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MT47R256M4CF-25E:H

产品描述IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
产品类别存储   
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT47R256M4CF-25E:H概述

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

MT47R256M4CF-25E:H规格参数

参数名称属性值
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR2
存储容量1Gb (256M x 4)
时钟频率400MHz
写周期时间 - 字,页15ns
访问时间400ps
存储器接口并联
电压 - 电源1.55 V ~ 1.9 V
工作温度0°C ~ 85°C(TC)
安装类型表面贴装
封装/外壳60-TFBGA
供应商器件封装60-FBGA(8x10)

MT47R256M4CF-25E:H相似产品对比

MT47R256M4CF-25E:H MT47R128M8CF-25:H MT47R128M8CF-3:H MT47R64M16HR-25:H MT47R64M16HR-3:H MT47R256M4CF-3:H MT47R64M16HR-25E:H
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
技术 SDRAM - DDR2 SDRAM - DDR2 CMOS SDRAM - DDR2 CMOS CMOS SDRAM - DDR2
存储器类型 易失 易失 - 易失 - - 易失
存储器格式 DRAM DRAM - DRAM - - DRAM
存储容量 1Gb (256M x 4) 1Gb (128M x 8) - 1Gb (64M x 16) - - 1Gb (64M x 16)
时钟频率 400MHz 400MHz - 400MHz - - 400MHz
写周期时间 - 字,页 15ns 15ns - 15ns - - 15ns
访问时间 400ps 400ps - 400ps - - 400ps
存储器接口 并联 并联 - 并联 - - 并联
电压 - 电源 1.55 V ~ 1.9 V 1.55 V ~ 1.9 V - 1.55 V ~ 1.9 V - - 1.55 V ~ 1.9 V
工作温度 0°C ~ 85°C(TC) 0°C ~ 85°C(TC) - 0°C ~ 85°C(TC) - - 0°C ~ 85°C(TC)
安装类型 表面贴装 表面贴装 - 表面贴装 - - 表面贴装
封装/外壳 60-TFBGA 60-TFBGA - 84-TFBGA - - 84-TFBGA
供应商器件封装 60-FBGA(8x10) 60-FBGA(8x10) - 84-FBGA(8x12.5) - - 84-FBGA(8x12.5)

 
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