Datasheet> 器件分类 > 存储> MT45W256KW16BEGB-708 WT TR

文档预览

MT45W256KW16BEGB-708 WT TR: 产品描述IC PSRAM 4M PARALLEL 54VFBGA; 产品类别存储; 文件大小2MB，共58页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

MT45W256KW16BEGB-708 WT TR概述

IC PSRAM 4M PARALLEL 54VFBGA

MT45W256KW16BEGB-708 WT TR规格参数

参数名称	属性值
存储器类型	易失
存储器格式	PSRAM
技术	PSRAM（伪 SRAM）
存储容量	4Mb （256K x 16）
写周期时间 - 字，页	70ns
访问时间	70ns
存储器接口	并联
电压 - 电源	1.7 V ~ 1.95 V
工作温度	-30°C ~ 85°C（TC）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	54-VFBGA
供应商器件封装	54-VFBGA（6x8）

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

4Mb: 256K x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory

Features

Async/Page/Burst

CellularRAM

1.0 Memory

MT45W256KW16BEGB

Features

• Single device supports asynchronous, page, and

burst operations

• Random access time: 70ns

• V

, V

Q voltages

–

1.7–1.95V V

–

1.7–3.6V

• Page mode read access

–

16-word page size

–

Interpage read access: 70ns

–

Intrapage read access: 20ns

• Burst mode write access: continuous burst

• Burst mode read access

–

4, 8, or 16 words or continuous burst

–

MAX clock rate: 104 MHz (

CLK = 9.62ns)

–

Burst initial latency: 38.5ns (4 clocks) at 104 MHz

–

ACLK: 7ns at 104 MHz

• Low power consumption

–

Asynchronous read: <20mA

–

Intrapage read: <15mA

–

Intrapage read initial access, burst read:

(38.5ns [4 clocks] at 104 MHz) <35mA

–

Continuous burst read: <28mA

–

Standby: <60µA

–

Deep power-down (DPD): <10µA (TYP at 25°C)

• Low-power features

–

Partial-array refresh (PAR)

–

DPD mode

Figure 1:

54-Ball VFBGA Ball Assignment

LB#

OE#

CRE

DQ8

UB#

CE#

DQ0

DQ9

DQ10

DQ1

DQ2

DQ11

A17

DQ3

DQ12

A16

DQ4

DQ14

DQ13

A14

A15

DQ5

DQ6

DQ15

A12

A13

WE#

DQ7

DNU

A10

A11

WAIT

CLK

ADV#

Top view

(Ball down)

Options

• Configuration

–

256K x 16

• Package

–

54-ball VFBGA (“green”)

• Access time

–

70ns

• Frequency

–

80 MHz

–

104 MHz

• Standby power

–

Standard

Designator

MT45W256KW16BE

-70

None

Options (continued)

• Operating temperature range

–

Wireless (–30°C to +85°C)

–

Industrial (–40°C to +85°C)

Designator

Notes: 1. The 3.6V I/O and the –30°C wireless temper-

ature exceed the CellularRAM Workgroup 1.0

specification.

2. Contact factory for availability.

Part Number Example:

MT45W256KW16BEGB-701WT

PDF: 09005aef8329f3e3 / Source: 09005aef82e419a5

8mb_4mb_burst_cr1_0_p22z__1.fm - Rev. B 4/ 08 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

4Mb: 256K x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory

Table of Contents

Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2

List of Figures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3

List of Tables. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4

General Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Functional Block Diagrams. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Ball Descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

Bus Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7

Part Numbering Information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Valid Part Number Combinations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Device Marking . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Functional Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

Power-Up Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

Bus Operating Modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

Asynchronous Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

Page Mode READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Burst Mode Operation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Mixed-Mode Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

WAIT Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

LB#/UB# Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

Low-Power Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Standby Mode Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Deep Power-Down Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Configuration Registers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Access Using CRE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Software Access to the Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

Bus Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

Burst Length (BCR[2:0]) Default = Continuous Burst . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25

