Datasheet> 器件分类 > 存储> IS61VPS51236A-200TQI-TR

IS61VPS51236A-200TQI-TR: 产品描述SRAM 18Mb 512Kx36 Sync SRAM 2.5v; 产品类别存储; 文件大小367KB，共35页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

IS61VPS51236A-200TQI-TR在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	IS61VPS51236A-200TQI-TR	-	-	点击查看	点击购买

IS61VPS51236A-200TQI-TR概述

SRAM 18Mb 512Kx36 Sync SRAM 2.5v

IS61VPS51236A-200TQI-TR规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	SRAM
RoHS	N
Memory Size	18 Mbit
Organization	512 k x 36
Access Time	3.1 ns
Maximum Clock Frequency	200 MHz
接口类型 Interface Type	Parallel
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	2.625 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.375 V
Supply Current - Max	475 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	TQFP-100
系列 Packaging	Reel
数据速率 Data Rate	SDR
类型 Type	Synchronous
Number of Ports	4
Moisture Sensitive	Yes
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	800
单位重量 Unit Weight	0.023175 oz

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

IS61VPS25672A IS61LPS25672A

IS61VPS51236A IS61LPS51236A

IS61VPS102418A IS61LPS102418A

256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18

18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED,

SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM

FEATURES

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control and Global Write

• Clock controlled, registered address, data and

control

• Burst sequence control using MODE input

• Three chip enable option for simple depth

expansion and address pipelining

• Common data inputs and data outputs

• Auto Power-down during deselect

• Single cycle deselect

• Snooze MODE for reduced-power standby

• JTAG Boundary Scan for PBGA package

• Power Supply

LPS: V

3.3V + 5%, V

DDQ

3.3V/2.5V + 5%

VPS: V

2.5V + 5%, V

DDQ

2.5V + 5%

• JEDEC 100-Pin TQFP, 119-ball PBGA, 165-ball

PBGA, and 209-ball (x72) packages

• Lead-free available

MAY 2010

DESCRIPTION

The

ISSI

IS61LPS/VPS51236A, IS61LPS/VPS102418A,

and IS61LPS/VPS25672A are high-speed, low-power syn-

chronous static RAMs designed to provide burstable, high-

performance memory for communication and networking

applications. The IS61LPS/VPS51236A is organized as

524,288 words by 36 bits, the IS61LPS/VPS102418A is

organized as 1,048,576 words by 18 bits, and the IS61LPS/

VPS25672A is organized as 262,144 words by 72 bits.

Fabricated with

ISSI

's advanced CMOS technology, the

device integrates a 2-bit burst counter, high-speed SRAM

core, and high-drive capability outputs into a single mono-

lithic circuit. All synchronous inputs pass through regis-

ters controlled by a positive-edge-triggered single clock

input.

Write cycles are internally self-timed and are initiated by

the rising edge of the clock input. Write cycles can be one

to four bytes wide as controlled by the write control inputs.

Separate byte enables allow individual bytes to be written.

The byte write operation is performed by using the byte

write enable (BWE) input combined with one or more

individual byte write signals (BWx). In addition, Global

Write (GW) is available for writing all bytes at one time,

regardless of the byte write controls.

Bursts can be initiated with either

ADSP

(Address Status

Processor) or

ADSC

(Address Status Cache Controller)

input pins. Subsequent burst addresses can be generated

internally and controlled by the

ADV

(burst address

advance) input pin.

The mode pin is used to select the burst sequence order,

Linear burst is achieved when this pin is tied LOW.

Interleave burst is achieved when this pin is tied HIGH or

left floating.

