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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> IFN411
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IFN411

产品描述JFET Dual JFET N-CH -40V 50mA 375mW 3.0mW
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小462KB，共1页
制造商InterFET
官网地址http://www.interfet.com/
标准
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IFN411概述

JFET Dual JFET N-CH -40V 50mA 375mW 3.0mW

IFN411规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer		InterFET
产品种类
Product Category		JFET
RoHSDetails
技术
Technology		Si
安装风格
Mounting Style		Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case		TO-71-6
Transistor PolarityN-Channel
ConfigurationDual
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage- 40 V
Drain-Source Current at Vgs=05 mA
Id - Continuous Drain Current200 uA
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation		375 mW
系列
Packaging		Bulk
类型
Type		JFET
Forward Transconductance - Min0.6 mS
Gate-Source Cutoff Voltage- 3.5 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		1

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8/2014
IFN410, IFN411, IFN412
N-Channel Matched Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor
∙
∙
∙
∙
Improved Replacements for the
U410, U411, & U412
Low Noise Differential Amplifier
Differential Amplifier
Wide-Band Amplifier
Min
-40
Absolute maximum ratings at T
A
= 25
o
C
Reverse Gate Source & Gate Drain Voltage
-40V
Continuous Forward Gate Current
50 mA
Continuous Device Power Dissipation
375 mW
Power Derating
3.0 mW/
o
C
Operating Temperature Range
-55°C to +125°C
Storage Temperature Range
-65
o
C to +150
o
C
410, 411, 412
Typ
Max
At 25
o
C free air temperature
Static Electrical Characteristics
Gate Source Breakdown
Voltage
Gate Reverse Current
Gate Source Cutoff Voltage
Gate Source Voltage
Drain Saturation Current
(pulsed)
Gate Current
Process NJ16
Unit
V
nA
V
V
mA
pA
Test Conditions
I
G
= -1uA
, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 20 V, I
D
= 1 nA
V
DS
= 20 V, I
D
= 200 uA
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V, I
D
= 200 uA
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, I
D
= 200 uA
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, I
D
= 200 uA
f=1
kHz
f=1
kHz
f=1
V
DS
= 20V, V
GS
= 0 V
MHz
f=1
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
MHz
f = 100
V
DS
= 20 V, I
D
= 200uA
Hz
V
(BR)GSS
I
GSS
V
GS(OFF)
V
GS
I
DSS
I
G
-0.5
-0.2
0.5
-0.2
-3.5
-3
5
-200
Dynamic Electrical Characteristics
Common-Source Forward
g
fs
Transconductance
Common-Source Output
g
os
Conductance
Common-Source Input
C
iss
Capacitance
Common-Source Reverse
C
rss
Transfer Capacitance
Equivalent Short Circuit Input
~e
N
Noise Voltage
1
0.6
4
1.2
20
5
4.5
1.2
mS
uS
pF
pF
50
410
10
10
80
nV/√Hz
412
40
80
70
Matching Characteristics
Differential Gate-Source Voltage
Differential Gate Source Voltage
with Temperature
Common Mode Rejection Rate
│V
GS1
-V
GS2
│
Δ│V
GS1
-V
GS2
│
ΔT
CMRR (typ)
411
20
25
80
Units
mV
μV/°C
dB
Test Conditions
V
DG
= 20 V, I
D
= -200 uA
V
DG
= 20 V, I
D
= 200 μA
25°C to 85°C
V
DD
= 10 V to V
DD
= 20 V
I
D
= 200 uA
SOIC-8 Package
Pin Configuration
TO-71
:
IFN410, IFN 411, IFN 412,
Dimensions in Inches (mm)
Pin Configuration
1-S1, 2-D1, 3-G1,
4-S2, 5-D2, 6-G2
SMPU410, SMPU411, 1-G1, 2-D1, 3-S1, 4-G2,
SMPU412
5-G2, 6-D2, 7-S2, 8-G1
715 N. Glenville Dr., Ste. 400
Richardson, TX 75081
(972) 238-9700 Fax (972) 238-5338
www.interfet.com

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IFN411 IFN412 IFN410
描述 JFET Dual JFET N-CH -40V 50mA 375mW 3.0mW JFET N-Ch -20V JFET -5Vgs 10mA 375mW 3mW JFET N-Ch -40V JFET -0.5 50mA 375mW -0.2Vgs
Product Attribute Attribute Value Attribute Value -
制造商
Manufacturer		 InterFET InterFET -
产品种类
Product Category		 JFET JFET -
RoHS Details Details -
技术
Technology		 Si Si -
安装风格
Mounting Style		 Through Hole Through Hole -
封装 / 箱体
Package / Case		 TO-71-6 TO-71-6 -
Transistor Polarity N-Channel N-Channel -
Configuration Dual Dual -
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage - 40 V - 40 V -
Drain-Source Current at Vgs=0 5 mA 5 mA -
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation		 375 mW 375 mW -
系列
Packaging		 Bulk Bulk -
Forward Transconductance - Min 0.6 mS 1 mS -
Gate-Source Cutoff Voltage - 3.5 V - 3.5 V -
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		 1 1 -

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