1N5249BT/B,1N5249BT/B pdf中文资料,1N5249BT/B引脚图,1N5249BT/B电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5249BT/B

1N5249BT/B: 产品描述Zener Diode, 19V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小78KB，共3页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

1N5249BT/B概述

Zener Diode, 19V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

1N5249BT/B规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	DO-35
包装说明	O-LALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
JEDEC-95代码	DO-35
JESD-30 代码	O-LALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
标称参考电压	19 V
表面贴装	NO
技术	ZENER
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压容差	5%

推荐资源

3D打印机【玛拉顿公主】装配图: [i=s] 本帖最后由 cardin6 于 2016-2-12 23:55 编辑 [/i]最近有太多的“意外”导致装配图迟迟无法完成在此向大家说一声抱歉先整理了两张装配图发上来因所处的环境及设备实在有限白纸是问护士长要的铅笔也是借的还好随身带有一直走珠笔这次真的应了楠楠[url=home.php?mod=space&uid=476285]@eric_wang[/url] 说的话成了手稿但画的质量确...; cardin6 DIY/开源硬件专区

【为C2000做贡献】DSP与LabWindows_CVI的电力故障监测录波器设计: DSP与LabWindows_CVI的电力故障监测录波器设计,版权归作者...; 0212009623 微控制器 MCU

CircuitPython创意作品: [i=s] 本帖最后由 dcexpert 于 2019-12-20 09:06 编辑 [/i]梦幻之火刃...; dcexpert MicroPython开源版块

玩转DS1302和DS18B20，附详细程序和讲解、图: 对于市面上的大多数51单片机开发板来说。ds1302和ds18b20应该是比较常见的两种外围芯片。ds1302是具有SPI总线接口的时钟芯片。ds18b20则是具有单总线接口的数字温度传感器。下面让我们分别来认识并学会应用这两种芯片。首先依旧是看DS1302的datasheet中的相关介绍。上面是它的一些基本的应用介绍。下面是它的引脚的描述。下面是DS1302的时钟寄存器。我们要读取的时间数据就是...; 雪人001 单片机

积分电路介绍: 简介　　积分电路主要用于波形变换、放大电路失调电压的消除及反馈控制中的积分补偿等场合。图①是反相输入型积分电路，其输出电压是将输入电压对时间的积分值除以时间所得的商，即Vout=-1／C1R1∫Vin dt，由于受运放开环增益的限制，其频率特性为从低频到高频的-20dB／dec倾斜直线，故希望对高频率信号积分时要选择工作频率相应高的运放。图②是差动输入型积分电路，将两个输入端信号之差对时间积分。...; linda_xia 模拟电子

现代电源设计大全: [i=s] 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:58 编辑 [/i]现代电源设计大全...; splive231 电子竞赛

半导体结合智慧应用医疗、汽用搭上趋势

半导体及电子科技，是各种智慧应用的核心，其中，被运用最广泛的产业，包括医疗、绿能、资通及车用领域，在智慧电子产学高峰论坛，也看见台湾学界研发团队，端出亮眼成果，带您了解。成功大学电机工程学系教授李顺裕：「可以针对医生的需求，看你要侦测第一导层，还是第二导层，还是第三导层的这个心律。」透过智慧型手机和小型装置，就能即时监测个人心律，有鑑于心血管疾病为全球第一大死因，及人口高...[详细]
半导体的“中国梦”：力争2030年全产业链进入世界先进行列

到2030年，第三代半导体产业力争全产业链进入世界先进行列，部分核心关键技术国际引领，核心环节有1至3家世界龙头企业，国产化率超过70%……下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。第三代半导体发展战略发布会25日在京举行。第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲如是描述我国第三代半导体的“中国梦”。第二届国际第三代半导体创新创业大赛同日启动。大赛围绕第三代半导体装备、材料、器件、工艺...[详细]
Intel制程领先也不够？外资：难跨出PC、服务器舒适圈

英特尔(IntelCorp.)在制程上的确保持了领先，但这是否真能满足英特尔让营运成长的迫切需求？有分析师对此充满怀疑。barron`s.com3日报导(见此)，瑞士信贷分析师JohnPitzer发表研究报告指出，投资界原本不确定英特尔究竟是不是在制程上拥有领先优势，尤其是在台积电(2330)预定今(2017)年第2季发布10纳米制程、英特尔却要等到Q4的情况下。不过，英特尔以逻辑电晶...[详细]
USB Type-C硬是要上　台系IC设计喜迎新单

面对第3季问世的PC与NB新品，不约而同都挂上了最新的USBType-C规格，紧接着第4季新款智能型手机也将换装Type-C接口，台系IC设计业者直言，Type-C芯片商机已正式报到。面对庞大传输接口的改朝换代需求，可望一路畅旺到2017年都不歇，包括Type-C主控芯片、PD芯片及相关保护元件订单能见度，近期均是节节高升，不仅第3季出货量可望较第2季倍增，第4季也可望维持高档不坠，...[详细]
《IPC WP-024 智能织物结构的可靠性和可洗性白皮书》发布

IPC—国际电子工业联接协会®最近发布《IPCWP-024智能织物结构的可靠性和可洗性白皮书》。白皮书中包括来自研究团队对电子织物可洗性测试参数的初步研究成果。这是负责IPC-WP-024标准开发的IPCD-70电子织物标准委员会发布的首个白皮书。当前对智能织物和电子织物的研究表明由于电子织物存在清洗困难和可靠性问题致使尚未能在市场上大规模普及开来。谈及可靠性问题，若使用得当，电子...[详细]
紫光联席总裁刁石京谈自主研发

