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IRFZ40

产品描述50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小195KB,共5页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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IRFZ40概述

50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

IRFZ40规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)53 mJ
配置SINGLE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)51 A
最大漏极电流 (ID)50 A
最大漏源导通电阻0.028 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值150 W
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)210 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)205 ns
最大开启时间(吨)242 ns
Base Number Matches1

IRFZ40相似产品对比

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描述 50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB POWER, FET POWER, FET 50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
零件包装代码 SFM SFM SFM SFM
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 TO-220, 3 PIN FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 53 mJ 53 mJ 53 mJ -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 50 V 60 V 50 V -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 51 A 50 A 46 A -
最大漏极电流 (ID) 50 A 50 A 35 A -
最大漏源导通电阻 0.028 Ω 0.028 Ω 0.035 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB -
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 -
元件数量 1 1 1 -
端子数量 3 3 3 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
功耗环境最大值 150 W 150 W 150 W -
最大功率耗散 (Abs) 125 W 150 W 125 W -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 210 A 210 A 190 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO NO NO -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON -
最大关闭时间(toff) 205 ns 205 ns 205 ns -
最大开启时间(吨) 242 ns 242 ns 242 ns -
厂商名称 - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
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