Burst Wrap (BCR[3]) Default = Burst No Wrap (Within Burst Length) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25

Output Impedance (BCR[5]) Default = Outputs Use Full-Drive Strength. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26

WAIT Configuration (BCR[8]) Default = WAIT Transitions One Clock Before Data Valid/Invalid . . . . . . . . .26

WAIT Polarity (BCR[10]) Default = WAIT Active HIGH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27

Latency Counter (BCR[13:11]) Default = Three-Clock Latency . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27

Operating Mode (BCR[15]) Default = Asynchronous Operation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27

Refresh Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28

Partial-Array Refresh (RCR[2:0]) Default = Full Array Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28

Deep Power-Down (RCR[4]) Default = DPD Disabled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28

Page Mode Operation (RCR[7]) Default = Disabled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28

Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29

Typical Standby Currents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .31

Timing Requirements. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .33

Timing Diagrams. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .37

Package Dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .57

Revision History. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .58

PDF: 09005aef8329f3e3 / Source: 09005aef82e419a5

4mb_burst_cr1_0_p22zTOC.fm - Rev. B 4/ 08 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

4Mb: 256K x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory

List of Figures

Figure 1:

Figure 2:

Figure 3:

Figure 4:

Figure 5:

Figure 6:

Figure 7:

Figure 8:

Figure 9:

Figure 10:

Figure 11:

Figure 12:

Figure 13:

Figure 14:

Figure 15:

Figure 16:

Figure 17:

Figure 18:

Figure 19:

Figure 20:

Figure 21:

Figure 22:

Figure 23:

Figure 24:

Figure 25:

Figure 26:

Figure 27:

Figure 28:

Figure 29:

Figure 30:

Figure 31:

Figure 32:

Figure 33:

Figure 34:

Figure 35:

Figure 36:

Figure 37:

Figure 38:

Figure 39:

Figure 40:

Figure 41:

Figure 42:

Figure 43:

Figure 44:

Figure 45:

Figure 46:

Figure 47:

Figure 48:

Figure 49:

54-Ball VFBGA Ball Assignment . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

Functional Block Diagram (256K x 16) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Part Number Chart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Power-Up Initialization Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

READ Operation (ADV = LOW) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

WRITE Operation (ADV = LOW) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

Page Mode READ Operation (ADV = LOW) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Burst Mode READ (4-Word Burst) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13

Burst Mode WRITE (4-Word Burst) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Wired-OR WAIT Configuration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

Refresh Collision During READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16

Refresh Collision During WRITE Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16

Asynchronous Mode Configuration Register Write Followed by READ ARRAY Operation . . . . . . .18

Synchronous Mode Configuration Register WRITE Followed by READ ARRAY Operation . . . . . . .19

Asynchronous Mode Configuration Register READ Followed by READ ARRAY Operation . . . . . . .20

Synchronous Mode Configuration Register READ Followed by READ ARRAY Operation . . . . . . . .21

Load Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

Read Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

Bus Configuration Register Definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

WAIT Configuration (BCR[8] = 0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26

WAIT Configuration (BCR[8] = 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26

WAIT Configuration During Burst Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27

Latency Counter (Variable Latency, No Refresh Collision) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27

Refresh Configuration Register Mapping . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28

Typical Refresh Current vs. Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .31

AC Input/Output Reference Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .32

Output Load Circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .32

Initialization Period . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36

Asynchronous READ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .37

Asynchronous READ Using ADV# . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .38

Page Mode READ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .39

Single-Access Burst READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .40

Four-Word Burst READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .41

READ Burst Suspend . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .42

Output Delay in Continuous Burst READ with BCR[8] = 0 for End-of-Row Condition . . . . . . . . . . .43

CE#-Controlled Asynchronous WRITE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .44

LB#/UB#-Controlled Asynchronous WRITE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .45

WE#-Controlled Asynchronous WRITE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .46

Asynchronous WRITE Using ADV# . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .47

