CAT28C256GI12,CAT28C256GI12 pdf中文资料,CAT28C256GI12引脚图,CAT28C256GI12电路-Datasheet-电子工程世界

CAT28C256GI12: 产品描述EEPROM (32kx8) 256K 5V 120; 产品类别存储存储; 文件大小141KB，共14页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn; 标准

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CAT28C256GI12概述

EEPROM (32kx8) 256K 5V 120

CAT28C256GI12规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码	QFJ
包装说明	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PQCC-J32
JESD-609代码	e3
长度	13.965 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	32
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
页面大小	64 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.55 mm
最大待机电流	0.00015 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	40
切换位	YES
宽度	11.425 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
Base Number Matches	1

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描述	EEPROM (32kx8) 256K 5V 120	EEPROM (32kx8) 256K 5V 120	EEPROM 256K-Bit Para EEPROM	EEPROM (32kx8) 256K 5V 150	EEPROM (32kx8) 256K 5V 150	EEPROM (32kx8) 256K 5V 150
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码	QFJ	DIP	TSOP	TSOP	DIP	DIP
包装说明	QCCJ, LDCC32,.5X.6	DIP, DIP28,.6	TSOP1, TSSOP28,.53,22	8 X 13.40 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-28	DIP, DIP28,.6	DIP, DIP28,.6
针数	32	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	compliant	unknown	unknown	unknown	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	120 ns	150 ns	150 ns	150 ns	150 ns
命令用户界面	NO	NO	NO	NO	NO	NO
数据轮询	YES	YES	YES	YES	YES	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PQCC-J32	R-PDIP-T28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3
长度	13.965 mm	36.695 mm	11.8 mm	11.8 mm	36.695 mm	36.695 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	28	28	28	28	28
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-	-40 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	DIP	TSOP1	TSOP1	DIP	DIP
封装等效代码	LDCC32,.5X.6	DIP28,.6	TSSOP28,.53,22	TSSOP28,.53,22	DIP28,.6	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	IN-LINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	IN-LINE	IN-LINE
页面大小	64 words	64 words	64 words	64 words	64 words	64 words
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
编程电压	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.55 mm	5.08 mm	1.2 mm	1.2 mm	5.08 mm	5.08 mm
最大待机电流	0.00015 A	0.00015 A	0.00015 A	0.00015 A	0.00015 A	0.00015 A
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	YES	YES	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)
端子形式	J BEND	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	0.55 mm	0.55 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
切换位	YES	YES	YES	YES	YES	YES
宽度	11.425 mm	15.24 mm	8 mm	8 mm	15.24 mm	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	-	260	260	260
处于峰值回流温度下的最长时间	40	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	40	40

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