K7P803611M-H25,K7P803611M-H25 pdf中文资料,K7P803611M-H25引脚图,K7P803611M-H25电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K7P803611M-H25

K7P803611M-H25: 产品描述256Kx36 & 512Kx18 SRAM; 产品类别存储存储; 文件大小212KB，共13页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K7P803611M-H25概述

256Kx36 & 512Kx18 SRAM

K7P803611M-H25规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	HBGA, BGA119,7X17,50
Reach Compliance Code	compli
最长访问时间	2 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	9437184 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	119
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HBGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.5,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.2 mm
最大待机电流	0.06 A
最小待机电流	3.15 V
最大压摆率	0.6 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

K7P803611M-H25相似产品对比

	K7P803611M-H25	K7P801811M	K7P803611M	K7P803611M-H21	K7P803611M-H20	K7P801811M-H25	K7P801811M-H21	K7P801811M-H20
描述	256Kx36 & 512Kx18 SRAM	256Kx36 & 512Kx18 SRAM	256Kx36 & 512Kx18 SRAM	256Kx36 & 512Kx18 SRAM	256Kx36 & 512Kx18 SRAM	256Kx36 & 512Kx18 SRAM	256Kx36 & 512Kx18 SRAM	256Kx36 & 512Kx18 SRAM
是否无铅	含铅	-	-	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	-	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	HBGA, BGA119,7X17,50	-	-	HBGA, BGA119,7X17,50	HBGA, BGA119,7X17,50	HBGA, BGA119,7X17,50	HBGA, BGA119,7X17,50	HBGA, BGA119,7X17,50
Reach Compliance Code	compli	-	-	compli	compli	compli	compli	compli
最长访问时间	2 ns	-	-	2 ns	2.5 ns	2 ns	2 ns	2.5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED	-	-	PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED	PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED	PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED	PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED	PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED
I/O 类型	COMMON	-	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	-	-	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0	-	-	e0	e0	e0	e0	e0
长度	22 mm	-	-	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	9437184 bi	-	-	9437184 bi	9437184 bi	9437184 bi	9437184 bi	9437184 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	-	-	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	36	-	-	36	36	18	18	18
功能数量	1	-	-	1	1	1	1	1
端子数量	119	-	-	119	119	119	119	119
字数	262144 words	-	-	262144 words	262144 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	256000	-	-	256000	256000	512000	512000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	-	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX36	-	-	256KX36	256KX36	512KX18	512KX18	512KX18
输出特性	3-STATE	-	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HBGA	-	-	HBGA	HBGA	HBGA	HBGA	HBGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50	-	-	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	-	-	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
并行/串行	PARALLEL	-	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	1.5,3.3 V	-	-	1.5,3.3 V	1.5,3.3 V	1.5,3.3 V	1.5,3.3 V	1.5,3.3 V
认证状态	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.2 mm	-	-	2.2 mm	2.2 mm	2.2 mm	2.2 mm	2.2 mm
最大待机电流	0.06 A	-	-	0.06 A	0.06 A	0.06 A	0.06 A	0.06 A
最小待机电流	3.15 V	-	-	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
最大压摆率	0.6 mA	-	-	0.55 mA	0.55 mA	0.55 mA	0.5 mA	0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V	-	-	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	-	-	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	-	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	-	-	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	-	-	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	-	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	-	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	-	-	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	1	-	-	1	1	1	1	1

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