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TSF30L200C C0G

产品描述DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小242KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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TSF30L200C C0G概述

DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB

TSF30L200C C0G规格参数

参数名称属性值
二极管配置1 对共阴极
二极管类型肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流(Io)(每二极管)15A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf960mV @ 15A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100µA @ 200V
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片
供应商器件封装ITO-220AB

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TSF30L100C - TSF30L200C
Taiwan Semiconductor
Trench Schottky Rectifier
FEATURES
- Patented Trench Schottky technology
- Excellent high temperature stability
- Low forward voltage
- Low power loss/ high efficiency
- High forward surge capability
- Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
ITO-220AB
TYPICAL APPLICATIONS
Trench Schottky barrier rectifier are designed for high frequency
miniature switched mode power supplies such as adapters, lighting
and on-board DC/DC converters.
MECHANICAL DATA
Case:
ITO-220AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
As marked
Mounting torque: 0.56 Nm max.
Weight:
1.7 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward
rectified current
per device
per diode
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
dV/dt
TYP
Instantaneous forward
voltage per diode (Note1)
I
F
= 15A
I
F
= 15A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
F
I
R
R
θJC
T
J
T
STG
0.73
0.64
-
7
MAX
0.80
0.70
250
25
4
- 55 to +150
- 55 to +150
TYP
0.80
0.67
-
4
TSF30L
100C
100
TSF30L
120C
120
30
15
160
10000
MAX
0.88
0.76
250
25
TYP
0.84
0.70
-
3
MAX
0.92
0.78
100
15
4.5
TYP
0.86
0.73
-
3
MAX
0.96
0.81
100
15
V
μA
mA
°C/W
°C
°C
TSF30L
150C
150
TSF30L
200C
200
UNIT
V
A
A
V/μs
Peak forward surge current, 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load per diode
Voltage rate of change (Rated V
R
)
Instantaneous reverse current per
diode at rated reverse voltage
Typical thermal resistance per diode
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with pulse width=300μs, 1% duty cycle
Document Number: DS_1411089
Version: B14

TSF30L200C C0G相似产品对比

TSF30L200C C0G TSF30L200CC0G TSF30L100C C0G TSF30L150C C0G TSF30L150CC0G
描述 DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
二极管类型 肖特基 RECTIFIER DIODE 肖特基 肖特基 RECTIFIER DIODE
二极管配置 1 对共阴极 - 1 对共阴极 1 对共阴极 -
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V - 100V 150V -
电流 - 平均整流(Io)(每二极管) 15A - 15A 15A -
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 960mV @ 15A - 800mV @ 15A 920mV @ 15A -
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) - 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) -
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 100µA @ 200V - 250µA @ 100V 100µA @ 150V -
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C - -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -
安装类型 通孔 - 通孔 通孔 -
封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片 - TO-220-3 全封装,隔离接片 TO-220-3 全封装,隔离接片 -
供应商器件封装 ITO-220AB - ITO-220AB ITO-220AB -
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