FAST ACCESS TIME

Symbol

Parameter

Clock Access Time

Cycle Time

Frequency

250

2.6

250

200

3.1

200

Units

MHz

Copyright © 2010 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability

arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on any

published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. N

02/12/2010

IS61VPS51236A-200TQI-TR相似产品对比

	IS61VPS51236A-200TQI-TR	IS61LPS25672A-250B1-TR	IS61LPS51236A-250B3-TR	IS61LPS51236A-200TQI-TR	IS61LPS51236A-200TQI	IS61LPS51236A-250B3	IS61LPS102418A-200TQ	IS61VPS51236A-250B3
描述	SRAM 18Mb 512Kx36 Sync SRAM 2.5v	SRAM 18Mb 256Kx72 250MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 512Kx36 250MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 512Kx36 250MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 1Mbx18 200MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 512Kx36 Sync SRAM 2.5v
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	-	Attribute Value	-
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	-	ISSI(芯成半导体)	-
产品种类 Product Category	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	-	SRAM	-
RoHS	N	N	N	N	N	-	N	-
Memory Size	18 Mbit	18 Mbit	18 Mbit	18 Mbit	18 Mbit	-	18 Mbit	-
Organization	512 k x 36	256 k x 72	512 k x 36	512 k x 36	512 k x 36	-	1 M x 18	-
Access Time	3.1 ns	2.6 ns	2.6 ns	3.1 ns	3.1 ns	-	3.1 ns	-
Maximum Clock Frequency	200 MHz	250 MHz	250 MHz	200 MHz	200 MHz	-	200 MHz	-
接口类型 Interface Type	Parallel	Parallel	Parallel	Parallel	Parallel	-	Parallel	-
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	2.625 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	-	3.465 V	-
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.375 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	-	3.135 V	-
Supply Current - Max	475 mA	600 mA	450 mA	475 mA	475 mA	-	425 mA	-
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C	0 C	0 C	- 40 C	- 40 C	-	0 C	-
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C	+ 70 C	+ 70 C	+ 85 C	+ 85 C	-	+ 70 C	-
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	-	SMD/SMT	-
封装 / 箱体 Package / Case	TQFP-100	PBGA-209	FBGA-165	TQFP-100	TQFP-100	-	TQFP-100	-
系列 Packaging	Reel	Reel	Reel	Reel	Tube	-	Tube	-
数据速率 Data Rate	SDR	SDR	SDR	SDR	SDR	-	SDR	-
类型 Type	Synchronous	Synchronous	Synchronous	Synchronous	Synchronous	-	Synchronous	-
Number of Ports	4	8	4	4	4	-	2	-
Moisture Sensitive	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	-	Yes	-
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	800	1000	2000	800	72	-	72	-

推荐资源

我想学嵌入式.....: 我会编程语言c++,asp,java 现在想学嵌入式.. 找了一些资料还是有点迷茫.. 望各位达人指点一下... 非常感谢......; eddy326 嵌入式系统

关于#define和sbit的区别: #defined P01=P0^1; sbit P01=P0^1; 请问下这2个有却别吗?用以来像执行P01=0;P01=1;感觉一样 ...; 5532 嵌入式系统

使用增益天线时设备会增加耗电量吗？: 新手刚入门无线，老是听人们说用一根3dB增益天线覆盖面积基本能扩大一倍，但是这会使设备增加耗电量吗？...; daweittj 无线连接

C67系列的EMIFA传输速度问题: 我使用OMAPL137的是EMIFA与FPGA通信，测试发现两次通信间隔很大，用FPGA抓取信号可知两次cs下降沿时间超过了300us。。。使用的是while（1）一直读取一个地址看到的结果。求大神帮忙解决一下呢？...; 郁海难填 DSP 与 ARM 处理器

晕！是悲哀？还是庆幸？33%大学生呈现双性化性别特征: 　　当代大学生性别角色悄然变化　　近年来，“超女”、“加油，好男儿”等娱乐节目在青少年中间产生了很大的影响。一时间，中性打扮的“超女们”成了众多女孩追逐与效仿的对象，而有点女子 ......; 绿茶聊聊、笑笑、闹闹

bootloader?内存？: 写了一个bootloader，已可以稳定运行，现在换了一块不同的RAM芯片，修改bootloader中对应参数后，不能工作；跟进后发现访问内存时出错，即在loader程序和应用程序拷贝到内存时都会挂掉，各位 ......; tigerlikes 嵌入式系统