Burst WRITE Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .48

Output Delay in Continuous Burst Write with BCR[8] = 0 for End-of-Row Condition . . . . . . . . . . . .49

Burst WRITE Followed by Burst READ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50

Asynchronous WRITE Followed by Burst READ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .51

Asynchronous WRITE Followed by Burst READ with ADV# LOW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .52

Burst READ Followed by Asynchronous WRITE (WE#-Controlled) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .53

Burst READ Followed by Asynchronous WRITE Using ADV# . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .54

Asynchronous WRITE Followed by Asynchronous READ – ADV# LOW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .55

Asynchronous WRITE Followed by Asynchronous READ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .56

54-Ball VFBGA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .57

PDF: 09005aef8329f3e3 / Source: 09005aef82e419a5

4mb_burst_cr1_0_p22zLOF.fm - Rev. B 4/ 08 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

4Mb: 256K x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory

List of Tables

Table 1:

Table 2:

Table 3:

Table 4:

Table 5:

Table 6:

Table 7:

Table 8:

Table 9:

Table 10:

Table 11:

Table 12:

Table 13:

Table 14:

VFBGA Ball Descriptions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

Bus Operations: Asynchronous Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7

Bus Operations: Burst Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Sequence and Burst Length . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25

Latency Configuration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29

Electrical Characteristics and Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .30

Deep Power-Down Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .32

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .32

Asynchronous READ Cycle Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .33

Burst READ Cycle Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .34

Asynchronous WRITE Cycle Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .35

Burst WRITE Cycle Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36

Initialization Timing Parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36

PDF: 09005aef8329f3e3 / Source: 09005aef82e419a5

4mb_burst_cr1_0_p22zLOT.fm - Rev. B 4/ 08 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

4Mb: 256K x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory

General Description

Micron

CellularRAM

is a high-speed, CMOS PSRAM memory developed for low-

power, portable applications. The MT45W256KW16BEGB is a 4Mb DRAM core

device organized as 256K x 16 bits. This device includes an industry-standard burst

mode Flash interface that dramatically increases read/write bandwidth compared with

other low-power SRAM or pseudo-SRAM (PSRAM) offerings.

For seamless operation on a burst Flash bus, CellularRAM products incorporate a trans-

parent self refresh mechanism. The hidden refresh requires no additional support from

the system memory controller and has no significant impact on device read/write

performance.

Two user-accessible control registers define device operation. The bus configuration

bus and is nearly identical to its counterpart on burst mode Flash devices. The refresh

configuration register (RCR) is used to control how refresh is performed on the DRAM

array. These registers are automatically loaded with default settings during power-up

and can be updated anytime during normal operation.

Special attention has been focused on standby current consumption during self refresh.

This CellularRAM product includes two system-accessible mechanisms to minimize

standby current. Partial-array refresh (PAR) limits refresh to only that part of the DRAM

array that contains essential data. Deep power-down (DPD) halts the REFRESH opera-

tion altogether and is used when no vital information is stored in the device. These two

refresh mechanisms are accessed through the RCR.

Functional Block Diagrams

Figure 2:

Functional Block Diagram (256K x 16)

A[17:0]

Address decode

logic

256K x 16

DRAM

memory

array

Input/

output

MUX

and

buffers

DQ[7:0]

DQ[15:8]

Refresh configuration

Bus configuration

CE#

WE#

OE#

CLK

ADV#

CRE

WAIT

LB#

UB#

Control

logic

Note:

Functional block diagrams illustrate simplified device operation. See the ball description

table and timing diagrams for detailed information.

