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SI4940DY-T1-GE3

产品描述MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小96KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4940DY-T1-GE3在线购买

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SI4940DY-T1-GE3概述

MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V

SI4940DY-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOIC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4.2 A
最大漏极电流 (ID)4.2 A
最大漏源导通电阻0.036 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.1 W
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

SI4940DY-T1-GE3相似产品对比

SI4940DY-T1-GE3 SI4940DY-T1 SI4940DY-T1-E3 SI4940DY
描述 MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V MOSFET 40V 5.7A 2.1W MOSFET 40V 5.7A 2.1W MOSFET 40V 5.7A 2.1W
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
最大漏极电流 (Abs) (ID) 4.2 A 4.2 A 4.2 A 4.2 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.1 W 2.1 W 2.1 W 2.1 W
表面贴装 YES YES YES YES
Is Samacsys N N N -
Base Number Matches 1 1 1 -

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