MUR1010FCT,MUR1010FCT pdf中文资料,MUR1010FCT引脚图,MUR1010FCT电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MUR1010FCT

MUR1010FCT: 产品描述Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes 超快恢复整流二极管; 产品类别分立半导体; 文件大小99KB，共2页; 制造商扬杰科技(YANGJIE); 官网地址http://www.21yangjie.com/; 标准; 扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日，注册资本4.72亿元人民币。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市，股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

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MUR1010FCT概述

Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes 超快恢复整流二极管

功能特点

产品名称：Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes 超快恢复整流二极管

产品型号：MUR1010FCT

产品特征：

Io ：10.0A

VRRM ：100V-600V

玻璃钝化芯片 Glass passivated chip

耐正向浪涌电流能力高

High surge forward current capability

用途：

快速整流用

High speed switching

产品数据：

Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 反向重复峰值电压：100V

Average Forward Current IF(AV) 正向平均电流：10A

Surge(Non-repetitive)Forward Current IFSM 正向（不重复）浪涌电流：55A

Current Squared Time I^2*t 正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续时间的积分值：12 A^2*S

Junction Temperature TJ 结温：-55 to +150 ℃

Storage Temperature TSTG储存温度：-55 to +175 ℃

Peak Forward Voltage (IFM=5.0A) VFM 正向峰值电压：0.95V

Peak Reverse Current (VRM=VRRM) IRRM1 (Ta=25℃) 反向峰值电流：10μA

IRRM2 (Ta=125℃) 反向峰值电流：500μA

Reverse Recovery time (IF=0.5A, IR=1A, IRR=0.25A) trr 反向恢复时间：35ns

Thermal Resistance (Typical) RθJ-C 热阻（典型）：2.0 ℃/W

封装： ITO-220AB

MUR1010FCT规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.95 V
最大非重复峰值正向电流	55 A
最高工作温度	175 °C
最大输出电流	10 A
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向恢复时间	0.035 µs
表面贴装	NO
Base Number Matches	1

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