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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS61LV12824-10BL
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IS61LV12824-10BL

产品描述SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v
产品类别存储    存储   
文件大小76KB，共14页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS61LV12824-10BL在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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IS61LV12824-10BL概述

SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v

IS61LV12824-10BL规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ISSI(芯成半导体)
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA119,7X17,50
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间10 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e1
长度22 mm
内存密度3145728 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度24
功能数量1
端子数量119
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX24
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.41 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)3.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.97 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度14 mm
Base Number Matches1

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IS61LV12824
128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
WITH 3.3V SUPPLY
FEATURES
• High-speed access time: 8, 10 ns
• CMOS low power operation
— 756 mW (max.) operating @ 8 ns
— 36 mW (max.) standby @ 8 ns
• TTL compatible interface levels
• Single 3.3V power supply
• Fully static operation: no clock or refresh
required
• Three state outputs
• Available in 119-pin Plastic Ball Grid Array
(PBGA) and 100-pin TQFP packages.
• Industrial temperature available
• Lead-free available
ISSI
JUNE 2005
®
DESCRIPTION
The
ISSI
IS61LV12824 is a high-speed, static RAM organized
as 131,072 words by 24 bits. It is fabricated using
ISSI
's high-
performance CMOS technology. This highly reliable process
coupled with innovative circuit design techniques, yields ac-
cess times as fast as 8 ns with low power consumption.
When
CE1, CE2
are HIGH and CE2 is LOW (deselected), the
device assumes a standby mode at which the power dissipa-
tion can be reduced down with CMOS input levels.
Easy memory expansion is provided by using Chip Enable
and Output Enable inputs,
CE1,
CE2,
CE2
and
OE.
The active
LOW Write Enable (WE) controls both writing and reading of
the memory.
The IS61LV12824 is packaged in the JEDEC standard
119-pin PBGA and 100-pin TQFP.
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
A0-A16
DECODER
128K x 24
MEMORY ARRAY
VCC
GND
I/O
DATA
CIRCUIT
I/O0-I/O23
COLUMN I/O
CE2
CE1
CE2
OE
WE
CONTROL
CIRCUIT
Copyright © 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability
arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on any
published information and before placing orders for products.
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. D
06/22/05
1

IS61LV12824-10BL相似产品对比

IS61LV12824-10BL IS61LV12824-10TQLI IS61LV12824-10TQLI-TR IS61LV12824-10B IS61LV12824-8BL-TR IS61LV12824-8TQ-TR IS61LV12824-10TQ-TR IS61LV12824-8BL IS61LV12824-10TQI
描述 SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v SRAM 3M (128Kx24) 8ns Async SRAM 3.3v SRAM 3Mb 128Kx24 8ns 3.3v Async SRAM 3.3v SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v SRAM 3M (128Kx24) 8ns Async SRAM 3.3v SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v
Product Attribute - Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value -
制造商
Manufacturer		 - ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) -
产品种类
Product Category		 - SRAM SRAM SRAM SRAM SRAM SRAM SRAM -
RoHS - Details Details N Details N N Details -
Memory Size - 3 Mbit 3 Mbit 3 Mbit 3 Mbit 3 Mbit 3 Mbit 3 Mbit -
Organization - 128 k x 24 128 k x 24 128 k x 24 - 128 k x 24 128 k x 24 - -
Access Time - 10 ns 10 ns 10 ns 8 ns 8 ns 10 ns 8 ns -
接口类型
Interface Type		 - Parallel Parallel Parallel - Parallel Parallel - -
电源电压-最大
Supply Voltage - Max		 - 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V -
电源电压-最小
Supply Voltage - Min		 - 2.97 V 2.97 V 2.97 V 3.135 V 3.135 V 2.97 V 3.135 V -
Supply Current - Max - 210 mA 210 mA 180 mA 210 mA 210 mA 180 mA 210 mA -
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		 - - 40 C - 40 C 0 C 0 C 0 C 0 C 0 C -
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		 - + 85 C + 85 C + 70 C + 70 C + 70 C + 70 C + 70 C -
安装风格
Mounting Style		 - SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT -
封装 / 箱体
Package / Case		 - TQFP-100 TQFP-100 PBGA-119 PBGA-119 TQFP-100 TQFP-100 PBGA-119 -
系列
Packaging		 - Tube Reel Tube Reel Reel Reel Tray -
数据速率
Data Rate		 - SDR SDR SDR SDR SDR SDR SDR -
类型
Type		 - Asynchronous Asynchronous Asynchronous Asynchronous Asynchronous Asynchronous Asynchronous -
Number of Ports - 1 1 1 1 1 1 1 -
Moisture Sensitive - Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes -
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		 - 72 800 84 1000 800 800 84 -

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