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71V2546S100PFG8: 产品描述SRAM 4M X36 2.5V I/O SLOW ZBT; 产品类别存储存储; 文件大小718KB，共22页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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71V2546S100PFG8概述

SRAM 4M X36 2.5V I/O SLOW ZBT

71V2546S100PFG8规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Integrated Device Technology
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	TQFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100
制造商包装代码	PKG100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
Samacsys Description	TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM
最长访问时间	5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e3
长度	20 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	100
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.04 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

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	71V2546S100PFG8	71V2546S133PFG	71V2546S100BGI8	71V2546S133PFG8	71V2546S150PFG8	71V2546S100PFG	71V2546S133BG8
描述	SRAM 4M X36 2.5V I/O SLOW ZBT	SRAM 4M X36 2.5V I/O SLOW ZBT	SRAM 4MEG ZBT W/ 2.5V I/O	SRAM 4M X36 2.5V I/O SLOW ZBT	SRAM 4M X36 2.5V I/O SLOW ZBT	SRAM 4M X36 2.5V I/O SLOW ZBT	SRAM 4MEG ZBT W/ 2.5V I/O
Brand Name	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology
是否无铅	不含铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	符合	符合	符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	TQFP	TQFP	PBGA	TQFP	TQFP	TQFP	PBGA
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	BGA, BGA119,7X17,50	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	BGA, BGA119,7X17,50
针数	100	100	119	100	100	100	119
制造商包装代码	PKG100	PKG100	BG119	PKG100	PKG100	PKG100	BG119
Reach Compliance Code	compliant	compliant	not_compliant	compliant	compliant	compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	5 ns	4.2 ns	5 ns	4.2 ns	3.8 ns	5 ns	4.2 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	133 MHz	100 MHz	133 MHz	150 MHz	100 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e3	e3	e0	e3	e3	e3	e0
长度	20 mm	20 mm	22 mm	20 mm	20 mm	20 mm	22 mm
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	36	36	36	36	36	36	36
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	119	100	100	100	119
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	BGA	LQFP	LQFP	LQFP	BGA
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	225	260	260	260	225
电源	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	2.36 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	2.36 mm
最大待机电流	0.04 A	0.04 A	0.045 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.25 mA	0.3 mA	0.25 mA	0.3 mA	0.325 mA	0.25 mA	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	OTHER	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	GULL WING	GULL WING	BALL	GULL WING	GULL WING	GULL WING	BALL
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	BOTTOM	QUAD	QUAD	QUAD	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	20	30	30	30	20
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1
Samacsys Description	TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM	TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM	-	TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM	TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM	TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM	PBGA 14. X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH

71V2546S100PFG8

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