ARM架构中的程序执行与调用

1. 几个名词 ABI ：可执行文件必须遵守的规范，以在特定执行环境中运行；单独产生的可重定址的文件必须遵守的规范，以用来链接和执行。 EABI: 适用于嵌入式环境的ABI PCS：程序调用规范（Procedure Call Standard） AAPCS： PCS for ARM Architecture AAPCS定义了单独编译、单独汇编的程序是如何一起工作的。 Ro...[详细]
单片机main函数退出后发生什么——以stm32为例

网上搜索可能因为大家不太关心这种情况，我没有找到有关论述单片机main函数退出的文章。不过在ST Community、阿莫BBS、StackOverflow看到有人在问同样的问题，下面摘录了一些不同角度的回答： C语言环境角度，三种可能性编译器在main函数后加入隐性的无限循环编译器在main外面添加一层无限循环 CPU继续向下取址运行（也就是跑飞了）单片机设计角度，退出会引发异常、...[详细]
STM32学习笔记之中断应用概览--以f103为例

　　异常类型　　F103 在内核水平上搭载了一个异常响应系统，支持为数众多的系统异常和外部中断。其中系统异常有8 个(如果把Reset 和HardFault 也算上的话就是10 个)，外部中断有60个。除了个别异常的优先级被定死外，其它异常的优先级都是可编程的。有关具体的系统异常和外部中断可在标准库文件stm32f10x.h 这个头文件查询到，在IRQn_Type 这个结构体里面包含了F10...[详细]
这可能是你没见过的！R型电梯变压器的神奇之处！

现在我们住的房子大部分都是电梯楼，主要原因是上下楼梯比较方便！它还能让生活更舒适。它甚至有助于提高房地产的附加值。最重要的是，别墅用的电梯不贵，一台几万元。有了这个装置，可以节省老人和孩子上下楼梯的时间，方便、安全、快捷。为了降低振动和噪声，使电梯环境质量达到相关标准的要求，目前许多电梯厂家。通常配电设备会选择使用r型电梯变压器来改变电压。在安全改变电压的同时，其多重保护功能也可以降低电梯的事故...[详细]
和燃油车相比电动汽车是否续航更久

无论是电动车还是普通的燃油车，对于绝大多数购车者来说，最终的使用成本都是他们最关心的，对于燃油车来说，如何省油是驾驶者最在意的地方，那么对于电动车来说，如何省电就成为了驾驶者最在意的地方，今天我们就来聊聊对于电动车来说怎么开才能更省电。对于开惯了燃油车的老司机来说，高速巡航状态一定是大家最喜欢的行驶场景了，毕竟在这种情况下车辆的油耗非常低，也许平常一箱油只能跑四五百公里，但是如果全程高速的...[详细]
变电站高清智能视频监控解决方案

近几年来，随着IEC61850标准的应用和光电互感器的研发和投入使用，数字化变电站概念已在工程实践中得到应用，全国已建成一定数量的数字化变电站，数字化变电站试点工作也在开展。而我国智能电网的研究已经启动，作为电网重要组成部分，数字化变电站领域的研究和试点工作也将为智能电网的发展打下基础。数字化变电站使变电站的所有信息采集、传输、处理、输出过程由过去的模拟信息转换为数字信息，并建立与之相适应...[详细]
LED损坏原因及延长寿命方法讨论

　　白光LED属于电压敏感型的器件，在实际工作中是以20mA的电流为上限，但往往会由于在使用中的各种原因而造成电流增大，如果不采取保护措施，这种增大的电流超过一定的时间和幅度后LED就会损坏。　　造成LED损坏的原因主要有：　　①供电电压的突然升高。　　②线路中某个组件或印制线条或其他导线的短路而形成LED供电通路的局部短路，使这个地方的电压增高。　　③某个LED因为自身的质量原因损...[详细]
智驭未来出行，臻测安全新境：罗德与施瓦茨亮相汽车测试盛会ATE 2025

8月27日，汽车测试及质量监控博览会(以下简称“ATE 2025”)即将拉开帷幕。罗德与施瓦茨（以下简称“R&S”）在本次展会上，围绕“智驭未来出行，臻测安全新境”主题，展示汽车测试相关六大解决方案，覆盖车外通信、车内网络、车外感知、以及整车验证等全测试场景。R&S旨在通过前沿、精准且高度可靠的测试解决方案，为智能网联汽车从研发到量产的每一环节提供强大的技术支撑，助力客户克服新技术挑战、提升安全...[详细]
文远知行发布一段式端到端辅助驾驶解决方案，预计2025年内量产上车

