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MT47R256M4CF-3:H

产品描述IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
产品类别存储    存储   
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT47R256M4CF-3:H概述

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

MT47R256M4CF-3:H规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA60,9X11,32
针数60
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间450 ns
其他特性SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)333 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e1
长度10 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织256MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA60,9X11,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.55 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.5 V
标称供电电压 (Vsup)1.55 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8 mm

MT47R256M4CF-3:H相似产品对比

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描述 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
技术 CMOS SDRAM - DDR2 CMOS SDRAM - DDR2 CMOS SDRAM - DDR2 SDRAM - DDR2
存储器类型 - 易失 - 易失 - 易失 易失
存储器格式 - DRAM - DRAM - DRAM DRAM
存储容量 - 1Gb (128M x 8) - 1Gb (64M x 16) - 1Gb (256M x 4) 1Gb (64M x 16)
时钟频率 - 400MHz - 400MHz - 400MHz 400MHz
写周期时间 - 字,页 - 15ns - 15ns - 15ns 15ns
访问时间 - 400ps - 400ps - 400ps 400ps
存储器接口 - 并联 - 并联 - 并联 并联
电压 - 电源 - 1.55 V ~ 1.9 V - 1.55 V ~ 1.9 V - 1.55 V ~ 1.9 V 1.55 V ~ 1.9 V
工作温度 - 0°C ~ 85°C(TC) - 0°C ~ 85°C(TC) - 0°C ~ 85°C(TC) 0°C ~ 85°C(TC)
安装类型 - 表面贴装 - 表面贴装 - 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 - 60-TFBGA - 84-TFBGA - 60-TFBGA 84-TFBGA
供应商器件封装 - 60-FBGA(8x10) - 84-FBGA(8x12.5) - 60-FBGA(8x10) 84-FBGA(8x12.5)
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