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KSC1730OBU_Q

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小39KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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KSC1730OBU_Q概述

Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

KSC1730OBU_Q规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ON Semiconductor(安森美)
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHSN
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-92-3
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max15 V
Collector- Base Voltage VCBO30 V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Maximum DC Collector Current0.05 A
Gain Bandwidth Product fT1.1 GHz
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
高度
Height
4.58 mm
长度
Length
4.58 mm
系列
Packaging
Bulk
宽度
Width
3.86 mm
Continuous Collector Current0.05 A
DC Collector/Base Gain hfe Min70
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
250 mW
单位重量
Unit Weight
0.008466 oz

KSC1730OBU_Q相似产品对比

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描述 Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor TRANSISTOR NPN 15V 50MA TO-92 TRANSISTOR NPN 15V 50MA TO-92 TRANSISTOR NPN 15V 50MA TO-92
晶体管类型 - - NPN NPN NPN
电压 - 集射极击穿(最大值) - - 15V 15V 15V
频率 - 跃迁 - - 1.1GHz 1.1GHz 1.1GHz
功率 - 最大值 - - 250mW 250mW 250mW
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - - 120 @ 5mA,10V 70 @ 5mA,10V 120 @ 5mA,10V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - - 50mA 50mA 50mA
工作温度 - - 150°C(TJ) 150°C(TJ) 150°C(TJ)
安装类型 - - 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 - - TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装 - - TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

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