71V25761SA166BGGI,71V25761SA166BGGI pdf中文资料,71V25761SA166BGGI引脚图,71V25761SA166BGGI电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 71V25761SA166BGGI

71V25761SA166BGGI: 产品描述Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小324KB，共21页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

71V25761SA166BGGI概述

Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119

71V25761SA166BGGI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50
针数	119
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e1
长度	22 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	119
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.36 mm
最大待机电流	0.035 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.33 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

71V25761SA166BGGI相似产品对比

	71V25761SA166BGGI	71V25761YSA166BQGI	71V25761YSA200BQG	71V25761S183BGG	71V25761S183BGGI	71V25761SA166BGG	71V25761SA183BQG	71V25761SA183BQGI
描述	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, GREEN, FBGA-165	Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, GREEN, FBGA-165	Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119	Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119	Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, GREEN, FBGA-165	Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, GREEN, FBGA-165
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40
针数	119	165	165	119	119	119	165	165
Reach Compliance Code	compliant	unknown	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.5 ns	3.5 ns	3.1 ns	3.3 ns	3.3 ns	3.5 ns	3.3 ns	3.3 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	166 MHz	200 MHz	183 MHz	183 MHz	166 MHz	183 MHz	183 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1
长度	22 mm	15 mm	15 mm	22 mm	22 mm	22 mm	15 mm	15 mm
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	36	36	36	36	36	36	36
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	165	165	119	119	119	165	165
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C
组织	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	TBGA	TBGA	BGA	BGA	BGA	TBGA	TBGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	260	260	260
电源	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.36 mm	1.2 mm	1.2 mm	2.36 mm	2.36 mm	2.36 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.035 A	0.035 A	0.03 A	0.03 A	0.035 A	0.03 A	0.03 A	0.035 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.33 mA	0.33 mA	0.36 mA	0.34 mA	0.35 mA	0.32 mA	0.34 mA	0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1 mm	1 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	30	30	30	30
宽度	14 mm	13 mm	13 mm	14 mm	14 mm	14 mm	13 mm	13 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1
是否无铅	不含铅	-	-	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅

推荐资源

性能规格远超OLED，Micro LED在车用显示领域大有作为？

集邦咨询LED研究中心最新报告《 4Q17 Micro LED 次世代显示技术－ Micro／Mini LED应用于车用显示器市场研究分析》表示，2017年乘用车显示器总量约2．41亿之整机数量，预估2025年乘用车全球车用面板总量约成长至6．24亿之整机数量，2017～2025年复合成长率（CAGR）13％，成长的动力来自于智慧车联网、新能源车及自动驾驶车的普及率提升，大幅增加车内...[详细]
MAX1458构成的电桥激励电路

利用DAC3的输出来改变传感器激励电流IBR的大小，即可实现满量程精细校准。IISRC为基准电流，由RISRC和第9脚电压来设定。V1和V2组成镜像电流源，电流增益为14倍，可使激励电流IBR=14IISRC。IBR的编程范围是0．1～2mA。模拟开关S1、S2的通断状态均受配置寄存器控制。显然，当满量程输出电压发生变化时，DAC3就通过改变，BR来补偿桥路输出电压，从而校正了满量程误差。MAX...[详细]
索尼宣布面向富豪消费者Crystal LED巨幕系统：高达16K 790英寸

索尼此前仅向商业客户销售的 Crystal LED 显示系统，现在也可以向富豪消费者提供了。在 4 月份的美国广播电视设备展（NAB 2019）上，索尼宣布了 790 英寸 Crystal LED 巨幕显示系统。它的高度为 17 英尺、宽 63 英尺，且拥有 16K 的分辨率。该系统需要将一系列 micro-LED 面板拼接到一起，单面板规格为 16×18 英寸，分辨率 320×360 。 ...[详细]
论示波器带宽的重要性示波器探头损坏如何提前预防？

一、示波器探头容易损坏部位要预防示波器探头故障，就必须了解示波器探头那些结构容易发生故障。根据对损坏电流探头的故障分析，发现容易损坏的探头部位大致有： a、与电流放大器连接的电路板； b、电流探头的磁环坏； c、电流探头的磁环线圈； d、电流探头的滑动夹子的外观损坏； e、...[详细]
STM32使用DMA从串口读数据到内存

使用DMA从串口读数据到内存和从内存搬数据到串口一样，只是要注意所使用的DMA通道不一样。当配置好后，如果串口上有数据传输，DMA就自动把数据搬到内存中。当工作在正常模式，DMA搬运了设定长度的数据后，会产生中断标志，然后DMA就停止工作了，如果再有数据也不接收了。当工作在循环模式，DMA搬运了设定长度的数据后，会产生中断标志，如果再有数据，DMA会循环保存到内存中，覆盖前面的数据。初...[详细]
好尴尬！发布半年后安卓7.0/7.1占有率依然不到5%

eeworld网消息据外媒报道，对于平台的碎片化问题，谷歌(微博)是看在眼里急在心中，但最新数据显示，安卓“牛轧糖”（7.0/7.1）的诞生并未让碎片化问题有所好转。这款操作系统推出半年后，市场占有率居然连5%都不到，与新版本iOS的快速普及相比，实在是太可怜了。最新数据显示，安卓7.0/7.1的市场占有率仅为4.9%，除了安卓2.3和4.0两个版本（市占率均为0.9%），“牛轧糖”已经是市...[详细]
国网浙江电力积极推动能源消费革命

