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DS1258Y-70#

产品描述IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP
产品类别存储    存储   
文件大小199KB,共8页
制造商Maxim(美信半导体)
官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html
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DS1258Y-70#概述

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

DS1258Y-70#规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DMA
包装说明0.740 INCH, DIP-40
针数40
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Is SamacsysN
最长访问时间70 ns
其他特性10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码R-XDMA-P40
JESD-609代码e0
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度16
功能数量1
端子数量40
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX16
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP40,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

DS1258Y-70#相似产品对比

DS1258Y-70# DS1258Y-70IND# DS1258AB-70# DS1258AB-100# DS1258AB-70IND# DS1258Y-100#
描述 IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 符合 不符合 不符合
零件包装代码 DMA DMA DMA DMA DMA DMA
包装说明 0.740 INCH, DIP-40 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-40 0.740 INCH, DIP-40 DIP, DIP40,.6 0.740 INCH, DIP-40 0.740 INCH, DIP-40
针数 40 40 40 40 40 40
Reach Compliance Code not_compliant compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 70 ns 70 ns 70 ns 100 ns 70 ns 100 ns
其他特性 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码 R-XDMA-P40 R-XDMA-P40 R-XDMA-P40 R-XDMA-P40 R-XDMA-P40 R-XDMA-P40
内存密度 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 40 40 40 40 40 40
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C
组织 128KX16 128KX16 128KX16 128KX16 128KX16 128KX16
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP40,.6 DIP40,.6 DIP40,.6 DIP40,.6 DIP40,.6 DIP40,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 245 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最大压摆率 0.17 mA 0.17 mA 0.17 mA 0.17 mA 0.17 mA 0.17 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
是否无铅 含铅 - 含铅 - 含铅 含铅
JESD-609代码 e0 - e0 e3 e0 e0
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)

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