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BY133TA

产品描述DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小315KB,共4页
制造商SMC
官网地址http://www.smc-diodes.com/
标准
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BY133TA概述

DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO41

BY133TA规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)1300V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 1A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 1300V
不同 Vr,F 时的电容15pF @ 4V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装DO-41
工作温度 - 结-65°C ~ 125°C

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BY133
Technical Data
Data Sheet N0551 Rev. B
BY133 1.0 SILICON RECTIFIER
Features
Diffused Junction
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
High Reliability
High Surge Current Capability
This is a Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional testing can be offered upon request
DO-41
Circuit Diagram
Mechanical Data
Case: molded plastic
Terminals: Plated leads, solderable per MIL-STD-
202, Method 208
Polarity: Cathode band
Mounting Position: Any
Weight:0.34 grams(approx)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%
.
Type Number
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average forward rectified output current
@T
A
= 75°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
@I
F
=1.0A
Peak Reverse Current
@T
A
= 25°C
At Rated DC Blocking Voltage @T
A
= 100°C
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 1)
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
RMS
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
BY133
1300
910
1.0
30
1.0
5.0
50
15
50
-65 to +125
-65 to +150
Units
V
V
A
A
V
µA
pF
°C/W
°C
°C
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com

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描述 DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO41 直流反向耐压(Vr):1.3kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V @ 1A
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