MOSFET 40V 5.7A 2.1W
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | compliant |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4.2 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2.1 W |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
SI4940DY | SI4940DY-T1 | SI4940DY-T1-E3 | SI4940DY-T1-GE3 | |
---|---|---|---|---|
描述 | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4.2 A | 4.2 A | 4.2 A | 4.2 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2.1 W | 2.1 W | 2.1 W | 2.1 W |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
Is Samacsys | - | N | N | N |
Base Number Matches | - | 1 | 1 | 1 |
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