IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | TFBGA, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B63 |
| 长度 | 10 mm |
| 内存密度 | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 63 |
| 字数 | 536870912 words |
| 字数代码 | 512000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512MX4 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 8 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| MT47H512M4THN-25E:M | MT47H512M4THN-25E:M TR | |
|---|---|---|
| 描述 | IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| 技术 | CMOS | SDRAM - DDR2 |
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