MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4.2 A |
最大漏极电流 (ID) | 4.2 A |
最大漏源导通电阻 | 0.036 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | MS-012AA |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2.1 W |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
SI4940DY-T1-GE3 | SI4940DY-T1 | SI4940DY-T1-E3 | SI4940DY | |
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描述 | MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | MOSFET 40V 5.7A 2.1W |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 符合 | 不符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4.2 A | 4.2 A | 4.2 A | 4.2 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2.1 W | 2.1 W | 2.1 W | 2.1 W |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
Is Samacsys | N | N | N | - |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - |
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