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AT93C86AY6-10YH-1.8

产品描述1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8
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文件大小711KB,共18页
制造商Atmel (Microchip)
标准
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AT93C86AY6-10YH-1.8概述

1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8

1K × 16 总线串行电可擦除只读存储器, DSO8

AT93C86AY6-10YH-1.8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码SON
包装说明2 X 3 MM, 0.50 MM PITCH, GREEN, MO-229, MLP-8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
备用内存宽度8
数据保留时间-最小值100
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-XDSO-N8
JESD-609代码e4
长度3 mm
内存密度16384 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量8
字数1024 words
字数代码1000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1KX16
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码VSON
封装等效代码SOLCC8,.11,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.6 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流1e-7 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度2 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护SOFTWARE

AT93C86AY6-10YH-1.8相似产品对比

AT93C86AY6-10YH-1.8 AT93C86A-10PU-1.8 AT93C86A-10PU-2.7 AT93C86A_07 AT93C86A-10TU-1.8 AT93C86AY1-10YU-1.8 AT93C86A-W1.8-11 AT93C86A-10SU-1.8 AT93C86A-10TU-2.7 AT93C86A-10SU-2.7
描述 1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8 1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
组织 1KX16 1KX16 1KX16 1K X 16 1KX16 1KX16 1KX16 1KX16 1KX16 1KX16
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING NO LEAD NO LEAD GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL UPPER DUAL DUAL DUAL
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 - 符合 符合 - 符合 符合 符合
厂商名称 Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) - Atmel (Microchip) - - Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) Atmel (Microchip)
零件包装代码 SON DIP DIP - TSSOP MSOP DIE SOIC TSSOP SOIC
包装说明 2 X 3 MM, 0.50 MM PITCH, GREEN, MO-229, MLP-8 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 - TSSOP, TSSOP8,.25 VSON, SOLCC8,.2,25 DIE, SOP, SOP8,.25 TSSOP, TSSOP8,.25 SOP, SOP8,.25
针数 8 8 8 - 8 8 - 8 8 8
Reach Compliance Code unknow compli compli - compli compli unknow compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
备用内存宽度 8 8 8 - 8 8 8 8 8 8
数据保留时间-最小值 100 100 100 - 100 100 - 100 100 100
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles - 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles - 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-XDSO-N8 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 - R-PDSO-G8 R-XDSO-N8 X-XUUC-N R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 e3 e3 - e3 e3 - e3 e3 e3
长度 3 mm 9.271 mm 9.271 mm - 4.4 mm 4.9 mm - 4.9 mm 4.4 mm 4.9 mm
内存密度 16384 bi 16384 bi 16384 bi - 16384 bi 16384 bi 16384 bi 16384 bi 16384 bi 16384 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM - EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
端子数量 8 8 8 8 8 8 - 8 8 8
字数 1024 words 1024 words 1024 words - 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000 1000 - 1000 1000 1000 1000 1000 1000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C - 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VSON DIP DIP - TSSOP VSON DIE SOP TSSOP SOP
封装等效代码 SOLCC8,.11,20 DIP8,.3 DIP8,.3 - TSSOP8,.25 SOLCC8,.2,25 - SOP8,.25 TSSOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR UNSPECIFIED RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE IN-LINE IN-LINE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE UNCASED CHIP SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL SERIAL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - 260 260 - 260 260 260
电源 2/5 V 2/5 V 3/5 V - 2/5 V 2/5 V - 2/5 V 3/5 V 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 0.6 mm 5.334 mm 5.334 mm - 1.2 mm 0.9 mm - 1.75 mm 1.2 mm 1.75 mm
串行总线类型 MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE - MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE
最大待机电流 1e-7 A 1e-7 A 0.00001 A - 1e-7 A 1e-7 A - 1e-7 A 0.00001 A 0.00001 A
最大压摆率 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA - 0.002 mA 0.002 mA - 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 2.7 V - 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 5 V - 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO - YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - annealed - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子节距 0.5 mm 2.54 mm 2.54 mm - 0.65 mm 0.65 mm - 1.27 mm 0.65 mm 1.27 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - 40 40 - 40 40 40
宽度 2 mm 7.62 mm 7.62 mm - 3 mm 3 mm - 3.9 mm 3 mm 3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms 10 ms - 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms
写保护 SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE - SOFTWARE SOFTWARE - SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE

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