256Kx36 & 512Kx18 SRAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | HBGA, BGA119,7X17,50 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 最长访问时间 | 2 ns |
| 其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 22 mm |
| 内存密度 | 9437184 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 36 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 119 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256KX36 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HBGA |
| 封装等效代码 | BGA119,7X17,50 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 1.5,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.06 A |
| 最小待机电流 | 3.15 V |
| 最大压摆率 | 0.55 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 14 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| K7P803611M-H21 | K7P801811M | K7P803611M-H25 | K7P803611M | K7P803611M-H20 | K7P801811M-H25 | K7P801811M-H21 | K7P801811M-H20 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| 是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 | - | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | HBGA, BGA119,7X17,50 | - | HBGA, BGA119,7X17,50 | - | HBGA, BGA119,7X17,50 | HBGA, BGA119,7X17,50 | HBGA, BGA119,7X17,50 | HBGA, BGA119,7X17,50 |
| Reach Compliance Code | compli | - | compli | - | compli | compli | compli | compli |
| 最长访问时间 | 2 ns | - | 2 ns | - | 2.5 ns | 2 ns | 2 ns | 2.5 ns |
| 其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED | - | PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED | - | PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED | PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED | PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED | PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON | - | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 | - | R-PBGA-B119 | - | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | - | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 22 mm | - | 22 mm | - | 22 mm | 22 mm | 22 mm | 22 mm |
| 内存密度 | 9437184 bi | - | 9437184 bi | - | 9437184 bi | 9437184 bi | 9437184 bi | 9437184 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | - | STANDARD SRAM | - | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 36 | - | 36 | - | 36 | 18 | 18 | 18 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 119 | - | 119 | - | 119 | 119 | 119 | 119 |
| 字数 | 262144 words | - | 262144 words | - | 262144 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
| 字数代码 | 256000 | - | 256000 | - | 256000 | 512000 | 512000 | 512000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 256KX36 | - | 256KX36 | - | 256KX36 | 512KX18 | 512KX18 | 512KX18 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HBGA | - | HBGA | - | HBGA | HBGA | HBGA | HBGA |
| 封装等效代码 | BGA119,7X17,50 | - | BGA119,7X17,50 | - | BGA119,7X17,50 | BGA119,7X17,50 | BGA119,7X17,50 | BGA119,7X17,50 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG | - | GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG | - | GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG | GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG | GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG | GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 1.5,3.3 V | - | 1.5,3.3 V | - | 1.5,3.3 V | 1.5,3.3 V | 1.5,3.3 V | 1.5,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.2 mm | - | 2.2 mm | - | 2.2 mm | 2.2 mm | 2.2 mm | 2.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.06 A | - | 0.06 A | - | 0.06 A | 0.06 A | 0.06 A | 0.06 A |
| 最小待机电流 | 3.15 V | - | 3.15 V | - | 3.15 V | 3.15 V | 3.15 V | 3.15 V |
| 最大压摆率 | 0.55 mA | - | 0.6 mA | - | 0.55 mA | 0.55 mA | 0.5 mA | 0.5 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V | - | 3.45 V | - | 3.45 V | 3.45 V | 3.45 V | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V | - | 3.15 V | - | 3.15 V | 3.15 V | 3.15 V | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | - | 3.3 V | - | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES | - | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL | - | BALL | - | BALL | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 1.27 mm | - | 1.27 mm | - | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM | - | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 14 mm | - | 14 mm | - | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 |
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