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SI4940DY-T1-E3

产品描述MOSFET 40V 5.7A 2.1W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小96KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI4940DY-T1-E3在线购买

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SI4940DY-T1-E3概述

MOSFET 40V 5.7A 2.1W

SI4940DY-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOIC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4.2 A
最大漏极电流 (ID)4.2 A
最大漏源导通电阻0.036 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.1 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

SI4940DY-T1-E3相似产品对比

SI4940DY-T1-E3 SI4940DY-T1 SI4940DY SI4940DY-T1-GE3
描述 MOSFET 40V 5.7A 2.1W MOSFET 40V 5.7A 2.1W MOSFET 40V 5.7A 2.1W MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
最大漏极电流 (Abs) (ID) 4.2 A 4.2 A 4.2 A 4.2 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.1 W 2.1 W 2.1 W 2.1 W
表面贴装 YES YES YES YES
Is Samacsys N N - N
Base Number Matches 1 1 - 1
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