IS61LV12824-10B: 产品描述SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v; 产品类别存储; 文件大小76KB，共14页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

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IS61LV12824-10B概述

SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v

IS61LV12824-10B规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	SRAM
RoHS	N
Memory Size	3 Mbit
Organization	128 k x 24
Access Time	10 ns
接口类型 Interface Type	Parallel
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.63 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.97 V
Supply Current - Max	180 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	0 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 70 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	PBGA-119
系列 Packaging	Tube
数据速率 Data Rate	SDR
类型 Type	Asynchronous
Number of Ports	1
Moisture Sensitive	Yes
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	84

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IS61LV12824

128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

WITH 3.3V SUPPLY

FEATURES

• High-speed access time: 8, 10 ns

• CMOS low power operation

— 756 mW (max.) operating @ 8 ns

— 36 mW (max.) standby @ 8 ns

• TTL compatible interface levels

• Single 3.3V power supply

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

• Available in 119-pin Plastic Ball Grid Array

(PBGA) and 100-pin TQFP packages.

• Industrial temperature available

• Lead-free available

ISSI

JUNE 2005

DESCRIPTION

The

ISSI

IS61LV12824 is a high-speed, static RAM organized

as 131,072 words by 24 bits. It is fabricated using

ISSI

's high-

performance CMOS technology. This highly reliable process

coupled with innovative circuit design techniques, yields ac-

cess times as fast as 8 ns with low power consumption.

When

CE1, CE2

are HIGH and CE2 is LOW (deselected), the

device assumes a standby mode at which the power dissipa-

tion can be reduced down with CMOS input levels.

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs,

CE1,

CE2,

CE2

and

OE.

The active

LOW Write Enable (WE) controls both writing and reading of

the memory.

The IS61LV12824 is packaged in the JEDEC standard

119-pin PBGA and 100-pin TQFP.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A0-A16

DECODER

128K x 24

MEMORY ARRAY

VCC

GND

I/O

DATA

CIRCUIT

I/O0-I/O23

COLUMN I/O

CE2

CE1

CE2

CONTROL

CIRCUIT

Copyright © 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability

arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on any

published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. D

06/22/05

IS61LV12824-10B相似产品对比

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描述	SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v	SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v	SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v	SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v	SRAM 3M (128Kx24) 8ns Async SRAM 3.3v	SRAM 3Mb 128Kx24 8ns 3.3v Async SRAM 3.3v	SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v	SRAM 3M (128Kx24) 8ns Async SRAM 3.3v	SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v
Product Attribute	Attribute Value	-	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	-
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)	-	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	-
产品种类 Product Category	SRAM	-	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	-
RoHS	N	-	Details	Details	Details	N	N	Details	-
Memory Size	3 Mbit	-	3 Mbit	3 Mbit	3 Mbit	3 Mbit	3 Mbit	3 Mbit	-
Organization	128 k x 24	-	128 k x 24	128 k x 24	-	128 k x 24	128 k x 24	-	-
Access Time	10 ns	-	10 ns	10 ns	8 ns	8 ns	10 ns	8 ns	-
接口类型 Interface Type	Parallel	-	Parallel	Parallel	-	Parallel	Parallel	-	-
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.63 V	-	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	-
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.97 V	-	2.97 V	2.97 V	3.135 V	3.135 V	2.97 V	3.135 V	-
Supply Current - Max	180 mA	-	210 mA	210 mA	210 mA	210 mA	180 mA	210 mA	-
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	0 C	-	- 40 C	- 40 C	0 C	0 C	0 C	0 C	-
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 70 C	-	+ 85 C	+ 85 C	+ 70 C	+ 70 C	+ 70 C	+ 70 C	-
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	-	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	-
封装 / 箱体 Package / Case	PBGA-119	-	TQFP-100	TQFP-100	PBGA-119	TQFP-100	TQFP-100	PBGA-119	-
系列 Packaging	Tube	-	Tube	Reel	Reel	Reel	Reel	Tray	-
数据速率 Data Rate	SDR	-	SDR	SDR	SDR	SDR	SDR	SDR	-
类型 Type	Asynchronous	-	Asynchronous	Asynchronous	Asynchronous	Asynchronous	Asynchronous	Asynchronous	-
Number of Ports	1	-	1	1	1	1	1	1	-
Moisture Sensitive	Yes	-	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	-
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	84	-	72	800	1000	800	800	84	-

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