DS1258Y-100#,DS1258Y-100# pdf中文资料,DS1258Y-100#引脚图,DS1258Y-100#电路-Datasheet-电子工程世界

DS1258Y-100#: 产品描述IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP; 产品类别存储存储; 文件大小199KB，共8页; 制造商Maxim(美信半导体); 官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html

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DS1258Y-100#概述

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

DS1258Y-100#规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DMA
包装说明	0.740 INCH, DIP-40
针数	40
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
Is Samacsys	N
最长访问时间	100 ns
其他特性	10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码	R-XDMA-P40
JESD-609代码	e0
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	40
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX16
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP40,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.01 A
最大压摆率	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

DS1258Y-100#相似产品对比

	DS1258Y-100#	DS1258Y-70#	DS1258Y-70IND#	DS1258AB-70#	DS1258AB-100#	DS1258AB-70IND#
描述	IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP	IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP	IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP	IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP	IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP	IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	不符合	符合	不符合
零件包装代码	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA
包装说明	0.740 INCH, DIP-40	0.740 INCH, DIP-40	0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-40	0.740 INCH, DIP-40	DIP, DIP40,.6	0.740 INCH, DIP-40
针数	40	40	40	40	40	40
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	100 ns	70 ns	70 ns	70 ns	100 ns	70 ns
其他特性	10 YEAR DATA RETENTION	10 YEAR DATA RETENTION	10 YEAR DATA RETENTION	10 YEAR DATA RETENTION	10 YEAR DATA RETENTION	10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码	R-XDMA-P40	R-XDMA-P40	R-XDMA-P40	R-XDMA-P40	R-XDMA-P40	R-XDMA-P40
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	40	40	40	40	40	40
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C
组织	128KX16	128KX16	128KX16	128KX16	128KX16	128KX16
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	245	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A
最大压摆率	0.17 mA	0.17 mA	0.17 mA	0.17 mA	0.17 mA	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
是否无铅	含铅	含铅	-	含铅	-	含铅
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	e3	e0
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	MATTE TIN	Tin/Lead (Sn/Pb)

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