PDF: 09005aef8329f3e3 / Source: 09005aef82e419a5

8mb_4mb_burst_cr1_0_p22z__2.fm - Rev. B 4/ 08 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

MT45W256KW16BEGB-708 WT TR相似产品对比

	MT45W256KW16BEGB-708 WT TR	MT45W256KW16BEGB-708IT	MT45W256KW16BEGB-701IT	MT45W256KW16BEGB-701WT
描述	IC PSRAM 4M PARALLEL 54VFBGA	Pseudo Static RAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA54, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT 0.75 MM PITCH, GREEN, VFBGA-54	Pseudo Static RAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA54, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT 0.75 MM PITCH, GREEN, VFBGA-54	Pseudo Static RAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA54, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT 0.75 MM PITCH, GREEN, VFBGA-54
技术	PSRAM（伪 SRAM）	CMOS	CMOS	CMOS
是否Rohs认证	-	符合	符合	符合
零件包装代码	-	BGA	BGA	BGA
包装说明	-	VFBGA, BGA54,6X9,30	VFBGA, BGA54,6X9,30	VFBGA, BGA54,6X9,30
针数	-	54	54	54
Reach Compliance Code	-	compliant	unknown	compliant
ECCN代码	-	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	-	70 ns	70 ns	70 ns
I/O 类型	-	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	-	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54
JESD-609代码	-	e1	e1	e1
长度	-	8 mm	8 mm	8 mm
内存密度	-	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	-	PSEUDO STATIC RAM	PSEUDO STATIC RAM	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度	-	16	16	16
功能数量	-	1	1	1
端子数量	-	54	54	54
字数	-	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	-	256000	256000	256000
工作模式	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	-	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	-	256KX16	256KX16	256KX16
输出特性	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	-	VFBGA	VFBGA	VFBGA
封装等效代码	-	BGA54,6X9,30	BGA54,6X9,30	BGA54,6X9,30
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	-	1.8,1.8/3.3 V	1.8,1.8/3.3 V	1.8,1.8/3.3 V
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	-	1 mm	1 mm	1 mm
最大待机电流	-	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A
最大压摆率	-	0.035 mA	0.035 mA	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)	-	1.95 V	1.95 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	-	1.7 V	1.7 V	1.7 V
表面贴装	-	YES	YES	YES
温度等级	-	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	-	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子形式	-	BALL	BALL	BALL
端子节距	-	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	-	6 mm	6 mm	6 mm

推荐资源

要采购设备，请代理联系我: 交流电源， 3相，要求输出 400VAC 可调电源示波器 100M 功率表快联系我啊...; hostcherry 测试/测量

MSP430F5529的USCI配置冲突问题: 楼主自己画的板子，是通过F5529控制前端模拟器件采集并通过uart传数据到电脑上与前端通信是用UCB1的SPI模式，前段时间调通了，并在示波器上看到了正确的数据流后来写的UCA1配置UART的程 ......; jixueyuan163 微控制器 MCU

小放点pt100的资料: PT100包含程序。...; tanfeng193 微控制器 MCU

关于ADC的接地问题: 我用的是stm32F103RBT6，两层板，大概7*5CM。基本把模拟器件和数字器件分成左右两边布的。 5v-3.3V的LDO也是左右各一。 VCCA走线比较粗，也和VCC分开的。模拟器件电流都很小的。但 ......; weiguozwg stm32/stm8

移动电源设计中的安全考虑: 在错误的条件下使用错误的电池会造成故障和爆炸。仔细的设计就会避免电池破裂和爆炸等意外，减少有害的电化学反应和失误带来的风险。锂离子电池具有很多优于其他可充电电池的特性，包括 ......; qwqwqw2088 模拟与混合信号

电源: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:15 编辑有木有升压成功的大神呢？？？ ...; 萧梦电子竞赛

单片机main函数退出后发生什么——以stm32为例

网上搜索可能因为大家不太关心这种情况，我没有找到有关论述单片机main函数退出的文章。不过在ST Community、阿莫BBS、StackOverflow看到有人在问同样的问题，下面摘录了一些不同角度的回答： C语言环境角度，三种可能性编译器在main函数后加入隐性的无限循环编译器在main外面添加一层无限循环 CPU继续向下取址运行（也就是跑飞了）单片机设计角度，退出会引发异常、...[详细]
单片机STM32的启动文件详解--学习笔记

