Datasheet> 器件分类 > 存储> IS61LPS25672A-250B1-TR

IS61LPS25672A-250B1-TR: 产品描述SRAM 18Mb 256Kx72 250MHz Sync SRAM 3.3v; 产品类别存储; 文件大小367KB，共35页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

IS61LPS25672A-250B1-TR在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	IS61LPS25672A-250B1-TR	-	-	点击查看	点击购买

IS61LPS25672A-250B1-TR概述

SRAM 18Mb 256Kx72 250MHz Sync SRAM 3.3v

IS61LPS25672A-250B1-TR规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	SRAM
RoHS	N
Memory Size	18 Mbit
Organization	256 k x 72
Access Time	2.6 ns
Maximum Clock Frequency	250 MHz
接口类型 Interface Type	Parallel
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.465 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	3.135 V
Supply Current - Max	600 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	0 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 70 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	PBGA-209
系列 Packaging	Reel
数据速率 Data Rate	SDR
类型 Type	Synchronous
Number of Ports	8
Moisture Sensitive	Yes
NumOfPackaging	1
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1000

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

IS61VPS25672A IS61LPS25672A

IS61VPS51236A IS61LPS51236A

IS61VPS102418A IS61LPS102418A

256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18

18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED,

SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM

FEATURES

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control and Global Write

• Clock controlled, registered address, data and

control

• Burst sequence control using MODE input

• Three chip enable option for simple depth

expansion and address pipelining

• Common data inputs and data outputs

• Auto Power-down during deselect

• Single cycle deselect

• Snooze MODE for reduced-power standby

• JTAG Boundary Scan for PBGA package

• Power Supply

LPS: V

3.3V + 5%, V

DDQ

3.3V/2.5V + 5%

VPS: V

2.5V + 5%, V

DDQ

2.5V + 5%

• JEDEC 100-Pin TQFP, 119-ball PBGA, 165-ball

PBGA, and 209-ball (x72) packages

• Lead-free available

MAY 2010

DESCRIPTION

The

ISSI

IS61LPS/VPS51236A, IS61LPS/VPS102418A,

and IS61LPS/VPS25672A are high-speed, low-power syn-

chronous static RAMs designed to provide burstable, high-

performance memory for communication and networking

applications. The IS61LPS/VPS51236A is organized as

524,288 words by 36 bits, the IS61LPS/VPS102418A is

organized as 1,048,576 words by 18 bits, and the IS61LPS/

VPS25672A is organized as 262,144 words by 72 bits.

Fabricated with

ISSI

's advanced CMOS technology, the

device integrates a 2-bit burst counter, high-speed SRAM

core, and high-drive capability outputs into a single mono-

lithic circuit. All synchronous inputs pass through regis-

ters controlled by a positive-edge-triggered single clock

input.

Write cycles are internally self-timed and are initiated by

the rising edge of the clock input. Write cycles can be one

to four bytes wide as controlled by the write control inputs.

Separate byte enables allow individual bytes to be written.

The byte write operation is performed by using the byte

write enable (BWE) input combined with one or more

individual byte write signals (BWx). In addition, Global

Write (GW) is available for writing all bytes at one time,

regardless of the byte write controls.

Bursts can be initiated with either

ADSP

(Address Status

Processor) or

ADSC

(Address Status Cache Controller)

input pins. Subsequent burst addresses can be generated

internally and controlled by the

ADV

(burst address

advance) input pin.

The mode pin is used to select the burst sequence order,

Linear burst is achieved when this pin is tied LOW.

Interleave burst is achieved when this pin is tied HIGH or

left floating.

