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SI4940DY

产品描述MOSFET 40V 5.7A 2.1W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小96KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4940DY概述

MOSFET 40V 5.7A 2.1W

SI4940DY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大漏极电流 (Abs) (ID)4.2 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.1 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

SI4940DY相似产品对比

SI4940DY SI4940DY-T1 SI4940DY-T1-E3 SI4940DY-T1-GE3
描述 MOSFET 40V 5.7A 2.1W MOSFET 40V 5.7A 2.1W MOSFET 40V 5.7A 2.1W MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
最大漏极电流 (Abs) (ID) 4.2 A 4.2 A 4.2 A 4.2 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.1 W 2.1 W 2.1 W 2.1 W
表面贴装 YES YES YES YES
Is Samacsys - N N N
Base Number Matches - 1 1 1
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