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SI9407AEY-T1

产品描述MOSFET 60V 3.5A 3W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小103KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI9407AEY-T1概述

MOSFET 60V 3.5A 3W

SI9407AEY-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

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Si9407AEY
Vishay Siliconix
P-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 60
R
DS(on)
(Ω)
0.120 at V
GS
= - 10 V
0.15 at V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
± 3.5
± 3.1
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• 175 °C Maximum Junction Temperature
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
8
7
6
5
D
D
D
D
G
S
D
Ordering Information:
Si9407AEY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si9407AEY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
- 60
± 20
± 3.5
± 3.0
± 30
- 2.5
3.0
2.1
- 55 to 175
W
°C
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Symbol
R
thJA
Limit
50
Unit
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t
10 s.
Document Number: 70742
S09-1341-Rev. E, 13-Jul-09
www.vishay.com
1

SI9407AEY-T1相似产品对比

SI9407AEY-T1 SI9407AEY-T1-E3 SI9407AEY
描述 MOSFET 60V 3.5A 3W MOSFET 60V 3.5A 3W MOSFET 60V 3.5A 3W
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 Single Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
表面贴装 YES YES YES
Is Samacsys N N -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.5 A 3.5 A -
JESD-609代码 e0 - e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C -
最大功率耗散 (Abs) 3 W 3 W -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1 -
湿度敏感等级 - 1 1

 
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