电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

TSF30L100C C0G

产品描述DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小242KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

TSF30L100C C0G概述

DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB

TSF30L100C C0G规格参数

参数名称属性值
二极管配置1 对共阴极
二极管类型肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)100V
电流 - 平均整流(Io)(每二极管)15A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf800mV @ 15A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流250µA @ 100V
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片
供应商器件封装ITO-220AB

文档预览

下载PDF文档
TSF30L100C - TSF30L200C
Taiwan Semiconductor
Trench Schottky Rectifier
FEATURES
- Patented Trench Schottky technology
- Excellent high temperature stability
- Low forward voltage
- Low power loss/ high efficiency
- High forward surge capability
- Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
ITO-220AB
TYPICAL APPLICATIONS
Trench Schottky barrier rectifier are designed for high frequency
miniature switched mode power supplies such as adapters, lighting
and on-board DC/DC converters.
MECHANICAL DATA
Case:
ITO-220AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
As marked
Mounting torque: 0.56 Nm max.
Weight:
1.7 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward
rectified current
per device
per diode
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
dV/dt
TYP
Instantaneous forward
voltage per diode (Note1)
I
F
= 15A
I
F
= 15A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
F
I
R
R
θJC
T
J
T
STG
0.73
0.64
-
7
MAX
0.80
0.70
250
25
4
- 55 to +150
- 55 to +150
TYP
0.80
0.67
-
4
TSF30L
100C
100
TSF30L
120C
120
30
15
160
10000
MAX
0.88
0.76
250
25
TYP
0.84
0.70
-
3
MAX
0.92
0.78
100
15
4.5
TYP
0.86
0.73
-
3
MAX
0.96
0.81
100
15
V
μA
mA
°C/W
°C
°C
TSF30L
150C
150
TSF30L
200C
200
UNIT
V
A
A
V/μs
Peak forward surge current, 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load per diode
Voltage rate of change (Rated V
R
)
Instantaneous reverse current per
diode at rated reverse voltage
Typical thermal resistance per diode
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with pulse width=300μs, 1% duty cycle
Document Number: DS_1411089
Version: B14

TSF30L100C C0G相似产品对比

TSF30L100C C0G TSF30L200CC0G TSF30L200C C0G TSF30L150C C0G TSF30L150CC0G
描述 DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
二极管类型 肖特基 RECTIFIER DIODE 肖特基 肖特基 RECTIFIER DIODE
二极管配置 1 对共阴极 - 1 对共阴极 1 对共阴极 -
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 100V - 200V 150V -
电流 - 平均整流(Io)(每二极管) 15A - 15A 15A -
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 800mV @ 15A - 960mV @ 15A 920mV @ 15A -
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) - 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) -
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 250µA @ 100V - 100µA @ 200V 100µA @ 150V -
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C - -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -
安装类型 通孔 - 通孔 通孔 -
封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片 - TO-220-3 全封装,隔离接片 TO-220-3 全封装,隔离接片 -
供应商器件封装 ITO-220AB - ITO-220AB ITO-220AB -
求大神:_SWAP_BYTES这个是干什么的?
突然看到了_SWAP_BYTES百度了一下 不知所云?...
成都回锅肉 微控制器 MCU
想从理论看起的以太网入门的朋友请进-入门资料指南
我想大家都认同在嵌入式的开发中,理论和实践是相辅相成的,对以太网的学习也不例外,掌握必要的理论基础知识是很有必要的,否则就如同云里雾里。有朋友问到需要看哪些资料,我就说说我个人的想 ......
academic 微控制器 MCU
运算放大器的反馈电阻值确定
如何确定运放的反馈电阻的数值 比如已经确定了放大倍数10,1k:10k或者10k:100k都是可以,有没有什么计算的方法 ...
wonderfully ADI 工业技术
【CLA调试点滴】MDEBUGSTOP的细节
C2000的CLA不支持断点调试,所以,只能在程序中加入MDEBUGSTOP来使CLA暂停。使用MDEBUGSTOP有几点应该注意: 1、在未连接CLA时,MDEBUGSTOP仅作为空操作指令使用,不影响程序的运行。 2、 ......
dontium 微控制器 MCU
【LPC54100】事件驱动之动态休眠管理(一)
本帖最后由 le062 于 2015-3-19 00:21 编辑 在单片机中,一般通过中断事件唤醒CPU,比如IO,AD,UART,TIMER等等。以如下代码为例: 指令A; __wfi(); 指令B; 当__wfi();被执行后,cpu ......
le062 NXP MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2875  2781  2371  1731  2598  5  34  6  18  23 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved