Datasheet> 器件分类 > 存储> IS61LPS51236A-200TQI-TR

IS61LPS51236A-200TQI-TR: 产品描述SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v; 产品类别存储; 文件大小367KB，共35页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

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IS61LPS51236A-200TQI-TR概述

SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v

IS61LPS51236A-200TQI-TR规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	SRAM
RoHS	N
Memory Size	18 Mbit
Organization	512 k x 36
Access Time	3.1 ns
Maximum Clock Frequency	200 MHz
接口类型 Interface Type	Parallel
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.465 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	3.135 V
Supply Current - Max	475 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	TQFP-100
系列 Packaging	Reel
数据速率 Data Rate	SDR
类型 Type	Synchronous
Number of Ports	4
Moisture Sensitive	Yes
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	800
单位重量 Unit Weight	0.023175 oz

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IS61VPS25672A IS61LPS25672A

IS61VPS51236A IS61LPS51236A

IS61VPS102418A IS61LPS102418A

256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18

18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED,

SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM

FEATURES

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control and Global Write

• Clock controlled, registered address, data and

control

• Burst sequence control using MODE input

• Three chip enable option for simple depth

expansion and address pipelining

• Common data inputs and data outputs

• Auto Power-down during deselect

• Single cycle deselect

• Snooze MODE for reduced-power standby

• JTAG Boundary Scan for PBGA package

• Power Supply

LPS: V

3.3V + 5%, V

DDQ

3.3V/2.5V + 5%

VPS: V

2.5V + 5%, V

DDQ

2.5V + 5%

• JEDEC 100-Pin TQFP, 119-ball PBGA, 165-ball

PBGA, and 209-ball (x72) packages

• Lead-free available

MAY 2010

DESCRIPTION

The

ISSI

IS61LPS/VPS51236A, IS61LPS/VPS102418A,

and IS61LPS/VPS25672A are high-speed, low-power syn-

chronous static RAMs designed to provide burstable, high-

performance memory for communication and networking

applications. The IS61LPS/VPS51236A is organized as

524,288 words by 36 bits, the IS61LPS/VPS102418A is

organized as 1,048,576 words by 18 bits, and the IS61LPS/

VPS25672A is organized as 262,144 words by 72 bits.

Fabricated with

ISSI

's advanced CMOS technology, the

device integrates a 2-bit burst counter, high-speed SRAM

core, and high-drive capability outputs into a single mono-

lithic circuit. All synchronous inputs pass through regis-

ters controlled by a positive-edge-triggered single clock

input.

Write cycles are internally self-timed and are initiated by

the rising edge of the clock input. Write cycles can be one

to four bytes wide as controlled by the write control inputs.

Separate byte enables allow individual bytes to be written.

The byte write operation is performed by using the byte

write enable (BWE) input combined with one or more

individual byte write signals (BWx). In addition, Global

Write (GW) is available for writing all bytes at one time,

regardless of the byte write controls.

Bursts can be initiated with either

ADSP

(Address Status

Processor) or

ADSC

(Address Status Cache Controller)

input pins. Subsequent burst addresses can be generated

internally and controlled by the

ADV

(burst address

advance) input pin.

The mode pin is used to select the burst sequence order,

Linear burst is achieved when this pin is tied LOW.

Interleave burst is achieved when this pin is tied HIGH or

left floating.

FAST ACCESS TIME

Symbol

Parameter

Clock Access Time

Cycle Time

Frequency

250

2.6

250

200

3.1

200

Units

MHz

Copyright © 2010 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability

arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on any

published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. N

02/12/2010

IS61LPS51236A-200TQI-TR相似产品对比

	IS61LPS51236A-200TQI-TR	IS61LPS25672A-250B1-TR	IS61LPS51236A-250B3-TR	IS61VPS51236A-200TQI-TR	IS61LPS51236A-200TQI	IS61LPS51236A-250B3	IS61LPS102418A-200TQ	IS61VPS51236A-250B3
描述	SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 256Kx72 250MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 512Kx36 250MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 512Kx36 Sync SRAM 2.5v	SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 512Kx36 250MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 1Mbx18 200MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 512Kx36 Sync SRAM 2.5v
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	-	Attribute Value	-
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	-	ISSI(芯成半导体)	-
产品种类 Product Category	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	-	SRAM	-
RoHS	N	N	N	N	N	-	N	-
Memory Size	18 Mbit	18 Mbit	18 Mbit	18 Mbit	18 Mbit	-	18 Mbit	-
Organization	512 k x 36	256 k x 72	512 k x 36	512 k x 36	512 k x 36	-	1 M x 18	-
Access Time	3.1 ns	2.6 ns	2.6 ns	3.1 ns	3.1 ns	-	3.1 ns	-
Maximum Clock Frequency	200 MHz	250 MHz	250 MHz	200 MHz	200 MHz	-	200 MHz	-
接口类型 Interface Type	Parallel	Parallel	Parallel	Parallel	Parallel	-	Parallel	-
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.465 V	3.465 V	3.465 V	2.625 V	3.465 V	-	3.465 V	-
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	3.135 V	3.135 V	3.135 V	2.375 V	3.135 V	-	3.135 V	-
Supply Current - Max	475 mA	600 mA	450 mA	475 mA	475 mA	-	425 mA	-
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C	0 C	0 C	- 40 C	- 40 C	-	0 C	-
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C	+ 70 C	+ 70 C	+ 85 C	+ 85 C	-	+ 70 C	-
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	-	SMD/SMT	-
封装 / 箱体 Package / Case	TQFP-100	PBGA-209	FBGA-165	TQFP-100	TQFP-100	-	TQFP-100	-
系列 Packaging	Reel	Reel	Reel	Reel	Tube	-	Tube	-
数据速率 Data Rate	SDR	SDR	SDR	SDR	SDR	-	SDR	-
类型 Type	Synchronous	Synchronous	Synchronous	Synchronous	Synchronous	-	Synchronous	-
Number of Ports	4	8	4	4	4	-	2	-
Moisture Sensitive	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	-	Yes	-
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	800	1000	2000	800	72	-	72	-

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