FAST ACCESS TIME

Symbol

Parameter

Clock Access Time

Cycle Time

Frequency

250

2.6

250

200

3.1

200

Units

MHz

Copyright © 2010 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability

arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on any

published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. N

02/12/2010

IS61LPS25672A-250B1-TR相似产品对比

	IS61LPS25672A-250B1-TR	IS61LPS51236A-250B3-TR	IS61VPS51236A-200TQI-TR	IS61LPS51236A-200TQI-TR	IS61LPS51236A-200TQI	IS61LPS51236A-250B3	IS61LPS102418A-200TQ	IS61VPS51236A-250B3
描述	SRAM 18Mb 256Kx72 250MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 512Kx36 250MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 512Kx36 Sync SRAM 2.5v	SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 512Kx36 250MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 1Mbx18 200MHz Sync SRAM 3.3v	SRAM 18Mb 512Kx36 Sync SRAM 2.5v
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	-	Attribute Value	-
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	-	ISSI(芯成半导体)	-
产品种类 Product Category	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	-	SRAM	-
RoHS	N	N	N	N	N	-	N	-
Memory Size	18 Mbit	18 Mbit	18 Mbit	18 Mbit	18 Mbit	-	18 Mbit	-
Organization	256 k x 72	512 k x 36	512 k x 36	512 k x 36	512 k x 36	-	1 M x 18	-
Access Time	2.6 ns	2.6 ns	3.1 ns	3.1 ns	3.1 ns	-	3.1 ns	-
Maximum Clock Frequency	250 MHz	250 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	-	200 MHz	-
接口类型 Interface Type	Parallel	Parallel	Parallel	Parallel	Parallel	-	Parallel	-
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.465 V	3.465 V	2.625 V	3.465 V	3.465 V	-	3.465 V	-
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	3.135 V	3.135 V	2.375 V	3.135 V	3.135 V	-	3.135 V	-
Supply Current - Max	600 mA	450 mA	475 mA	475 mA	475 mA	-	425 mA	-
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	0 C	0 C	- 40 C	- 40 C	- 40 C	-	0 C	-
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 70 C	+ 70 C	+ 85 C	+ 85 C	+ 85 C	-	+ 70 C	-
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	-	SMD/SMT	-
封装 / 箱体 Package / Case	PBGA-209	FBGA-165	TQFP-100	TQFP-100	TQFP-100	-	TQFP-100	-
系列 Packaging	Reel	Reel	Reel	Reel	Tube	-	Tube	-
数据速率 Data Rate	SDR	SDR	SDR	SDR	SDR	-	SDR	-
类型 Type	Synchronous	Synchronous	Synchronous	Synchronous	Synchronous	-	Synchronous	-
Number of Ports	8	4	4	4	4	-	2	-
Moisture Sensitive	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	-	Yes	-
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1000	2000	800	800	72	-	72	-

推荐资源

WEBENCH传感器设计，特别方便: 204841 204842 真是一键式设计，特别方便 ...; dingling 模拟与混合信号

SJA1000独立的CAN控制器应用指南: 前面介绍了SJA1000独立的CAN控制器的工作原理和电路本文将介绍SJA1000独立的CAN控制器应用指南以变可以更好的运用SJA1000...; rain 工业自动化与控制

请教各位: 大神们，看一下我这个程序，多路超声波测距。但是测的不正确，返回的是随机值，不知道是什么原因 ...; 似水ai流年模拟电子

请教关于pwm波相位的问题？: cortex LM3S系列的单片机中的pwm模块能否对pwm波进行相位设置？如能大概怎么操作？...; 5e2tjiang 嵌入式系统

中国做模拟IC还有前途吗？: 工作难找啊研究生毕业才刚入门，都没人要！一般都去做数字了。...; ZYXWVU 模拟电子

电荷泵升压电路的输入电压高低对输出电压有什么影响？: 升压芯片，例如MC34063，输入电压通常比较宽，有的达到5-30V，那么，输入5V和30V对输出电压有没有影响呢？我想，输入电压高一些，应该输出电压的纹波会小一些。因为内部电荷泵充电时间变短了。 ......; 飞絮模拟电子

马斯克：特斯拉FSD V14驾驶表现将优于人类司机，它“感觉像是有生命的”