　　启动文件简介　　启动文件由汇编编写，是系统上电复位后第一个执行的程序。主要做了以下工作：　　1、初始化堆栈指针SP=_initial_sp 　　2、初始化PC 指针=Reset_Handler 　　3、初始化中断向量表　　4、配置系统时钟　　5、调用C 库函数_main 初始化用户堆栈，从而最终调用main 函数去到C 的世界　　查找ARM 汇编指令　　在讲解启动代码的时候，会涉...[详细]
这可能是你没见过的！R型电梯变压器的神奇之处！

现在我们住的房子大部分都是电梯楼，主要原因是上下楼梯比较方便！它还能让生活更舒适。它甚至有助于提高房地产的附加值。最重要的是，别墅用的电梯不贵，一台几万元。有了这个装置，可以节省老人和孩子上下楼梯的时间，方便、安全、快捷。为了降低振动和噪声，使电梯环境质量达到相关标准的要求，目前许多电梯厂家。通常配电设备会选择使用r型电梯变压器来改变电压。在安全改变电压的同时，其多重保护功能也可以降低电梯的事故...[详细]
英伟达今天公布人形机器人“黑科技”

“你设置好日程提醒了吗？” 8月24日，英伟达机器人官方账号在社交平台上发布了一张黑色礼盒的照片，附着一张带着创始人黄仁勋签名、配文为“好好享受”的贺卡。此次预热的产品，是一款针对机器人的“新大脑”。两天前，英伟达便发布了预热视频，黄仁勋写下一张贺卡称：“好好享受你的新大脑吧！” 随后，一款人形机器人拿起礼盒上的贺卡，读了起来，这款机器人来自中国厂商傅利叶。 ...[详细]
『新品发布』共模半导体重磅发布高效率小尺寸降压电源模块GM6506系列产品

共模半导体正式发布其最新一代电源管理芯片—GM6506系列，这是一个完全集成的高频同步整流降压电源模块，内部集成了电感和多个关键器件，简化了电路设计。这款芯片凭借其卓越的性能、低功耗设计以及广泛的应用场景，为各种高要求的电源应用提供了理想的解决方案。无论是光通信、服务器、电信，还是工业及自动化测试领域，GM6506都能满足高效、稳定电源需求。一产品介绍 GM6506 是一个非...[详细]
stm32看门狗详细解答，看了觉得一下子明白了很多

　　一、独立看门狗　　STM32 的独立看门狗由内部专门的 40Khz 低速时钟驱动，即使主时钟发生故障，它也仍然有效。　　看门狗的原理：单片机系统在外界的干扰下会出现程序跑飞的现象导致出现死循环，看门狗电路就是为了避免这种情况的发生。看门狗的作用就是在一定时间内(通过定时计数器实现)没有接收喂狗信号(表示　　MCU 已经挂了)，便实现处理器的自动复位重启(发送复位信号) 。　　在键值寄...[详细]
工信部推动制定首个电器电子产品有害物质管控强制性国家标准

8 月 22 日消息，据工信部官网消息，近日，我国电器电子产品有害物质管控领域首个强制性国家标准《电器电子产品有害物质限制使用要求》（GB 26572—2025）经国家标准化管理委员会批准发布，将于 2027 年 8 月 1 日正式实施。该标准由工业和信息化部提出并归口管理，中国电子技术标准化研究院联合电器电子行业生产制造企业、认证检测机构、行业协会及科研院所等 60 余家单位共同研制。从官方...[详细]
STM32定时器应用——PWM

STM32的定时器有三种，高级定时器（TIM1和TIM8），通用定时器（TIM2、TIM3、TIM4、TIM5）和基本定时器（TIM6和TIM7）。这三者的区别是：基本定时器：基本定时器功能比较简单，主要是计时，也可以为DAC提供时钟，直接触发驱动DAC 通用定时器：通用定时器除了基本的定时功能外，还可以测量输入信号的脉冲长度，也就是输入捕获功能，也可以产生输出波形，即输出比...[详细]
电动汽车有辐射，长期驾驶会致癌？

