EEPROM (32kx8) 256K 5V 150
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
针数 | 28 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 150 ns |
命令用户界面 | NO |
数据轮询 | YES |
数据保留时间-最小值 | 100 |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 36.695 mm |
内存密度 | 262144 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
字数 | 32768 words |
字数代码 | 32000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 32KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP28,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
页面大小 | 64 words |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 5 V |
编程电压 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大待机电流 | 0.00015 A |
最大压摆率 | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
切换位 | YES |
宽度 | 15.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
Base Number Matches | 1 |
CAT28C256L15 | CAT28C256LI12 | CAT28C256H13I15T | CAT28C256H1315 | CAT28C256LI15 | CAT28C256GI12 | |
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描述 | EEPROM (32kx8) 256K 5V 150 | EEPROM (32kx8) 256K 5V 120 | EEPROM 256K-Bit Para EEPROM | EEPROM (32kx8) 256K 5V 150 | EEPROM (32kx8) 256K 5V 150 | EEPROM (32kx8) 256K 5V 120 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | DIP | DIP | TSOP | TSOP | DIP | QFJ |
包装说明 | DIP, DIP28,.6 | DIP, DIP28,.6 | TSOP1, TSSOP28,.53,22 | 8 X 13.40 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-28 | DIP, DIP28,.6 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
针数 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 | 32 |
Reach Compliance Code | compliant | unknown | unknown | unknown | unknown | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 150 ns | 120 ns | 150 ns | 150 ns | 150 ns | 120 ns |
命令用户界面 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
数据轮询 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 | R-PDIP-T28 | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | e3 | e3 | e3 |
长度 | 36.695 mm | 36.695 mm | 11.8 mm | 11.8 mm | 36.695 mm | 13.965 mm |
内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 | 32 |
字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | 85 °C | 70 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | - | -40 °C | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C |
组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | DIP | TSOP1 | TSOP1 | DIP | QCCJ |
封装等效代码 | DIP28,.6 | DIP28,.6 | TSSOP28,.53,22 | TSSOP28,.53,22 | DIP28,.6 | LDCC32,.5X.6 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | IN-LINE | CHIP CARRIER |
页面大小 | 64 words | 64 words | 64 words | 64 words | 64 words | 64 words |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
编程电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 5.08 mm | 3.55 mm |
最大待机电流 | 0.00015 A | 0.00015 A | 0.00015 A | 0.00015 A | 0.00015 A | 0.00015 A |
最大压摆率 | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO | YES | YES | NO | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING | THROUGH-HOLE | J BEND |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 0.55 mm | 0.55 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | QUAD |
切换位 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm | 8 mm | 8 mm | 15.24 mm | 11.425 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | - | 260 | 260 | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | 40 | 40 |
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