8月24日消息，特斯拉CEO埃隆· 马斯克透露了即将发布的FSD V14的相关信息，他表示V14的驾驶表现将优于人类司机。特斯拉FSD负责人阿肖克去年曾表示，FSD在2024年初的12.5版本相比年初已有100倍提升，而V13版本预计可实现1000倍的进步。用户@jamesdouma推测，如果V14在初期测试阶段的表现如马斯克所言，相比现有的V13有明显提升，那么成熟后的V14可能会使FSD进...[详细]
汽车电子锁屏蔽器到底有多可怕

干扰器是一种信号屏蔽器，主要是由一块芯片和一个无线电发射装置组成。当车主按下遥控器锁门键时，干扰器通过发射与汽车遥控器相同的频率来干扰电子锁接收遥控器信号，使汽车服务器得不到锁门的命令，车主锁门时，虽然也会听到“咔嗒”的声音，但车门并没有真正锁上。待车主误认为车门已锁(其实车门未锁)离开后，嫌疑人将车门打开实施盗窃在过去的几年里，有上百起案件报告了手提包，钱包，公文包和行李被盗，上述所有情...[详细]
基于8051内核的远程直流电源监控系统设计

1 Introduction In the mid-1960s, American scientist Maas conducted extensive experimental research on the charging process of open-cell batteries and proposed an acceptable charging curve for ...[详细]
让混动不再尴尬岚海智混堪称混动技术“终极答案”？

8月22日，岚图汽车在央视新闻《顶级实验室》的直播间，把一项叫作“岚海智混”的新技术推到公众面前。名字听上去像是又一个新名词，但仔细往下看，你会发现这并不是简单的技术叠加，而是一次彻底重构;它把800V高压平台、63kWh大电池、全温域5C超充组合到一起，用最硬核的方式回答了一个长期存在的问题：混动究竟是不是过渡方案？要知道，在新能源车的发展进程里，混动一直处在一个尴尬的位置,它既不...[详细]
电池工厂投产，市场未到：BlueOval SK面临需求落差

2025年夏天，福特与SK On合资的BlueOval SK在肯塔基的首座电池工厂正式投产。按照最初的设想，这里将是福特电动化战略的心脏，承载着F-150 Lightning和E-Transit的续航升级，也象征着美国电池产业链的“回流”。但现实远不如蓝图乐观：工厂的产能利用率不足一半，原计划的岗位缩减近千个，市场对电动车的需求放缓，补贴与政策红利也在逐渐收窄。在这座工厂开出的...[详细]
电动汽车需要像燃油车一样进行提前热车吗

对于热车来说，最早是源于燃油车，热车可以让发动机能够更好的进入比较好的工作状态，确保发动机能够有好的润滑条件，这也成为了开车出门前大部分人都有“热车”的习惯。而对于电动汽车来说，没有发动机等油路系统，那么需要提前热车吗？根据电动汽车的构造来说，电动汽车是由三电等部件组成，根据电动汽车的使用环境来说，确定是否需要提前热车，电动汽车采用的是锂电池，根据锂电池的特性来说，在低温的时候会因为温度导...[详细]
储能设备的人机交互模块需要符合什么要求？

1、易于使用：人机交互模块应该设计得简单明了，使用户能够轻松地操作和设置储能设备。 2、易于维护：人机交互模块应该设计得易于维护，以便用户能够快速和方便地检查和修理储能设备。 3、可靠性高：人机交互模块应该设计得可靠，以确保储能设备能够长时间运行，并且不会出现故障。 4、数据记录：人机交互模块应该能够记录储能设备的运行数据，以便用户能够监视和跟踪储能设备的工作情况。 5、安全性：人机交互模块应该...[详细]
SMT贴片机的秘密日记：性能状态检测的内幕

SMT贴片机是表面贴装技术（Surface Mount Technology）中的重要设备，它的性能状态对电子制造的质量和效率有着决定性的影响。因此，对SMT贴片机的主要指标性能进行定期检测非常重要。以下是一些主要的检测项目：定位精度：定位精度是SMT贴片机的核心性能指标，它直接影响到贴片的准确性。通常，我们通过重复测量贴片机在X、Y轴上的移动误差来检测其定位精度。贴片速度：贴片速度...[详细]
应用案例 | 当机械臂抓取物料时，如何精准拿捏尺度？