大陆资讯通信技术（ICT）领域的灵魂人物之一、前工信部电子资讯司司长刁石京，已入职紫光集团担任联席总裁，并在5月15日的紫光集团西南芯片研发中心专案首度公开亮相。刁石京除了之前是工信部电子资讯司司长，还曾任核高基（核心电子器件、高端通用晶片及基础软体产品）重大专项实施办公室常务副主任、国家集成电路产业发展领导小组办公室负责人、全国信息技术标准化委员会副主任委员、工信部电子科技委副主任委员等职务...[详细]
ADI联合Microsemi 推出SiC功率模块的隔离驱动器板

AnalogDevices,Inc.(ADI)与MicrosemiCorporation近日联合推出市场首款用于半桥SiC功率模块的高功率评估板。该评估板支持标准SP1封装的Microsemi半桥SiC功率模块，即APTMC120AM20CT1AG和APTMC120AM55CT1AG；在200kHz开关频率时可提供最高1200V电压和50A电流；具有独立的高端和低端PWM输入（单一...[详细]
eFuse

eFuse的诞生源于几年前IBM工程师的一个发现：与更旧的激光熔断技术相比，电子迁移(EM)特性可以用来生成小得多的熔丝结构。EM熔丝可以在芯片上编程，不论是在晶圆探测阶段还是在封装中。采用I/O电路的片上电压(通常为2.5V)，一个持续200微秒的10毫安直流脉冲就足以编程单根熔丝。概念不同于大多数FPGA使用的SRAM阵列，eFuse一次只有一根熔丝能够...[详细]
规避美国技术，华为开启“塔山计划”

有数码博主爆料称，为了摆脱美国技术限制，继“南泥湾”计划后，华为将正式启动代号“塔山计划”，并提出明确的战略目标：在年内建成一条不含美国技术的芯片产线，维持海思芯片的生产。消息扩散后即引发关注，对此，华为海思这样回应...8月12日，一名数码博主在微博发文称：“华为宣布将全方位扎根半导体，其在内部正式启动代号‘塔山计划’，并提出明确的战略目标，准备建设一条完全没有美国技术的45nm的...[详细]
英特尔表态不与台积电打价格战

全球半导体巨擘英特尔的执行长科再奇（BrianKrzanich）表示，他开放英特尔的工厂给其他业者使用，同时他将不会与低成本的晶片制造商例如台积电大打价格战。根据彭博报导，英特尔公司（IntelCorp.）掌门科再奇去年11月透露，英特尔正在拓展晶圆代工业务规模。科再奇7日表示，他宁让竞争对手付费使用英特尔的制造设备，也不愿压低晶片价格，牺牲利润。科再奇在拉斯维加斯举办的消费电子...[详细]
清华大学与罗姆共同举办“2016清华-罗姆国际产学连携论坛”

2016年5月20日，ROHMCo.,Ltd.（总部位于日本京都）携手中国清华大学（中国北京市），在清华大学清华-罗姆电子工程馆内举办了2016清华-罗姆国际产学连携论坛（Tsinghua-ROHMInternationalForumofIndustry-Academia2016：TRIFIA2016）。今年，已经是该论坛举办的第七个年头，作为清华大学和罗姆公司一...[详细]
AI爆炸性成长可期专家：具成本优势者才能胜出

人工智能(AI)未来将有爆炸性成长已成为投资界和产业界的共识。副总统陈建仁6日出席“2017台湾机器人与智能自动化展”致词时表示，政府乐见业者能透过智能制造，翻转产业代工形象。机器人与智能自动化已是大势所趋，在可预见的未来，机器人将广泛应用于人类的食衣住行育乐等各方面，甚至生老病死，更是建构在智能制造、智能建筑、智能医疗、智能城市的要素上。矽谷创投业者表示，要找到有未来价值、有爆发潜力的新创公司...[详细]
e络盟供货安世半导体功率氮化镓场效应晶体管

全球电子元器件与开发服务分销商e络盟宣布供应安世半导体最新系列功率氮化镓场效应晶体管（GaNFET）。该创新系列GaNFET外形尺寸小，可实现高功率密度及高效率功率转换，能够以较低的成本开发出更高效系统，同时还可助力电动车、5G通信、物联网等应用改进电源性能。随着越来越多的立法提高碳排放减排要求，实现更高效的功率转换和更高的电气化水平势在必行。GaNFET这一创新系列为设计工程师提供了真正...[详细]
斯坦福大学研发出易弯曲的有机半导体集成电路

据外媒报道，斯坦福大学的研究组研发出一款易弯曲的有机半导体集成电路设备，加入弱酸(如醋酸)后可实现降解。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。该研究结果发表在5月1日的《美国国家科学院院刊》(ProceedingsoftheNationalAcademyofSciences)杂志上，该研究论文由斯坦福大学及惠普公司、加州大学圣塔芭芭拉分校(UniversityofCal...[详细]
IC Insights:上半年全球前20大半导体厂排行

手机晶片厂联发科上半年营收为19.32亿美元，年增33%，跃居全球第18大半导体厂；业绩成长幅度居全球前20大半导体厂中第3大。根据研调机构ICInsights调查，今年上半年全球前20大半导体厂中，有8家厂商总部位于美国，有4家位于日本，3家位于台湾，3家位于欧洲，2家位于韩国。ICInsights指出，上半年全球前20大半导体厂中有台积电、联电及格罗方德3家纯晶圆代工厂，有4家...[详细]

小广播

热搜元器件