IFN412: 产品描述JFET N-Ch -20V JFET -5Vgs 10mA 375mW 3mW; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小462KB，共1页; 制造商InterFET; 官网地址http://www.interfet.com/; 标准

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IFN412概述

JFET N-Ch -20V JFET -5Vgs 10mA 375mW 3mW

IFN412规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	InterFET
产品种类 Product Category	JFET
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-71-6
Transistor Polarity	N-Channel
Configuration	Dual
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 40 V
Drain-Source Current at Vgs=0	5 mA
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	375 mW
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 125 C
系列 Packaging	Bulk
Forward Transconductance - Min	1 mS
Gate-Source Cutoff Voltage	- 3.5 V
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1

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8/2014

IFN410, IFN411, IFN412

N-Channel Matched Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor

∙

Improved Replacements for the

U410, U411, & U412

Low Noise Differential Amplifier

Differential Amplifier

Wide-Band Amplifier

Min

-40

Absolute maximum ratings at T

= 25

Reverse Gate Source & Gate Drain Voltage

-40V

Continuous Forward Gate Current

50 mA

Continuous Device Power Dissipation

375 mW

Power Derating

3.0 mW/

Operating Temperature Range

-55°C to +125°C

Storage Temperature Range

-65

C to +150

410, 411, 412

Typ

Max

At 25

C free air temperature

Static Electrical Characteristics

Gate Source Breakdown

Voltage

Gate Reverse Current

Gate Source Cutoff Voltage

Gate Source Voltage

Drain Saturation Current

(pulsed)

Gate Current

Process NJ16

Unit

Test Conditions

= -1uA

, V

= 0 V

= -30 V, V

= 0 V

= 20 V, I

= 1 nA

= 20 V, I

= 200 uA

= 20 V, V

= 0 V

= 10 V, I

= 200 uA

= 20 V, V

= 0 V

= 20 V, I

= 200 uA

= 20 V, V

= 0 V

= 20 V, I

= 200 uA

f=1

kHz

f=1

kHz

f=1

= 20V, V

= 0 V

MHz

f=1

= 20 V, V

= 0 V

MHz

f = 100

= 20 V, I

= 200uA

(BR)GSS

GSS

GS(OFF)

DSS

-0.5

-0.2

0.5

-0.2

-3.5

-3

-200

Dynamic Electrical Characteristics

Common-Source Forward

Transconductance

Common-Source Output

Conductance

Common-Source Input

iss

Capacitance

Common-Source Reverse

rss

Transfer Capacitance

Equivalent Short Circuit Input

Noise Voltage

0.6

1.2

4.5

1.2

410

nV/√Hz

412

Matching Characteristics

Differential Gate-Source Voltage

Differential Gate Source Voltage

with Temperature

Common Mode Rejection Rate

│V

GS1

-V

GS2

│

Δ│V

GS1

-V

GS2

│

ΔT

CMRR (typ)

411

Units

μV/°C

Test Conditions

= 20 V, I

= -200 uA

= 20 V, I

= 200 μA

25°C to 85°C

= 10 V to V

= 20 V

= 200 uA

SOIC-8 Package

Pin Configuration

TO-71

IFN410, IFN 411, IFN 412,

Dimensions in Inches (mm)

Pin Configuration

1-S1, 2-D1, 3-G1,

4-S2, 5-D2, 6-G2

SMPU410, SMPU411, 1-G1, 2-D1, 3-S1, 4-G2,

SMPU412

5-G2, 6-D2, 7-S2, 8-G1

715 N. Glenville Dr., Ste. 400

Richardson, TX 75081

(972) 238-9700 Fax (972) 238-5338

www.interfet.com

IFN412相似产品对比

	IFN412	IFN411	IFN410
描述	JFET N-Ch -20V JFET -5Vgs 10mA 375mW 3mW	JFET Dual JFET N-CH -40V 50mA 375mW 3.0mW	JFET N-Ch -40V JFET -0.5 50mA 375mW -0.2Vgs
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	-
制造商 Manufacturer	InterFET	InterFET	-
产品种类 Product Category	JFET	JFET	-
RoHS	Details	Details	-
技术 Technology	Si	Si	-
安装风格 Mounting Style	Through Hole	Through Hole	-
封装 / 箱体 Package / Case	TO-71-6	TO-71-6	-
Transistor Polarity	N-Channel	N-Channel	-
Configuration	Dual	Dual	-
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 40 V	- 40 V	-
Drain-Source Current at Vgs=0	5 mA	5 mA	-
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	375 mW	375 mW	-
系列 Packaging	Bulk	Bulk	-
Forward Transconductance - Min	1 mS	0.6 mS	-
Gate-Source Cutoff Voltage	- 3.5 V	- 3.5 V	-
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1	1	-

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