NTF3055L108T3G,NTF3055L108T3G pdf中文资料,NTF3055L108T3G引脚图,NTF3055L108T3G电路-Datasheet-电子工程世界

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NTF3055L108T3G: 产品描述MOSFET 60V 3A N-Channel; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小113KB，共6页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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NTF3055L108T3G概述

MOSFET 60V 3A N-Channel

NTF3055L108T3G规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
零件包装代码	TO-261AA
包装说明	ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数	4
制造商包装代码	0.0318
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	74 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	3 A
最大漏极电流 (ID)	3 A
最大漏源导通电阻	0.12 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-261AA
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	2.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	9 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

NTF3055L108T3G相似产品对比

	NTF3055L108T3G	NTF3055L108T3	NTF3055L108T1	NTF3055L108T3LFG	NTF3055L108T3LF
描述	MOSFET 60V 3A N-Channel	MOSFET 60V 3A N-Channel	MOSFET 60V 3A N-Channel	MOSFET 60V 3A N-Channel	MOSFET 60V 3A N-Channel
零件包装代码	TO-261AA	TO-261AA	TO-261AA	TO-261AA	TO-261AA
包装说明	ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN	CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN	CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN	ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN	CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数	4	4	4	4	4
制造商包装代码	0.0318	CASE 318E-04	0.0318	CASE 318E-04	CASE 318E-04
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	unknown	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	74 mJ	74 mJ	74 mJ	74 mJ	74 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A
最大漏极电流 (ID)	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A
最大漏源导通电阻	0.12 Ω	0.12 Ω	0.12 Ω	0.12 Ω	0.12 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-261AA	TO-261AA	TO-261AA	TO-261AA	TO-261AA
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e3	e0	e0	e3	e0
湿度敏感等级	1	3	1	3	3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	240
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	2.1 W	2.1 W	2.1 W	2.1 W	2.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	9 A	9 A	9 A	9 A	9 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn80Pb20)	Tin/Lead (Sn80Pb20)	Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1	1
是否Rohs认证	-	不符合	-	符合	不符合

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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