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NTF3055L108T1

产品描述MOSFET 60V 3A N-Channel
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小113KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NTF3055L108T1在线购买

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NTF3055L108T1概述

MOSFET 60V 3A N-Channel

NTF3055L108T1规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅含铅
零件包装代码TO-261AA
包装说明CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数4
制造商包装代码0.0318
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)74 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻0.12 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-261AA
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)9 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

NTF3055L108T1相似产品对比

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描述 MOSFET 60V 3A N-Channel MOSFET 60V 3A N-Channel MOSFET 60V 3A N-Channel MOSFET 60V 3A N-Channel MOSFET 60V 3A N-Channel
零件包装代码 TO-261AA TO-261AA TO-261AA TO-261AA TO-261AA
包装说明 CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数 4 4 4 4 4
制造商包装代码 0.0318 CASE 318E-04 0.0318 CASE 318E-04 CASE 318E-04
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant unknown not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 74 mJ 74 mJ 74 mJ 74 mJ 74 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
最大漏极电流 (ID) 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
最大漏源导通电阻 0.12 Ω 0.12 Ω 0.12 Ω 0.12 Ω 0.12 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-261AA TO-261AA TO-261AA TO-261AA TO-261AA
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e0 e0 e3 e3 e0
湿度敏感等级 1 3 1 3 3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 260 240
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.1 W 2.1 W 2.1 W 2.1 W 2.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 9 A 9 A 9 A 9 A 9 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40 40 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 1
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