datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 逻辑> 逻辑> 74AUP2G00GN,115
PDF数据手册
文档预览

74AUP2G00GN,115

产品描述IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小249KB，共22页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

74AUP2G00GN,115概述

IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON

74AUP2G00GN,115规格参数

参数名称属性值
Brand NameNexperia
厂商名称Nexperia
零件包装代码SON
包装说明SON,
针数8
制造商包装代码SOT1116
Reach Compliance Codecompliant
Samacsys Description74AUP2G00 - Low-power dual 2-input NAND gate@en-us
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码R-PDSO-N8
JESD-609代码e3
长度1.2 mm
逻辑集成电路类型NAND GATE
湿度敏感等级1
功能数量2
输入次数2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SON
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
传播延迟（tpd）24.9 ns
座面最大高度0.35 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.1 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.3 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度1 mm
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
74AUP2G00
Rev. 10 — 3 July 2017
Low-power dual 2-input NAND gate
Product data sheet
1
General description
The 74AUP2G00 provides dual 2-input NAND function.
Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall
times across the entire V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire
V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device is fully specified for partial power-down applications using I
OFF
. The I
OFF
circuitry disables the output, preventing a damaging backflow current through the device
when it is powered down.
2
Features and benefits
•
Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V
•
High noise immunity
•
Complies with JEDEC standards:
–
JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)
–
JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)
–
JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)
–
JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)
–
JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)
•
ESD protection:
–
HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 5 000 V
–
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
–
CDM JESD22-C101E exceeds 1 000 V
•
Low static power consumption; I
CC
= 0.9 μA (maximum)
•
Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD78 Class II
•
Inputs accept voltages up to 3.6 V
•
Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V
CC
•
I
OFF
circuitry provides partial power-down mode operation
•
Multiple package options
•
Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C

74AUP2G00GN,115相似产品对比

74AUP2G00GN,115 74AUP2G00GD,125 74AUP2G00GS,115 74AUP2G00GM,125 74AUP2G00GXX 74AUP2G00GF,115 74AUP2G00GT,115 74AUP2G00DC,125 74AUP2G00DC,115
描述 IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XQFN IC GATE NAND 2CH 2-INP 8X2SON IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON IC GATE NAND 2CH 2-INP 8VSSOP NAND Gate, AUP/ULP/V Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PDSO8
厂商名称 Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia
包装说明 SON, VSON, SOLCC8,.11,20 SON-8 QFN-8 HVBCC, SON-8 VSON, VSSOP-8 VSSOP,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
系列 AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V
JESD-30 代码 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 S-PQCC-N8 R-PBCC-B8 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
长度 1.2 mm 3 mm 1.35 mm 1.6 mm 1.35 mm 1.35 mm 1.95 mm 2.3 mm 2.3 mm
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE
功能数量 2 2 2 2 2 2 2 2 2
输入次数 2 2 2 2 2 2 2 2 2
端子数量 8 8 8 8 8 8 8 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SON VSON VSON VQCCN HVBCC VSON VSON VSSOP VSSOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
传播延迟（tpd） 24.9 ns 24.9 ns 24.9 ns 24.9 ns 24.9 ns 24.9 ns 24.9 ns 24.9 ns 24.9 ns
座面最大高度 0.35 mm 0.5 mm 0.35 mm 0.5 mm 0.35 mm 0.5 mm 0.5 mm 1 mm 1 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V
标称供电电压 (Vsup) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.2 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD BUTT NO LEAD NO LEAD GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL QUAD BOTTOM DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 1 mm 2 mm 1 mm 1.6 mm 0.8 mm 1 mm 1 mm 2 mm 2 mm
Brand Name Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia -
零件包装代码 SON SON SON QFN - SON SON SSOP -
针数 8 8 8 8 - 8 8 8 -
制造商包装代码 SOT1116 SOT996-2 SOT1203 SOT902-2 SOT1233 SOT1089 SOT833-1 SOT765-1 -
Samacsys Description 74AUP2G00 - Low-power dual 2-input NAND gate@en-us - 74AUP2G00 - Low-power dual 2-input NAND gate@en-us 74AUP2G00 - Low-power dual 2-input NAND gate@en-us - 74AUP2G00 - Low-power dual 2-input NAND gate@en-us 74AUP2G00 - Low-power dual 2-input NAND gate@en-us 74AUP2G00 - Low-power dual 2-input NAND gate@en-us -
JESD-609代码 e3 e4 e3 e4 - e3 e3 e4 -
湿度敏感等级 1 1 1 1 - 1 1 1 -
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 260 -
端子面层 Tin (Sn) NICKEL PALLADIUM GOLD Tin (Sn) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) - Tin (Sn) Tin (Sn) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) -
端子节距 0.3 mm 0.5 mm 0.35 mm 0.5 mm - 0.35 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 30 -
Base Number Matches 1 1 1 1 - 1 1 1 1

