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RN2116

产品描述Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小264KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2116概述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

RN2116规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SSM, 2-2H1A, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量6 pF
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

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RN2114~RN2118
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2114,RN2115,RN2116
RN2117,RN2118
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
l
With built-in bias resistors
l
Simplify circuit design
l
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
l
Complementary to RN1114~RN1118
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
Type No.
RN2114
RN2115
RN2116
RN2117
RN2118
R1 (kΩ)
1
2.2
4.7
10
47
R2 (kΩ)
10
10
10
4.7
10
Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
°
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN2114~2118
RN2114
RN2115
Emitter-base voltage
RN2116
RN2117
RN2118
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2114~2118
I
C
P
C
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
−50
−50
−5
−6
−7
−15
−25
−100
100
150
−55~150
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 2.4mg
2−2H1A
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1
2001-06-07

RN2116相似产品对比

RN2116 RN2114 RN2115 RN2117 RN2118
描述 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 不符合
包装说明 SSM, 2-2H1A, 3 PIN SSM, 2-2H1A, 3 PIN SSM, 2-2H1A, 3 PIN SSM, 2-2H1A, 3 PIN SSM, 2-2H1A, 3 PIN
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 6 pF 6 pF 6 pF 6 pF 6 pF
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 50 50 50 30 50
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 240
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
VCEsat-Max 0.3 V 0.3 V 0.3 V 0.3 V 0.3 V
厂商名称 - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
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