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CAT28C256L15

产品描述EEPROM (32kx8) 256K 5V 150
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文件大小141KB,共14页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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CAT28C256L15概述

EEPROM (32kx8) 256K 5V 150

CAT28C256L15规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.6
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间150 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
数据保留时间-最小值100
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e3
长度36.695 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
页面大小64 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.00015 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位YES
宽度15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
Base Number Matches1

CAT28C256L15相似产品对比

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描述 EEPROM (32kx8) 256K 5V 150 EEPROM (32kx8) 256K 5V 120 EEPROM 256K-Bit Para EEPROM EEPROM (32kx8) 256K 5V 150 EEPROM (32kx8) 256K 5V 150 EEPROM (32kx8) 256K 5V 120
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 DIP DIP TSOP TSOP DIP QFJ
包装说明 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 TSOP1, TSSOP28,.53,22 8 X 13.40 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-28 DIP, DIP28,.6 QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数 28 28 28 28 28 32
Reach Compliance Code compliant unknown unknown unknown unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 150 ns 120 ns 150 ns 150 ns 150 ns 120 ns
命令用户界面 NO NO NO NO NO NO
数据轮询 YES YES YES YES YES YES
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PQCC-J32
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3
长度 36.695 mm 36.695 mm 11.8 mm 11.8 mm 36.695 mm 13.965 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 32
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C - -40 °C -40 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP TSOP1 TSOP1 DIP QCCJ
封装等效代码 DIP28,.6 DIP28,.6 TSSOP28,.53,22 TSSOP28,.53,22 DIP28,.6 LDCC32,.5X.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE IN-LINE CHIP CARRIER
页面大小 64 words 64 words 64 words 64 words 64 words 64 words
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 1.2 mm 1.2 mm 5.08 mm 3.55 mm
最大待机电流 0.00015 A 0.00015 A 0.00015 A 0.00015 A 0.00015 A 0.00015 A
最大压摆率 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE J BEND
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 0.55 mm 0.55 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL QUAD
切换位 YES YES YES YES YES YES
宽度 15.24 mm 15.24 mm 8 mm 8 mm 15.24 mm 11.425 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - 260 260 260
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED 40 40
MSP430精确延时
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