Datasheet> 器件分类 > 逻辑> 逻辑> 74AUP2G00GS,115

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74AUP2G00GS,115: 产品描述IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON; 产品类别逻辑逻辑; 文件大小249KB，共22页; 制造商Nexperia; 官网地址https://www.nexperia.com; 标准

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74AUP2G00GS,115概述

IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON

74AUP2G00GS,115规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Nexperia
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Nexperia
零件包装代码	SON
包装说明	SON-8
针数	8
制造商包装代码	SOT1203
Reach Compliance Code	compliant
Samacsys Description	74AUP2G00 - Low-power dual 2-input NAND gate@en-us
系列	AUP/ULP/V
JESD-30 代码	R-PDSO-N8
JESD-609代码	e3
长度	1.35 mm
逻辑集成电路类型	NAND GATE
湿度敏感等级	1
功能数量	2
输入次数	2
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSON
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
传播延迟（tpd）	24.9 ns
座面最大高度	0.35 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	0.8 V
标称供电电压 (Vsup)	1.1 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.35 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	1 mm
Base Number Matches	1

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74AUP2G00

Rev. 10 — 3 July 2017

Low-power dual 2-input NAND gate

Product data sheet

General description

The 74AUP2G00 provides dual 2-input NAND function.

Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall

times across the entire V

range from 0.8 V to 3.6 V.

This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire

range from 0.8 V to 3.6 V.

This device is fully specified for partial power-down applications using I

OFF

. The I

OFF

circuitry disables the output, preventing a damaging backflow current through the device

when it is powered down.

Features and benefits

•

Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V

•

High noise immunity

•

Complies with JEDEC standards:

–

JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)

–

JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)

–

JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)

–

JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)

–

JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)

•

ESD protection:

–

HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 5 000 V

–

MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

–

CDM JESD22-C101E exceeds 1 000 V

•

Low static power consumption; I

= 0.9 μA (maximum)

•

Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD78 Class II

•

Inputs accept voltages up to 3.6 V

•

Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V

•

OFF

circuitry provides partial power-down mode operation

•

Multiple package options

•

Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C

74AUP2G00GS,115相似产品对比

	74AUP2G00GS,115	74AUP2G00GD,125	74AUP2G00GM,125	74AUP2G00GXX	74AUP2G00GF,115	74AUP2G00GT,115	74AUP2G00DC,125	74AUP2G00GN,115	74AUP2G00DC,115
描述	IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON	IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON	IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XQFN	IC GATE NAND 2CH 2-INP 8X2SON	IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON	IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON	IC GATE NAND 2CH 2-INP 8VSSOP	IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON	NAND Gate, AUP/ULP/V Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PDSO8
厂商名称	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia
包装说明	SON-8	VSON, SOLCC8,.11,20	QFN-8	HVBCC,	SON-8	VSON,	VSSOP-8	SON,	VSSOP,
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
系列	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V
JESD-30 代码	R-PDSO-N8	R-PDSO-N8	S-PQCC-N8	R-PBCC-B8	R-PDSO-N8	R-PDSO-N8	R-PDSO-G8	R-PDSO-N8	R-PDSO-G8
长度	1.35 mm	3 mm	1.6 mm	1.35 mm	1.35 mm	1.95 mm	2.3 mm	1.2 mm	2.3 mm
逻辑集成电路类型	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE
功能数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2
输入次数	2	2	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	8	8	8	8	8	8	8	8	8
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSON	VSON	VQCCN	HVBCC	VSON	VSON	VSSOP	SON	VSSOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
传播延迟（tpd）	24.9 ns	24.9 ns	24.9 ns	24.9 ns	24.9 ns	24.9 ns	24.9 ns	24.9 ns	24.9 ns
座面最大高度	0.35 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.35 mm	0.5 mm	0.5 mm	1 mm	0.35 mm	1 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V
标称供电电压 (Vsup)	1.1 V	1.1 V	1.2 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	BUTT	NO LEAD	NO LEAD	GULL WING	NO LEAD	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	QUAD	BOTTOM	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	1 mm	2 mm	1.6 mm	0.8 mm	1 mm	1 mm	2 mm	1 mm	2 mm
Brand Name	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	-
零件包装代码	SON	SON	QFN	-	SON	SON	SSOP	SON	-
针数	8	8	8	-	8	8	8	8	-
制造商包装代码	SOT1203	SOT996-2	SOT902-2	SOT1233	SOT1089	SOT833-1	SOT765-1	SOT1116	-
Samacsys Description	74AUP2G00 - Low-power dual 2-input NAND gate@en-us	-	74AUP2G00 - Low-power dual 2-input NAND gate@en-us	-	74AUP2G00 - Low-power dual 2-input NAND gate@en-us	74AUP2G00 - Low-power dual 2-input NAND gate@en-us	74AUP2G00 - Low-power dual 2-input NAND gate@en-us	74AUP2G00 - Low-power dual 2-input NAND gate@en-us	-
JESD-609代码	e3	e4	e4	-	e3	e3	e4	e3	-
湿度敏感等级	1	1	1	-	1	1	1	1	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	NOT SPECIFIED	-
端子面层	Tin (Sn)	NICKEL PALLADIUM GOLD	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Tin (Sn)	-
端子节距	0.35 mm	0.5 mm	0.5 mm	-	0.35 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.3 mm	0.5 mm
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	30	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	30	NOT SPECIFIED	-
Base Number Matches	1	1	1	-	1	1	1	1	1

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