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KMM366S1623AT

产品描述16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD
文件大小812KB,共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KMM366S1623AT概述

16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD

KMM366S1623AT相似产品对比

KMM366S1623AT KMM366S1623AT-G2 KMM366S1623AT-G8 KMM366S1623AT-G0
描述 16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD 16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD 16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD 16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD
包装说明 - DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code - unknow unknow unknow
Is Samacsys - N N N
最长访问时间 - 8 ns 6 ns 7 ns
最大时钟频率 (fCLK) - 83 MHz 125 MHz 100 MHz
I/O 类型 - COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 - R-PDMA-N168 R-PDMA-N168 R-PDMA-N168
内存密度 - 1073741824 bi 1073741824 bi 1073741824 bi
内存集成电路类型 - SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 - 64 64 64
端子数量 - 168 168 168
字数 - 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 - 16000000 16000000 16000000
最高工作温度 - 70 °C 70 °C 70 °C
组织 - 16MX64 16MX64 16MX64
输出特性 - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 - DIMM168 DIMM168 DIMM168
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 - 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 - 4096 4096 4096
最大待机电流 - 0.032 A 0.032 A 0.032 A
最大压摆率 - 1.16 mA 1.6 mA 1.32 mA
标称供电电压 (Vsup) - 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 - NO NO NO
技术 - CMOS CMOS CMOS
温度等级 - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 - NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 - DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches - 1 1 1

 
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