电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

71V2546S133PFG

产品描述SRAM 4M X36 2.5V I/O SLOW ZBT
产品类别存储    存储   
文件大小718KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

71V2546S133PFG在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
71V2546S133PFG - - 点击查看 点击购买

71V2546S133PFG概述

SRAM 4M X36 2.5V I/O SLOW ZBT

71V2546S133PFG规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码TQFP
包装说明LQFP, QFP100,.63X.87
针数100
制造商包装代码PKG100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Samacsys DescriptionTQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM
最长访问时间4.2 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e3
长度20 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.04 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1

71V2546S133PFG相似产品对比

71V2546S133PFG 71V2546S100PFG8 71V2546S100BGI8 71V2546S133PFG8 71V2546S150PFG8 71V2546S100PFG 71V2546S133BG8
描述 SRAM 4M X36 2.5V I/O SLOW ZBT SRAM 4M X36 2.5V I/O SLOW ZBT SRAM 4MEG ZBT W/ 2.5V I/O SRAM 4M X36 2.5V I/O SLOW ZBT SRAM 4M X36 2.5V I/O SLOW ZBT SRAM 4M X36 2.5V I/O SLOW ZBT SRAM 4MEG ZBT W/ 2.5V I/O
Brand Name Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology
是否无铅 不含铅 不含铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 符合 符合 符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 TQFP TQFP PBGA TQFP TQFP TQFP PBGA
包装说明 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 BGA, BGA119,7X17,50 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 BGA, BGA119,7X17,50
针数 100 100 119 100 100 100 119
制造商包装代码 PKG100 PKG100 BG119 PKG100 PKG100 PKG100 BG119
Reach Compliance Code compliant compliant not_compliant compliant compliant compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 4.2 ns 5 ns 5 ns 4.2 ns 3.8 ns 5 ns 4.2 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 100 MHz 100 MHz 133 MHz 150 MHz 100 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119
JESD-609代码 e3 e3 e0 e3 e3 e3 e0
长度 20 mm 20 mm 22 mm 20 mm 20 mm 20 mm 22 mm
内存密度 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 36 36 36 36 36 36 36
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 100 119 100 100 100 119
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP BGA LQFP LQFP LQFP BGA
封装等效代码 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 BGA119,7X17,50 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 BGA119,7X17,50
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 225 260 260 260 225
电源 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 2.36 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 2.36 mm
最大待机电流 0.04 A 0.04 A 0.045 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.3 mA 0.25 mA 0.25 mA 0.3 mA 0.325 mA 0.25 mA 0.3 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL OTHER COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Tin/Lead (Sn63Pb37) Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式 GULL WING GULL WING BALL GULL WING GULL WING GULL WING BALL
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD BOTTOM QUAD QUAD QUAD BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 20 30 30 30 20
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1
Samacsys Description TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM - TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM PBGA 14. X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH
VDD-VSS-VEE-VCC解释
一、解释  VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压;   VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压;   VSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压;   VEE:E=electron 表示构成物质的基本粒子之一,因带负电,也写作e,通常指负电压供电;  VDDH:H=high 表示高压,即高压供电端。二、说明1、对于数字...
shezl 单片机
linux下面常用的c函数!chm格式
linux下面常用的c函数!chm格式...
liulong2007 Linux与安卓
蛋帖~~
0...
ld7928 嵌入式系统
有人做过430G2553D 频率计吗?
[code]#include#include#include#include "HAL_PMM.h"#include "HAL_UCS.h"#define delay_ms(x) __delay_cycles((long)(CPU_F*(double)x/1000.0))void Up_ClockFor_20MHZ(void){SetVCore(PMMCOREV_3);// Set Vcore t...
小煜 微控制器 MCU
03年索尼杯作品
[i=s] 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:09 编辑 [/i]03年索尼杯作品...
fpga126 电子竞赛

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 242  294  367  1198  1339 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved