64KX4 PAGE MODE DRAM, 100ns, PDIP18
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 访问模式 | PAGE |
| 最长访问时间 | 100 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T18 |
| 长度 | 22.48 mm |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 18 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP18,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 256 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | NMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| TMS4464-10NL | TMS4464-10FML | TMS4464-12FML | TMS4464-12NL | TMS4464-15FML | TMS4464-15NL | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 64KX4 PAGE MODE DRAM, 100ns, PDIP18 | 64KX4 PAGE MODE DRAM, 100ns, PQCC18, PLASTIC, CC-18 | 64KX4 PAGE MODE DRAM, 120ns, PQCC18, PLASTIC, CC-18 | 64KX4 PAGE MODE DRAM, 120ns, PDIP18 | 64KX4 PAGE MODE DRAM, 150ns, PQCC18, PLASTIC, CC-18 | 64KX4 PAGE MODE DRAM, 150ns, PDIP18 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | PAGE | PAGE | PAGE | PAGE | PAGE | PAGE |
| 最长访问时间 | 100 ns | 100 ns | 120 ns | 120 ns | 150 ns | 150 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T18 | R-PQCC-J18 | R-PQCC-J18 | R-PDIP-T18 | R-PQCC-J18 | R-PDIP-T18 |
| 长度 | 22.48 mm | 12.446 mm | 12.446 mm | 22.48 mm | 12.446 mm | 22.48 mm |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 64KX4 | 64KX4 | 64KX4 | 64KX4 | 64KX4 | 64KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | QCCJ | QCCJ | DIP | QCCJ | DIP |
| 封装等效代码 | DIP18,.3 | LDCC18,.33X.53 | LDCC18,.33X.53 | DIP18,.3 | LDCC18,.33X.53 | DIP18,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 256 | 256 | 256 | 256 | 256 | 256 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 3.53 mm | 3.53 mm | 5.08 mm | 3.53 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES | NO | YES | NO |
| 技术 | NMOS | NMOS | NMOS | NMOS | NMOS | NMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND | THROUGH-HOLE | J BEND | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | QUAD | DUAL | QUAD | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.366 mm | 7.366 mm | 7.62 mm | 7.366 mm | 7.62 mm |
| 包装说明 | - | QCCJ, LDCC18,.33X.53 | QCCJ, LDCC18,.33X.53 | DIP, DIP18,.3 | QCCJ, LDCC18,.33X.53 | DIP, DIP18,.3 |
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