Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
参数名称 | 属性值 |
Product Attribute | Attribute Value |
制造商 Manufacturer | ON Semiconductor(安森美) |
产品种类 Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
RoHS | Details |
安装风格 Mounting Style | Through Hole |
封装 / 箱体 Package / Case | TO-92-3 Kinked Lead |
Transistor Polarity | NPN |
Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 15 V |
Collector- Base Voltage VCBO | 30 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.5 V |
Maximum DC Collector Current | 0.05 A |
Gain Bandwidth Product fT | 1.1 GHz |
最小工作温度 Minimum Operating Temperature | - 55 C |
最大工作温度 Maximum Operating Temperature | + 150 C |
DC Current Gain hFE Max | 240 |
高度 Height | 4.58 mm |
长度 Length | 4.58 mm |
系列 Packaging | Ammo Pack |
宽度 Width | 3.86 mm |
Continuous Collector Current | 0.05 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 40 |
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation | 250 mW |
工厂包装数量 Factory Pack Quantity | 2000 |
单位重量 Unit Weight | 0.008466 oz |
KSC1730OTA | KSC1730OBU_Q | KSC1730YTA | KSC1730OBU | KSC1730YBU | |
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描述 | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | TRANSISTOR NPN 15V 50MA TO-92 | TRANSISTOR NPN 15V 50MA TO-92 | TRANSISTOR NPN 15V 50MA TO-92 |
晶体管类型 | - | - | NPN | NPN | NPN |
电压 - 集射极击穿(最大值) | - | - | 15V | 15V | 15V |
频率 - 跃迁 | - | - | 1.1GHz | 1.1GHz | 1.1GHz |
功率 - 最大值 | - | - | 250mW | 250mW | 250mW |
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) | - | - | 120 @ 5mA,10V | 70 @ 5mA,10V | 120 @ 5mA,10V |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | - | - | 50mA | 50mA | 50mA |
工作温度 | - | - | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
安装类型 | - | - | 通孔 | 通孔 | 通孔 |
封装/外壳 | - | - | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
供应商器件封装 | - | - | TO-92-3 | TO-92-3 | TO-92-3 |
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