随着我国电动汽车的高速发展，人们也开始关注到电动汽车的辐射问题，我们都知道手机是有辐射的，那么比手机电池大几十倍的电动车是否辐射更大？会不会对人体造成伤害呢？今天我们就来聊聊有关辐射的那些事儿。现如今，只要我们还活着就无法避免辐射，像太阳光、电脑、手机、微波炉、wifi等都会产生一定量的辐射。只要温度在绝对零度以上，都会以电磁波或者是粒子的形式对外输送热量，这种方式就叫做辐射，但是根据其能...[详细]
电动汽车的轮胎真的是越大就越费电吗

轮胎对于汽车来说，是很重要的一个部件，关乎车辆的用车体验，我们在日常生活中和汽车几乎是分不开的对于轮胎来说，根据轮胎对于车辆在行车当中的作用来说，轮胎越大对于车辆的稳定性就越好，但是不足点就是车辆会导致车辆的对于车辆的在运转的过程当中加大轮胎与路面之间的阻力，而不管是纯电动汽车还是燃油车，都会有这种的影响，对于电动汽车来说，轮胎越大是费电的。首先从轮胎的结构上面来说，轮胎在结构上面，是由轮...[详细]
工业电脑的机器视觉

带有GPU的工业电脑利用强大的并行处理来建立深度学习模型，以分析和响应光学输入。系统形成对视觉数据的理解，以启动预防性维护、设备重定向、系统重新校准、资源重新分配或人工干预。机器视觉为工业设施带来了一些进步。机器视觉，也被称为机器的眼睛，是指计算机使用一个或多个摄像机进行观察的能力。它捕捉图像，对其进行处理，并创建一个动作课程。尽管这些步骤听起来很耗时，但它是以光速完成的。唯一耗时的过程是...[详细]
linux shell数据重定向（输入重定向与输出重定向）详细分析

在了解重定向之前，我们先来看看linux 的文件描述符。 linux文件描述符：可以理解为linux跟踪打开文件，而分配的一个数字，这个数字有点类似c语言操作文件时候的句柄，通过句柄就可以实现文件的读写操作。用户可以自定义文件描述符范围是：3-num,这个最大数字，跟用户的：ulimit –n 定义数字有关系，不能超过最大值。 linux启动后，会默认打开3个文件描述符，分别是：标准输入s...[详细]
STM32 Keil C++编写单片机程序

C++ 属于面向对象的编程语言，OOP的思想不必多说，特别对于复杂的软件工程来说，利用OOP绝对是事半功倍，相对于传统的C来说；当然用C来写单片机程序无可厚非，已经延续了一个传统，从大学时学的开始到工作岗位，好多人都是一直用C来做，但是既然Keil支持C++编译，可以用C++来编写你的代码，可以利用高级语言来结构化，清晰化你的程序，为嘛不用呢！哈哈，个人看法！下面进入正题： C+...[详细]
SiC MOSFET 界面陷阱检测升级：Force-I QSCV 方法详解

电容-电压 (C-V) 测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于 SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因电容更大易导致结果不稳定。为解决这一问题，Keithley 4200A-SCS 引入 Force-I QSCV 技术，通过施加电流并测量电压与时间来推导电容，获得更稳定可靠的数据。 ...[详细]
Beacon在可穿戴设备中的应用：安卓&蓝牙第二篇

　　可穿戴技术正在腾飞，应用形式日新月异，从智能手表到各式运动手环，甚至还有智能假发!而Bluetooth Smart就在这一切变革的中心。这是Android Wear操作系统系列文章的第二篇，将帮助开发者探索如何利用Android Wear为用户打造最佳的“腕上体验”(当然也包括耳部、头上、脖子上佩戴的可穿戴设备体验)。第一篇中，小码哥讲述了打造Android Wear体验所涉及的标准和延展安...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多