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IS43LR32160B-6BLI-TR

产品描述DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile
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文件大小1MB,共44页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS43LR32160B-6BLI-TR概述

DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile

IS43LR32160B-6BLI-TR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体)
产品种类
Product Category
DRAM
RoHSDetails
类型
Type
SDRAM Mobile - LPDDR1
Data Bus Width32 bit
Organization16 M x 32
封装 / 箱体
Package / Case
BGA-90
Memory Size512 Mbit
Maximum Clock Frequency166 MHz
Access Time6 ns
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
1.95 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
1.7 V
Supply Current - Max70 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
系列
Packaging
Reel
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
Moisture SensitiveYes
工作电源电压
Operating Supply Voltage
1.8 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2500

IS43LR32160B-6BLI-TR相似产品对比

IS43LR32160B-6BLI-TR IS46LR32160B-6BLA2-TR IS43LR32160B
描述 DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile DRAM 512M (16Mx32) Mobile DDR 1.8v DRAM 512M, 1.8v, Mobile DDR, 16Mx32
Product Attribute Attribute Value Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体)
产品种类
Product Category
DRAM DRAM DRAM
类型
Type
SDRAM Mobile - LPDDR1 SDRAM Mobile - LPDDR1 SDRAM Mobile - LPDDR1
Data Bus Width 32 bit 32 bit 32 bit
Organization 16 M x 32 16 M x 32 16 M x 32
封装 / 箱体
Package / Case
BGA-90 BGA-90 BGA-90
Memory Size 512 Mbit 512 Mbit 512 Mbit
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
1.95 V 1.95 V 1.95 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
1.7 V 1.7 V 1.7 V
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT
工作电源电压
Operating Supply Voltage
1.8 V 1.8 V 1.8 V
RoHS Details Details -
Maximum Clock Frequency 166 MHz 166 MHz -
Access Time 6 ns 6 ns -
Supply Current - Max 70 mA 110 mA -
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C - 40 C -
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C + 105 C -
系列
Packaging
Reel Reel -
Moisture Sensitive Yes Yes -
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2500 2500 -

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