AM42DL1632DT70IT,AM42DL1632DT70IT pdf中文资料,AM42DL1632DT70IT引脚图,AM42DL1632DT70IT电路-Datasheet-电子工程世界

AM42DL1632DT70IT: 产品描述Am29DL16xD 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory and 2 Mbit (128 K x 16-Bit) Static RAM; 产品类别存储存储; 文件大小638KB，共128页; 制造商AMD(超微); 官网地址http://www.amd.com

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AM42DL1632DT70IT概述

Am29DL16xD 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory and 2 Mbit (128 K x 16-Bit) Static RAM

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	AMD(超微)
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA, BGA69,10X10,32
针数	69
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	70 ns
其他特性	SRAM ORGANISATION IS 128K X 16; FLASH IS ALSO CONFIGURABLE AS 2M X 8
JESD-30 代码	R-PBGA-B69
JESD-609代码	e0
长度	11 mm
内存密度	16777216 bi
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
混合内存类型	FLASH+SRAM
功能数量	1
端子数量	69
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA69,10X10,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大待机电流	0.000002 A
最大压摆率	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm

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