IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
| 参数名称 | 属性值 |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM - DDR2 |
| 存储容量 | 1Gb (256M x 4) |
| 时钟频率 | 400MHz |
| 写周期时间 - 字,页 | 15ns |
| 访问时间 | 400ps |
| 存储器接口 | 并联 |
| 电压 - 电源 | 1.55 V ~ 1.9 V |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C(TC) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 60-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 60-FBGA(8x10) |
| MT47R256M4CF-25E:H | MT47R128M8CF-25:H | MT47R128M8CF-3:H | MT47R64M16HR-25:H | MT47R64M16HR-3:H | MT47R256M4CF-3:H | MT47R64M16HR-25E:H | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA | IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA | IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA | IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA | IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA | IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA | IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA |
| 技术 | SDRAM - DDR2 | SDRAM - DDR2 | CMOS | SDRAM - DDR2 | CMOS | CMOS | SDRAM - DDR2 |
| 存储器类型 | 易失 | 易失 | - | 易失 | - | - | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM | DRAM | - | DRAM | - | - | DRAM |
| 存储容量 | 1Gb (256M x 4) | 1Gb (128M x 8) | - | 1Gb (64M x 16) | - | - | 1Gb (64M x 16) |
| 时钟频率 | 400MHz | 400MHz | - | 400MHz | - | - | 400MHz |
| 写周期时间 - 字,页 | 15ns | 15ns | - | 15ns | - | - | 15ns |
| 访问时间 | 400ps | 400ps | - | 400ps | - | - | 400ps |
| 存储器接口 | 并联 | 并联 | - | 并联 | - | - | 并联 |
| 电压 - 电源 | 1.55 V ~ 1.9 V | 1.55 V ~ 1.9 V | - | 1.55 V ~ 1.9 V | - | - | 1.55 V ~ 1.9 V |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C(TC) | 0°C ~ 85°C(TC) | - | 0°C ~ 85°C(TC) | - | - | 0°C ~ 85°C(TC) |
| 安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 | - | 表面贴装 | - | - | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 60-TFBGA | 60-TFBGA | - | 84-TFBGA | - | - | 84-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 60-FBGA(8x10) | 60-FBGA(8x10) | - | 84-FBGA(8x12.5) | - | - | 84-FBGA(8x12.5) |
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