or 3 V device

VFBGA63

■

TSOP48 12 x 20 mm (N)

■

Page size

– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes

– x16 device: (1024 + 32 spare) words

Block size

– x8 device: (128 K + 4 K spare) bytes

– x16 device: (64 K + 2 K spare) words

Multiplane architecture

– Array split into two independent planes

– Program/erase operations can be

performed on both planes at the same time

Page read/program

– Random access: 25 µs (max)

– Sequential access: 25 ns (min)

– Page program time: 200 µs (typ)

– Multiplane page program time (2 pages):

200 µs (typ)

Copy back program with automatic EDC (error

detection code)

Cache read mode

Fast block erase

– Block erase time: 1.5 ms (typ)

– Multiblock erase time (2 blocks): 1.5 ms

(typ)

Status register

Electronic signature

VFBGA63 9 x 11 x 1.05 mm (ZA)

■

Chip Enable ‘don’t care’

Security features

– OTP area

– Serial number (unique ID)

– Non-volatile protection option

Data protection:

– Hardware program/erase disabled during

power transitions

ONFI 1.0 compliant command set

Data integrity

– 100,000 program/erase cycles (with ECC)

– 10 years data retention

RoHS compliant packages

Device summary

Root part number

NAND02GR3B2D

NAND02GW3B2D

NAND02G-BxD

NAND02GR3BAD

NAND02GR4B2D

NAND02GW4B2D

■

Table 1.

Reference

■

February 2010

Rev 7

1/67

www.numonyx.com

Contents

NAND02G-BxD

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Signals description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Inputs/outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

supply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Address input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Data output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Command set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

6.1

Read memory array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

6.1.1

6.1.2

Random read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Page read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

6.2

Cache read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

2/67

NAND02G-BxD

Contents

6.3

Page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

6.3.1

6.3.2

Sequential input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Random data input in page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

6.9

6.10

6.11

Multiplane page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Multiplane copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Multiplane block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Error detection code (EDC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Read status register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

6.11.1

6.11.2

6.11.3

6.11.4

6.11.5

Write protection bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

P/E/R controller and cache ready/busy bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

P/E/R controller bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Error bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

SR4, SR3, SR2 and SR1 are reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

6.12

6.13

6.14

6.15

6.16

Read status enhanced . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Read EDC status register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Read electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Read ONFI signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Read parameter page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

Bad block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

NAND flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Error correction code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

3/67

NAND02G-BxD

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

Table 31.

Table 32.

Device summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signals names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address insertion (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address insertion (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address definition (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address definition (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address definition for EDC units (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Address definition for EDC units (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Status register bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

EDC status register bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Electronic signature byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Electronic signature byte 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Electronic signature byte 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Read ONFI signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Parameter page data structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Block failure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

Program erase times and program erase endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

Operating and AC measurement conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

DC characteristics (1.8 V devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

DC characteristics (3 V devices)

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

AC characteristics for command, address, data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

AC Characteristics for operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package mechanical data. . . . . 63

VFBGA63 9 x 11 x 1.05 mm, 0.8 mm pitch, package mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . 64

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

5/67

NAND02GR3B2DZA6E相似产品对比

	NAND02GR3B2DZA6E	NAND02GW3B2DN6E	NAND02GW3B2DZA6E
描述	IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA	IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP	IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
零件包装代码	BGA	TSOP	BGA
包装说明	TFBGA, BGA63,10X12,32	TSOP1, TSSOP48,.8,20	TFBGA, BGA63,10X12,32
针数	63	48	63
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns	25000 ns	20 ns
命令用户界面	YES	YES	YES
数据轮询	NO	NO	NO
JESD-30 代码	R-PBGA-B63	R-PDSO-G48	R-PBGA-B63
长度	11 mm	18.4 mm	11 mm
内存密度	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	8	8	8
功能数量	1	1	1
部门数/规模	2K	2K	2K
端子数量	63	48	63
字数	268435456 words	268435456 words	268435456 words
字数代码	256000000	256000000	256000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	256MX8	256MX8	256MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TSOP1	TFBGA
封装等效代码	BGA63,10X12,32	TSSOP48,.8,20	BGA63,10X12,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小	2K words	2K words	2K words
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V	3/3.3 V	3/3.3 V
编程电压	1.8 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
就绪/忙碌	YES	YES	YES
座面最大高度	1.05 mm	1.2 mm	1.05 mm
部门规模	128K	128K	128K
最大待机电流	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A
最大压摆率	0.02 mA	0.03 mA	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	GULL WING	BALL
端子节距	0.8 mm	0.5 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	DUAL	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
切换位	NO	NO	NO
类型	SLC NAND TYPE	SLC NAND TYPE	SLC NAND TYPE
宽度	9 mm	12 mm	9 mm

NAND02GR3B2DZA6E

NAND02GR3B2DZA6E概述

NAND02GR3B2DZA6E规格参数

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NAND02GR3B2DZA6E相似产品对比

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