8月21日，文远知行WeRide正式推出与博世合作的一段式端到端辅助驾驶解决方案——WePilot AiDrive，这距离双方合作的“两段式端到端”方案量产上车仅半年。目前，WePilot AiDrive已完成核心功能验证，预计2025年内实现量产上车，助力全球辅助驾驶行业走向更智能、更高效、更普适的大规模应用阶段。据悉，相比先感知再决策的传统两段式架构，文远知行WePilot Ai...[详细]
工信部推动制定首个电器电子产品有害物质管控强制性国家标准

8 月 22 日消息，据工信部官网消息，近日，我国电器电子产品有害物质管控领域首个强制性国家标准《电器电子产品有害物质限制使用要求》（GB 26572—2025）经国家标准化管理委员会批准发布，将于 2027 年 8 月 1 日正式实施。该标准由工业和信息化部提出并归口管理，中国电子技术标准化研究院联合电器电子行业生产制造企业、认证检测机构、行业协会及科研院所等 60 余家单位共同研制。从官方...[详细]
stm32与BQ4050通讯

最近在做一个关于电池管理的项目，用到了TI公司的BQ4050，这个IC是专门对电池进行管理、保护和数据采集的，在TI配套的上位机中可以对这个芯片进行配置，具体的配置方法还有各种寄存器的意义可以参照手册，实际上我对怎么配置这个IC也不怎么明白，基本上是按照默认配置来的。不过因为项目中我们用到四串的电池，所以必须配置为4串，不然第四个电池就不能获取到电压。具体的寄存器描述如图：接下来，我们...[详细]
关于电动汽车在日常使用时的一些注意事项

电动车自燃的诱因基本上分为三种：第一种，碰撞事故而导致电池组件受到穿刺等致命的伤害，部分电池电解液与负极发生反应，随之正极和电解质都会发生分解，从而导致大规模短路并造成热失控起火燃烧；第二种，诱因则是外部温度过高或者电池组内部出现散热问题导致自燃，这里面一般对于温控系统有关，温控系统故障导致过热而产生自燃情况。最后一种，则是化学诱因，这与此前某品牌手机出现大规模爆炸的原理类似，都是由...[详细]
电动汽车的轮胎真的是越大就越费电吗

轮胎对于汽车来说，是很重要的一个部件，关乎车辆的用车体验，我们在日常生活中和汽车几乎是分不开的对于轮胎来说，根据轮胎对于车辆在行车当中的作用来说，轮胎越大对于车辆的稳定性就越好，但是不足点就是车辆会导致车辆的对于车辆的在运转的过程当中加大轮胎与路面之间的阻力，而不管是纯电动汽车还是燃油车，都会有这种的影响，对于电动汽车来说，轮胎越大是费电的。首先从轮胎的结构上面来说，轮胎在结构上面，是由轮...[详细]
AI演进：推动5G与Wi-Fi连接方式的变革

通过高通X85 5G调制解调器及射频和高通FastConnect 7900移动连接系统支持的AI连接技术，蜂窝网络与Wi-Fi网络之间可实现无缝切换，从而提升游戏和视频通话等应用的实时性能表现。 AI通过智能管理网络切换并优先处理Zoom、WhatsApp等OTT服务的流量，降低移动游戏时延、防止视频通话中断，从而显著增强用户体验。 AI可同时优化性能和效率，根据应用程序的需求动...[详细]
基于DIL的转向系统SOTIF场景开发分析

【摘要】为了提高智能网联汽车横向主动安全，将转向系统（EPS）的非预期功能安全场景识别和定义融入系统设计与开发环节。结合场景域分析、等价类和边界值技术，通过解构EPS相关车辆模型变体和横向运动场景，从EPS已知的运行场景中拓展出更多可能存在风险的工作场景。同时，利用基于半实物仿真的驾驶员在环系统（DIL），凭借其“人-车-环境”闭环的优势，使得更多未知风险场景转变为有效的已知场景，进而优化现有...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多