浙江安吉经历了几次发展变革：从一贫如洗到牺牲环境发展经济，再到如今远近闻名的“绿水青山就是金山银山”。在时代变革中，这里的用能也实现了华丽蜕变：从用上电到用好电，节约高效又环保。从安吉看浙江，能源消费革命悄然展开。优化能源消费结构，推进清洁替代、电能替代，加快建立以电为中心的能源体系，推动能源清洁低碳转型，提升社会能源利用效率……循着这样的能源发展思路，国网浙江省电力有限公司正在行动。 ...[详细]
DSP与蓝牙模块USB口通信模块设计

　　电路原理： DSP与蓝牙模块使用USB接口方式进行通信时，要通过USB口转换电路，然后再与蓝牙模块的USB双向端口D+和D-相连；当采用蓝牙模块USB口低速连接方式，速率也可达到1.5Mb/s。 DSP模块USB口转换电路采用FTDI公司推出的USB芯片FT245BL。该芯片内部固化了实现USB通讯协议的固件程序，对外向用户提供了相应设备的驱动程序，在与蓝牙模块ROK101 007的USB...[详细]
示波器的各种视图模式是什么意思？

　　摘要：示波器可通过各种各样的视图模式来观察波形，有YT、XY两大类别，YT模式又可以进一步细分为普通、大时基、滚动等模式，观察信号时，应选择哪一种模式才最合适，不同的模式之间又有什么关联。本文带您详细深入探讨，各个模式显示的方式，优点与缺点，帮您快速准确地找到合适的模式来观察信号。　　示波器可通过各种各样的视图模式来观察波形，有YT、XY两大类别，YT模式又可以进一步细分为普通、大时基...[详细]
基于网络分析仪提高低噪声放大器的测量精度

基于网络分析仪提高低噪声放大器的测量精度 1. 低噪声放大器的特点和应用 LNA主要用于微弱信号的放大，放大天线从空中接收到的微弱信号，降低噪声干扰，以供系统解调出所需的信息数据。对LNA的主要要求是：小的噪声系数(NF)，即LNA本身产生的噪声功率小，噪声是限制微弱信号检测的基本因素，任何微弱的信号理论上都可以经过LNA放大后被检测到，因此检测能力取决于信号噪声比；高的增益，具有较好平坦...[详细]
IBM发表新混合式内存内运算架构

IBM研究团队近日发布了一个全新的混合式精确内存内运算架构（Mixed-precision in-memory computing ），该架构将计算型内存单元（Computational memory unit）加入传统的冯纽曼架构（ Von Neumann architecture），来提供AI训练的效能，降低训练成本。由于认知运算需要处理非常大量的数据，如何有效率的处理这些数据就变得非常重...[详细]
天数智芯荣获“2018中国芯片产业十大创新力企业”奖

11月29日，由亿欧主办的2018亿欧创新者年会暨第四届创新奖颁奖盛典在北京国贸大酒店隆重举行。此次颁奖盛典上，隆重揭晓了22项年度创新奖评奖结果，奖项渗透至十几大产业及多方投资领域。天数智芯凭借通用、标准、高性能的服务器级GP-GPU芯片产品“Big Island”，一举荣获了“2018中国芯片产业年度创新力企业”奖。天数智芯荣获“2018中国芯片产业年度创新力企业”奖 “中...[详细]
华为nova 2s定妆照颜值媲美Mate 10

华为今年可谓是火力全开，基本上旗下每一个系列都用上了全面屏设计，这趟快车华为坐坐得稳稳的。作为华为旗下主打年轻时尚的nova系列，今天就要正式登场了，在正式发布之前，国外大神又爆料了一张最新定妆照，颜值真是太高了。 nova 2s渲染图　　从图片上来看，这款手机正面为全面屏设计，前置指纹被保留，边框也窄得惊人，几乎没有黑边，亮点是该机采用了前置2000万像素双摄像头，配备柔光灯，看来又是一...[详细]
汇聚国产化半导体热门赛道芯力量初赛到了尾声

6月10日，2021年“芯力量”大赛“寻找中国好项目，汇聚中国芯力量”初赛倒数第二场圆满落幕。本场芯力量聚焦半导体材料、半导体制造设备、半导体测试设备和半导体制造解决方案四大热门赛道。众多家专业机构投资人全程参与了本次线上路演。本期4个项目精彩回顾：首个竞演项目来自新美光（苏州）半导体科技有限公司，带来了半导体关键零部件及材料。新美光成立于2013年，专注于先进半导体材料大直径抛光...[详细]
stm32中的NVIC_Configuration(void)函数

用于映射中断的处理函数，就知道这么多，不求甚解呀， void NVIC_Configuration(void) { NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure; #ifdef VECT_TAB_RAM /* Set the Vector Table base location at 0x20000000 */ NVIC_SetVectorTable(NVIC_Ve...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多