推荐资源

稳流，稳压式晶体管放大器电源的稳压电路图

可输出安培级电流的升压电路

MAX660振荡频率外接电容进行调整改变方法电路图

使用电流控制型磁放大器的3路稳压电源电路图

高压报警器

红外测湿仪前置放大电路

CCS5中定义全局变量无法预设初值，请问如何解决？
使用以下语句定义了一个全局变量，但是仿真后查看RAM相应位置都不是预设好的初值而是随机值，请问这个应该怎么办？ Uint16 test=233; 查看内存并非该值。 现在想写液晶字库，定义了一堆CON ......
ccen3020 微控制器 MCU
招聘电子工程师注册类的
我公司现在急招一名电子工程师（电子信息，广播电视电影），电动控制中高级职称。 费用可谈，联系人：刘工，电话：15110022612，QQ：1480984099...
guakao014 求职招聘
【单片机技术资料汇总】
《不需要或者已经有的朋友可以略过。文件格式：PDF》 《我会按此顺序发上来》 1 51单片机_C语言入门教程 23页 2 C51单片机C语言编程基础和实例 42页 3 单片机红外控制发射器设计 47页 4 单 ......
szwbrf1 单片机
STM8S105S6最多能做几路占空比独立可调的PWM？
如题，频率固定...
hantoufool stm32/stm8
一周精彩回顾：2018.5.21-5.27
精彩回顾时间到了，快来看看上周都有什么精彩帖子和活动出现吧！ 精彩帖子推荐： @cruelfox 好久没动烙铁了，来个搭棚焊 https://12.eewimg.cn/bbs/data/attachment/forum/201805/21/0 ......
okhxyyo 聊聊、笑笑、闹闹
F28069M launchpad到手~~~
哈哈，看到ti新出来的28069launchpad，实在是忍不住，买了！:loveliness: 我自己的板子其实也很好的对吧！:pleased: 可是。。 我就是忍不住。。:time: 话不多说，上图。 1.28069 ......
nemo1991 微控制器 MCU
器件捷径:   A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

  1. 4612H-701-103/121L
  2. SIT9001AI-13-33E3-2000000T
  3. 88797-730
  4. 91276-229HLF
  5. FVX1.25-N3A
  6. ABL2-FREQ-R40-N-7-G-F-QXX-TY
  7. BA6296FPE1
  8. CD54HCT365F
  9. MB6F-10_R2_00001
  10. PJS6602_S2_00001
  11. SMA22CA
  12. A3501WRE-F-2P-NAT-G15

开源项目推荐更多

  1. LTC6800 的典型应用 - 轨至轨、输入和输出、仪表放大器
  2. 使用 Microchip Technology 的 MIC94300YCS 的参考设计
  3. 基于i.MX 6系列的车载信息娱乐系统SABRE
  4. ADP2120 降压稳压器评估板
  5. ADR530A 3V 输出高精度并联模式电压基准的典型应用
  6. 用于白光 LED 驱动器的 TB62752BFUG 升压型 DC/DC 转换器的典型应用
  7. LTC3886IUKG 具有检测电阻器的高效率、250kHz、3 相、2.5V Plus、1 相 5V 降压转换器的典型应用电路
  8. DC711A-C，使用 LT3468ES5-2 闪光灯电容器充电器高压电源的演示板，Vin = 2.5V-8V，Vout = 320V，ISW - PK = 1.0A
  9. 用于 SMPS 的 L6566BTR 多模式控制器的典型低成本应用
  10. ADA4830-1BCP-EBZ，ADA4830-1高速差动放大器评估板

热门活动更多

  1. 填问卷赢好礼 | 想学电源设计？来MPS小课堂！
  2. 【大家咋用AI的】版块上线啦~欢迎来聊聊你的AI开发经验，有好礼
  3. 【回帖赢50元京东卡】模拟电子与储能解决方案大讨论（4月新活动）
  4. 与Digikey得捷一起解锁【ADI 超紧凑型超低功耗边缘AI开发板MAX78000FTHR】超能力，Follow me第四季第1期报名中！
  5. DigiKey得捷应用探索站 | 模拟电子与储能解决方案
  6. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  7. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  8. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  9. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验
  10. MPS 机器人模块设计大赛报名重磅开启，锻造硬实力，让想法照进现实！

热门文章更多

  1. 51单片机-串口&EEPROM
  2. TI 推出无需编程无传感器磁场定向控制梯形控制BLDC电机驱动
  3. 小白学习HC-05蓝牙透传模块
  4. STM32F429--按键检测
  5. 华为将推出国产自研内核浏览器
  6. 电磁流量计自确诊信息与毛病处理
  7. 万用表运用和保护的留心事项
  8. MSP430 G2553 低功耗模式LPMx
  9. 恩智浦推出新一代安全高能效i.MX 91系列，为广泛的边缘应用扩展Linux功能

技术资料推荐更多

  1. 单相非隔离型光伏并网逆变器的研究
  2. 一种直流电源转换电路的研究和设计
  3. A novel delta-sigma modulated DC-DC power converter utilizing dither signal
  4. 一个美国高手写的有源嵌位正反激
  5. 5G试验网及规模建设经验分享-湖北
  6. 安富莱_STM32-V7开发板_LwIP V2.X网络教程
  7. Protel调用EWB网络表的电路布线实现方法
  8. 反激电源的控制环路设计
  9. 一种有效的反激钳位电路设计方法
  10. 单级功率因数校正(PFC)变换器的设计

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2911  521  2248  1658  2281  18  7  8  56  44 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved