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TMS4464-12NL

产品描述64KX4 PAGE MODE DRAM, 120ns, PDIP18
产品类别存储    存储   
文件大小449KB,共19页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

TMS4464-12NL概述

64KX4 PAGE MODE DRAM, 120ns, PDIP18

TMS4464-12NL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式PAGE
最长访问时间120 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T18
长度22.48 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型PAGE MODE DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期256
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

TMS4464-12NL相似产品对比

TMS4464-12NL TMS4464-10NL TMS4464-10FML TMS4464-12FML TMS4464-15FML TMS4464-15NL
描述 64KX4 PAGE MODE DRAM, 120ns, PDIP18 64KX4 PAGE MODE DRAM, 100ns, PDIP18 64KX4 PAGE MODE DRAM, 100ns, PQCC18, PLASTIC, CC-18 64KX4 PAGE MODE DRAM, 120ns, PQCC18, PLASTIC, CC-18 64KX4 PAGE MODE DRAM, 150ns, PQCC18, PLASTIC, CC-18 64KX4 PAGE MODE DRAM, 150ns, PDIP18
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 PAGE PAGE PAGE PAGE PAGE PAGE
最长访问时间 120 ns 100 ns 100 ns 120 ns 150 ns 150 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T18 R-PDIP-T18 R-PQCC-J18 R-PQCC-J18 R-PQCC-J18 R-PDIP-T18
长度 22.48 mm 22.48 mm 12.446 mm 12.446 mm 12.446 mm 22.48 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 18 18 18 18 18 18
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP QCCJ QCCJ QCCJ DIP
封装等效代码 DIP18,.3 DIP18,.3 LDCC18,.33X.53 LDCC18,.33X.53 LDCC18,.33X.53 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 256 256 256 256 256 256
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 3.53 mm 3.53 mm 3.53 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES YES YES NO
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND J BEND J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL QUAD QUAD QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.366 mm 7.366 mm 7.366 mm 7.62 mm
包装说明 DIP, DIP18,.3 - QCCJ, LDCC18,.33X.53 QCCJ, LDCC18,.33X.53 QCCJ, LDCC18,.33X.53 DIP, DIP18,.3
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