AT93C86A-10PU-1.8,AT93C86A-10PU-1.8 pdf中文资料,AT93C86A-10PU-1.8引脚图,AT93C86A-10PU-1.8电路-Datasheet-电子工程世界

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AT93C86A-10PU-1.8: 产品描述1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8; 产品类别存储存储; 文件大小711KB，共18页; 制造商Atmel (Microchip); 标准

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AT93C86A-10PU-1.8概述

1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8

1K × 16 总线串行电可擦除只读存储器, PDIP8

AT93C86A-10PU-1.8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Atmel (Microchip)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP8,.3
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
备用内存宽度	8
数据保留时间-最小值	100
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e3
长度	9.271 mm
内存密度	16384 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	8
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.334 mm
串行总线类型	MICROWIRE
最大待机电流	1e-7 A
最大压摆率	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2.7 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
写保护	SOFTWARE

AT93C86A-10PU-1.8相似产品对比

	AT93C86A-10PU-1.8	AT93C86A-10PU-2.7	AT93C86A_07	AT93C86AY6-10YH-1.8	AT93C86A-10TU-1.8	AT93C86AY1-10YU-1.8	AT93C86A-W1.8-11	AT93C86A-10SU-1.8	AT93C86A-10TU-2.7	AT93C86A-10SU-2.7
描述	1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8	1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8	1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8	1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8	1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8	1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8	1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8	1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8	1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8	1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
组织	1KX16	1KX16	1K X 16	1KX16	1KX16	1KX16	1KX16	1KX16	1KX16	1KX16
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	GULL WING	NO LEAD	NO LEAD	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	UPPER	DUAL	DUAL	DUAL
是否无铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	-	符合	符合	符合	-	符合	符合	符合
厂商名称	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)	-	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)	-	-	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)
零件包装代码	DIP	DIP	-	SON	TSSOP	MSOP	DIE	SOIC	TSSOP	SOIC
包装说明	DIP, DIP8,.3	DIP, DIP8,.3	-	2 X 3 MM, 0.50 MM PITCH, GREEN, MO-229, MLP-8	TSSOP, TSSOP8,.25	VSON, SOLCC8,.2,25	DIE,	SOP, SOP8,.25	TSSOP, TSSOP8,.25	SOP, SOP8,.25
针数	8	8	-	8	8	8	-	8	8	8
Reach Compliance Code	compli	compli	-	unknow	compli	compli	unknow	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
备用内存宽度	8	8	-	8	8	8	8	8	8	8
数据保留时间-最小值	100	100	-	100	100	100	-	100	100	100
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	-	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	-	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8	-	R-XDSO-N8	R-PDSO-G8	R-XDSO-N8	X-XUUC-N	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e3	e3	-	e4	e3	e3	-	e3	e3	e3
长度	9.271 mm	9.271 mm	-	3 mm	4.4 mm	4.9 mm	-	4.9 mm	4.4 mm	4.9 mm
内存密度	16384 bi	16384 bi	-	16384 bi	16384 bi	16384 bi	16384 bi	16384 bi	16384 bi	16384 bi
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	-	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
端子数量	8	8	8	8	8	8	-	8	8	8
字数	1024 words	1024 words	-	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words
字数代码	1000	1000	-	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	-	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	-	VSON	TSSOP	VSON	DIE	SOP	TSSOP	SOP
封装等效代码	DIP8,.3	DIP8,.3	-	SOLCC8,.11,20	TSSOP8,.25	SOLCC8,.2,25	-	SOP8,.25	TSSOP8,.25	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	UNSPECIFIED	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	-	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	UNCASED CHIP	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	SERIAL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	260	260	260	-	260	260	260
电源	2/5 V	3/5 V	-	2/5 V	2/5 V	2/5 V	-	2/5 V	3/5 V	3/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.334 mm	5.334 mm	-	0.6 mm	1.2 mm	0.9 mm	-	1.75 mm	1.2 mm	1.75 mm
串行总线类型	MICROWIRE	MICROWIRE	-	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE
最大待机电流	1e-7 A	0.00001 A	-	1e-7 A	1e-7 A	1e-7 A	-	1e-7 A	0.00001 A	0.00001 A
最大压摆率	0.002 mA	0.002 mA	-	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA	-	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V	2.7 V	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	2.7 V	5 V	-	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	-	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn) - annealed	-	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	-	0.5 mm	0.65 mm	0.65 mm	-	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	40	40	40	-	40	40	40
宽度	7.62 mm	7.62 mm	-	2 mm	3 mm	3 mm	-	3.9 mm	3 mm	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms	10 ms	-	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms
写保护	SOFTWARE	SOFTWARE	-	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	-	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE

AT93C86A-10PU-1.8

AT93C86A-10PU-1.8概述

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