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74HCT20N,652

产品描述IC GATE NAND 2CH 4-INP 14DIP
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小150KB,共16页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74HCT20N,652概述

IC GATE NAND 2CH 4-INP 14DIP

74HCT20N,652规格参数

参数名称属性值
Brand NameNXP Semiconductor
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP14,.3
针数14
制造商包装代码SOT27-1
Reach Compliance Codecompliant
系列HCT
JESD-30 代码R-PDIP-T14
JESD-609代码e4
长度19.025 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.0052 A
功能数量2
输入次数4
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
包装方法BULK PACK
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup42 ns
传播延迟(tpd)42 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度4.2 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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74HC20; 74HCT20
Dual 4-input NAND gate
Rev. 3 — 3 September 2012
Product data sheet
1. General description
The 74HC20; 74HCT20 is a dual 4-input NAND gate. Inputs include clamp diodes. This
enables the use of current limiting resistors to interface inputs to voltages in excess of
V
CC
.
2. Features and benefits
Complies with JEDEC standard JESD7A
Low-power dissipation
Input levels:
For 74HC20: CMOS level
For 74HCT20: TTL level
ESD protection:
HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
Multiple package options
Specified from
40 C
to +80
C
and from
40 C
to +125
C.
3. Ordering information
Table 1.
Ordering information
Package
Temperature range
74HC20N
74HCT20N
74HC20D
74HCT20D
74HC20DB
74HCT20DB
74HC20PW
74HCT20PW
40 C
to +125
C
TSSOP14
40 C
to +125
C
SSOP14
40 C
to +125
C
SO14
plastic small outline package; 14 leads; body width
3.9 mm
plastic shrink small outline package; 14 leads; body
width 5.3 mm
plastic thin shrink small outline package; 14 leads;
body width 4.4 mm
SOT108-1
SOT337-1
SOT402-1
40 C
to +125
C
Name
DIP14
Description
plastic dual in-line package; 14 leads (300 mil)
Version
SOT27-1
Type number

74HCT20N,652相似产品对比

74HCT20N,652 74HC20N,652 74HCT20PW-T
描述 IC GATE NAND 2CH 4-INP 14DIP IC GATE NAND 2CH 4-INP 14DIP IC HCT SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, PDSO14, Gate
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 TSSOP,
Reach Compliance Code compliant compliant unknown
系列 HCT HC/UH HCT
JESD-30 代码 R-PDIP-T14 R-PDIP-T14 R-PDSO-G14
长度 19.025 mm 19.025 mm 5 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE
功能数量 2 2 2
输入次数 4 4 4
端子数量 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP TSSOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
传播延迟(tpd) 42 ns 27 ns 42 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.2 mm 4.2 mm 1.1 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 6 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 2 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 4.4 mm
Brand Name NXP Semiconductor NXP Semiconductor -
是否Rohs认证 符合 符合 -
零件包装代码 DIP DIP -
针数 14 14 -
制造商包装代码 SOT27-1 SOT27-1 -
最大I(ol) 0.0052 A 0.004 A -
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3 -
包装方法 BULK PACK BULK PACK -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 -
电源 5 V 2/6 V -
Prop。Delay @ Nom-Sup 42 ns 27 ns -
施密特触发器 NO NO -
端子面层 NICKEL PALLADIUM GOLD NICKEL/PALLADIUM/GOLD (NI/PD/AU) -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 -
Base Number Matches 1 1 -
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