电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

MT47H512M4THN-25E:M TR

产品描述IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
产品类别存储   
文件大小314KB,共13页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MT47H512M4THN-25E:M TR概述

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

MT47H512M4THN-25E:M TR规格参数

参数名称属性值
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR2
存储容量2Gb (512M x 4)
时钟频率400MHz
写周期时间 - 字,页15ns
访问时间400ps
存储器接口并联
电压 - 电源1.7 V ~ 1.9 V
工作温度0°C ~ 85°C(TC)
安装类型表面贴装
封装/外壳63-TFBGA
供应商器件封装63-FBGA(8x10)

MT47H512M4THN-25E:M TR相似产品对比

MT47H512M4THN-25E:M TR MT47H512M4THN-25E:M
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
技术 SDRAM - DDR2 CMOS

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 374  433  454  822  1155 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved