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71V25761S183BGG

产品描述Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
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文件大小324KB,共21页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71V25761S183BGG概述

Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119

71V25761S183BGG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA119,7X17,50
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间3.3 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)183 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e1
长度22 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量119
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.36 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.34 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1

71V25761S183BGG相似产品对比

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描述 Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119 Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, GREEN, FBGA-165 Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, GREEN, FBGA-165 Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119 Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119 Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119 Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, GREEN, FBGA-165 Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, GREEN, FBGA-165
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 BGA, BGA119,7X17,50 TBGA, BGA165,11X15,40 TBGA, BGA165,11X15,40 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50 TBGA, BGA165,11X15,40 TBGA, BGA165,11X15,40
针数 119 165 165 119 119 119 165 165
Reach Compliance Code compliant unknown compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 3.3 ns 3.5 ns 3.1 ns 3.3 ns 3.5 ns 3.5 ns 3.3 ns 3.3 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 183 MHz 166 MHz 200 MHz 183 MHz 166 MHz 166 MHz 183 MHz 183 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B119 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
JESD-609代码 e1 e1 e1 e1 e1 e1 e1 e1
长度 22 mm 15 mm 15 mm 22 mm 22 mm 22 mm 15 mm 15 mm
内存密度 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 36 36 36 36 36 36 36 36
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 119 165 165 119 119 119 165 165
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C
组织 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA TBGA TBGA BGA BGA BGA TBGA TBGA
封装等效代码 BGA119,7X17,50 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 260 260 260 260
电源 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.36 mm 1.2 mm 1.2 mm 2.36 mm 2.36 mm 2.36 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大待机电流 0.03 A 0.035 A 0.03 A 0.035 A 0.035 A 0.03 A 0.03 A 0.035 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.34 mA 0.33 mA 0.36 mA 0.35 mA 0.33 mA 0.32 mA 0.34 mA 0.35 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1.27 mm 1 mm 1 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 30 30 30 30
宽度 14 mm 13 mm 13 mm 14 mm 14 mm 14 mm 13 mm 13 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1
是否无铅 不含铅 - - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
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