随着工业自动化行业的不断发展，可以看到越来越多的智能设备采用灵活、高效、精准的机械臂完成定位抓取、组装等。最常见的是使用机器视觉应用，机器视觉将目标物体的图像信息通过光学设备和传感器获取后，将其转化为数字化信息（坐标位置和角度），并依据控制单元指导，使机器可以有效地执行任务。但这次的任务中，我们选择了更经济的激光位移测距方案来实现机械臂的定位抓取，本期小明就来分享一下具体的应用情况~...[详细]
未按要求上报自动驾驶相关交通事故，特斯拉面临美交通部门调查

8 月 22 日消息，据美国 CNBC 今日报道，美国国家公路交通安全管理局（NHTSA）正对特斯拉发起调查，后者被质疑是否未按规定及时上报涉及其自动驾驶系统的交通事故。 NHTSA 在文件中指出，特斯拉的多份事故报告比事故发生晚了数月才提交。特斯拉解释称，这是数据收集系统出现问题所致，目前已修复。按规定，车企必须在知晓事故五天内上报。NHTSA 将通过一次“审计查询”来确认特斯拉是否合规，并...[详细]
一文读懂回流焊设备选购：如何在众多品牌中抉择

回流焊作为一种电子组装工艺，已经成为电子制造行业的重要环节。回流焊设备的选购对于提高生产效率、降低生产成本以及保证产品质量具有重要意义。那么，在面对众多回流焊设备品牌和型号时，如何选购一台好的回流焊设备呢？本文将从以下几个方面为您提供选购指南。一、设备性能加热方式：回流焊设备的加热方式主要有热风循环加热和红外辐射加热。热风循环加热具有加热均匀、温度控制精确的优点，是目前市场上主流的加热方...[详细]
STM32-电源控制、低功耗模式

STM32的电源控制 STM32的电源框图 STM32的工作电压（VDD）为2.0～3.6V。通过内置的电压调节器提供所需的1.8V电源。当主电源VDD掉电后，通过VBAT脚为实时时钟(RTC)和备份寄存器提供电源。下面是STM32的电源框图：注意：框图中的VDDA和VSSA必须分别联到VDD和VSS。独立的A/D转换器供电和参考电压为了提高转换的精确度，ADC使用一个独立的...[详细]
【E问E答】电子产品一定要可以修理吗？

　　我最近在《华尔街日报》看到一篇题为“我们需要能维修自己的电子小玩意儿的权利(We need the right to repair our gadgets)”的文章(参考原文：)，作者对于众多电子产品看来是“有计画的废弃(planned obsolescence)”之现象非常愤怒，认为大众应该要求电子产品可以被维修。　　但实际的情况是，举例来说，家家都有的电视机如果故障了，修理费用可能...[详细]
教你快速看懂手机屏幕的真实门道

　　手机好不好，屏幕是第一眼看到的，手机屏幕的好坏直接关系到视觉和操作效果。但是了解手机屏幕需要大量的专业知识，没有知识背景的一般人根本看不懂，讲起来也很复杂。在这里，教授用最简单的话，把手机屏幕的基本知识和大伙一起分析分析。　　看手机屏幕参数，除了要看分辨率和屏幕尺寸之外，还要看手机屏幕的材质，这是影响屏幕色彩表现力和细腻程度更重要的原因。根据材质的不同，手机屏幕可以分为LCD(液晶显示...[详细]
采用 GaN 的 Cyclo 转换器如何帮助优化微型逆变器和便携式电源设计

1. 简介微型逆变器中的功率转换系统通常采用两级式设计，如图 1-1 所示。图 1-1. 微型逆变器两级拓扑在这种方案中，首先是一个直流/直流级（反激式或推挽式升压级），然后是另一个交流/直流级（自换向交流/直流或图腾柱 PFC），将光伏电池板提供的直流电转换为通常在 400VDC 左右的临时直流总线。然后，根据国家或地区的电网情况，将直流总线转换为交流电压 (110VAC...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多