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MR256A08BSO35R: 产品描述NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共24页; 制造商Everspin Technologies; 标准

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MR256A08BSO35R概述

NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM

MR256A08BSO35R规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Everspin Technologies
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP, SOP32,.4
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	35 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
长度	20.726 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	8
混合内存类型	N/A
功能数量	1
端子数量	32
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP32,.4
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.54 mm
最大待机电流	0.007 A
最大压摆率	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	1.25 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.505 mm

MR256A08BSO35R相似产品对比

	MR256A08BSO35R	MR256A08BMA35R	MR256A08BCMA35	MR256A08BMA35	MR256A08BCSO35R	MR256A08BCYS35R
描述	NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM	NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM	NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM	NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM	NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 35ns Parallel MRAM	NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Everspin Technologies	Everspin Technologies	Everspin Technologies	Everspin Technologies	Everspin Technologies	Everspin Technologies
零件包装代码	SOIC	BGA	BGA	BGA	SOIC	TSOP2
包装说明	SOP, SOP32,.4	LFBGA, BGA48,6X8,30	LFBGA, BGA48,6X8,30	LFBGA, BGA48,6X8,30	SOP, SOP32,.4	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数	32	48	48	48	32	44
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	S-PBGA-B48	S-PBGA-B48	S-PBGA-B48	R-PDSO-G32	R-PDSO-G44
长度	20.726 mm	8 mm	8 mm	8 mm	20.726 mm	18.41 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	8	8	8	8	8	8
混合内存类型	N/A	N/A	N/A	N/A	N/A	N/A
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	48	48	48	32	44
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	LFBGA	LFBGA	LFBGA	SOP	TSOP2
封装等效代码	SOP32,.4	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	SOP32,.4	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.54 mm	1.35 mm	1.35 mm	1.35 mm	2.286 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.007 A	0.007 A	0.007 A	0.007 A	0.007 A	0.007 A
最大压摆率	0.065 mA	0.065 mA	0.065 mA	0.065 mA	0.075 mA	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	BALL	BALL	BALL	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.25 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	1.25 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40
宽度	7.505 mm	8 mm	8 mm	8 mm	7.505 mm	10.16 mm

MR256A08BSO35R

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