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BR24T02F-WGE2

产品描述EEPROM
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共37页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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BR24T02F-WGE2概述

EEPROM

BR24T02F-WGE2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time11 weeks
其他特性SEATED HT-CALCULATED
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
长度5 mm
内存密度2048 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数256 words
字数代码256
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.71 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.6 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1

BR24T02F-WGE2相似产品对比

BR24T02F-WGE2 BR24T02FVJ-WGE2 GUS-TS0A-02-1963-DG BR24T02NUX-WGTR BR24T02FVT-WGE2 BR24T02FVM-WGTR BR24T02FV-WE2 BR24T02FVM-WTR
描述 EEPROM EEPROM 6ch System Motor Driver For Car AV Array/Network Resistor, Isolated, Tantalum Nitride/nickel Chrome, 0.1W, 196000ohm, 100V, 0.5% +/-Tol, -50,50ppm/Cel, 2617, EEPROM I2C BUS(2-Wre) 2K VSON008X2030 EEPROM EEPROM I2C BUS(2-Wre) 2K TSSOP-B8 EEPROM EEPROM I2C BUS(2-Wre) 2K MSOP8 EEPROM EEPROM Hi-Rel Serial EEPROM of I2C BUS EEPROM Hi-Rel Serial EEPROM of I2C BUS
是否无铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 - -
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 符合 符合 符合 - -
零件包装代码 SOIC SOIC - SOIC SOIC MSOP - -
包装说明 SOP, SOP8,.25 TSSOP, TSSOP8,.19 - VSON-8 TSSOP, TSSOP8,.25 VSSOP, TSSOP8,.16 - -
针数 8 8 - 8 8 8 - -
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant - -
Factory Lead Time 11 weeks 10 weeks - 12 weeks 11 weeks 11 weeks - -
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz 0.4 MHz - 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz - -
数据保留时间-最小值 40 40 - 40 40 40 - -
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles - 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles - -
I2C控制字节 1010DDDR 1010DDDR - 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR - -
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 S-PDSO-G8 - R-PDSO-N8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 - -
长度 5 mm 3 mm - 3 mm 4.4 mm 2.9 mm - -
内存密度 2048 bit 2048 bit - 2048 bit 2048 bit 2048 bit - -
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM - EEPROM EEPROM EEPROM - -
内存宽度 8 8 - 8 8 8 - -
功能数量 1 1 - 1 1 1 - -
端子数量 8 8 20 8 8 8 - -
字数 256 words 256 words - 256 words 256 words 256 words - -
字数代码 256 256 - 256 256 256 - -
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - -
最高工作温度 85 °C 85 °C 125 °C 85 °C 85 °C 85 °C - -
最低工作温度 -40 °C -40 °C -55 °C -40 °C -40 °C -40 °C - -
组织 256X8 256X8 - 256X8 256X8 256X8 - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - -
封装代码 SOP TSSOP - HVSON TSSOP VSSOP - -
封装等效代码 SOP8,.25 TSSOP8,.19 - SOLCC8,.11,20 TSSOP8,.25 TSSOP8,.16 - -
封装形状 RECTANGULAR SQUARE - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMT SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH - -
并行/串行 SERIAL SERIAL - SERIAL SERIAL SERIAL - -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
电源 1.8/5 V 1.8/5 V - 1.8/5 V 1.8/5 V 1.8/5 V - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified - -
座面最大高度 1.71 mm 1.1 mm - 0.6 mm 1.2 mm 0.9 mm - -
串行总线类型 MICROWIRE MICROWIRE - MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE - -
最大待机电流 0.000002 A 0.000002 A - 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A - -
最大压摆率 0.002 mA 0.002 mA - 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA - -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V - -
最小供电电压 (Vsup) 1.6 V 1.6 V - 1.7 V 1.6 V 1.6 V - -
表面贴装 YES YES - YES YES YES - -
技术 CMOS CMOS TANTALUM NITRIDE/NICKEL CHROME CMOS CMOS CMOS - -
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL - INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL - -
端子形式 GULL WING GULL WING - NO LEAD GULL WING GULL WING - -
端子节距 1.27 mm 0.65 mm - 0.5 mm 0.65 mm 0.65 mm - -
端子位置 DUAL DUAL - DUAL DUAL DUAL - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
宽度 4.4 mm 3 mm - 2 mm 3 mm 2.8 mm - -
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms - 5 ms 5 ms 5 ms - -
写保护 HARDWARE HARDWARE - HARDWARE HARDWARE HARDWARE - -

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